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[发明专利]一种MOSFET器件终端结构和制作方法-CN202310654448.4在审
发明人：鞠柯;孟军;陈烨;徐励远;许柏松 -专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端结构和制作方法，终端结构包括元胞区，以及围绕元胞区的终端区，终端区包括沟槽分压环和掺杂截止环，沟槽分压环和掺杂截止环都位于衬底之上；沟槽分压环，位于终端区靠近元胞区的一端且向远离元胞区的另一端延伸，包括第二掺杂区，所述第二掺杂区上覆盖金属场板；掺杂截止环，位于终端区远离元胞区的一端，包括第四掺杂区，掺杂截止环上面覆盖金属场板；第二掺杂区和第四掺杂区都是通过注入扩散的方式形成；沟槽分压环与掺杂截止环之间为衬底。采用本终端结构可以避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通道的同时，还能减小终端区的宽度。
一种 mosfet 器件终端结构制作方法

[发明专利]一种MOS结构沟槽二极管器件及其制造方法-CN202010146744.X有效
发明人：陈晓伦;韩笑;朱涛;鞠柯;孟军;徐励远 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS结构沟槽二极管器件及其制造方法，包括从下至上依次设置的硅衬底、外延层，外延层上开设有依次排布原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽；原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽内侧壁依次设有二氧化硅外层以及多晶硅填充层；外延层上位于相邻的两个原胞沟槽之间的区域设有栅氧化层，栅氧化层的上方设有多晶硅层；原胞沟槽、原胞大沟槽、延展沟槽以及截止沟槽的顶部左右两侧设置有第一掺杂区以及第二掺杂区；原胞沟槽顶部的左右两侧以及原胞大沟槽靠近原胞沟槽侧设置有第三掺杂区，还包括左右设置的第一金属层以及第二金属层。本发明通过引入了沟槽MOS的分压及电场屏蔽效果，改进了器件性能，拓宽了适用领域。
一种 mos 结构沟槽二极管器件及其制造方法