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[发明专利]一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法-CN202211211066.6在审
发明人： 彭银生;姚明海;周守利;龚树凤;刘恺 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法，以窗口层作为太阳电池有源层，在减反射结构中引入固定电荷，窗口层外表面出现感应电荷，在表面附近产生能带弯曲，阻碍少数载流子流向表面发生复合。该结构一方面增加了短波光子的吸收效率，另一方面减少了少数载流子表面复合，从而提高少数载流子的收集效率，提高了短路电流和转换效率。
一种提高 gaas 薄膜太阳电池光电转换效率方法

[发明专利]一种利于环保的滤尘通风机设备及其安装工艺-CN202111429053.1在审
发明人：袁健;彭银生 -专利权人：武汉中瀚暖通空调设备有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本发明涉及建筑通风机设备领域，具体公开了一种利于环保的滤尘通风机设备及其安装工艺，其中，滤尘通风机设备包括机壳，安装在机壳内的电机，与电机连接的叶轮，机壳的一端为进风口，另一端为出风口，机壳的端部连接有过滤套，过滤套的一端设有进风孔，另一端设有出风孔，进风孔与出风孔之间通过风道连通，出风孔连接雾化除尘机构。进入到机壳内的粉尘气体被过滤套分解为多股气流，每股气流经过出风孔时，被雾化除尘机构的雾化喷头雾化除尘，由于出风孔内雾化喷头产生的水雾行程很短，出风孔内的粉尘气体与水雾可以快速接触，在机壳内部负压的情况下，出风孔内水雾在被吸入到机壳之前就可以与粉尘气体充分接触，提高了气体的净化除尘效果。
一种利于环保通风机设备及其安装工艺

[实用新型]防雨百叶风口-CN202023082217.1有效
发明人：彭磊;彭银生 -专利权人：武汉中瀚暖通空调设备有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： E06B7/08 文献下载
摘要：本申请涉及室内通风设备的领域，尤其是涉及一种防雨百叶风口，其包括框体、安装框和多个防雨叶片，多个防雨叶片均与安装框固定连接，安装框与框体的内周侧插接适配，框体的内周侧固定连接有限位环，安装框的周侧与限位环抵接，安装框开设有多个容置槽，容置槽的开口朝向框体的内周侧设置，安装框于容置槽内滑动连接有插接块，插接块沿容置槽的开口方向与容置槽滑移适配，框体开设有与容置槽对准的插接槽，安装框设置有使得插接块一端插接于插接槽内的弹性件，安装框设置有驱动插接块离开插接槽的驱动件。本申请通过便于取下安装框，具有便于取下多个防雨叶片对其进行清理的效果，避免防雨叶片上的污垢影响风口换气的质量。
防雨百叶风口

[发明专利]以自组装纳米球作为GaAs太阳电池表面减反射层的制备方法-CN201710398025.5有效
发明人： 彭银生;姚明海 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C09D125/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种以自组装纳米球作为GaAs太阳电池表面减反射层的制备方法，其步骤如下：步骤1：先将苯乙烯单体、聚苯乙烯微珠、十六醇和辛基酚聚氧乙烯(10)按一定比例相混合搅拌之后，再向其中加入适当水继续搅拌，得到混合液；步骤2：将混合液超声后得到细乳液；步骤3：向细乳液中通入氮气数分钟后，再向其中加入过硫酸钾进行聚合反应，制得单分散聚苯乙烯纳米球；步骤4：稀释聚苯乙烯；步骤5：取一GaAs太阳电池所用的外延片，对外延片进行清洗；步骤6：将分散好的溶液滴涂到外延片上，并使其均匀分布在延片上，干燥后获得具有光子晶体结构的纳米球减反射层。本发明增强了太阳电池对光子的吸收作用，提高了太阳电池的光电转换效率。
组装纳米作为 gaas 太阳电池表面反射层制备方法

[发明专利]一种大断面导流洞分期封堵结构及施工方法-CN201611199460.7有效
发明人：吴留伟;胡允楚;黄荣卫;吴蕾;郑国兵;彭银生;林日练;任伟 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： E02B8/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大断面导流洞分期封堵结构及施工方法。封堵结构包括水闸、分隔墩、上游围堰、下游围堰、一期封堵体、二期封堵体和混凝土牛腿。水闸设置在导流洞进口处；分隔墩设置在导流洞进口段，分隔墩与水闸的位于导流洞洞中间的边闸墩连接；上游围堰位于导流洞进口处并布置在水闸的旁侧；下游围堰布置在分隔墩和导流洞混凝土衬砌之间，并位于分隔墩的下游端；一期封堵体设置在上游围堰、下游围堰、分隔墩和导流洞混凝土衬砌的围合区；二期封堵体设置在水闸的封堵闸门的下游；混凝土牛腿设置在一期封堵体中，在混凝土牛腿下部安装有起吊封堵闸门的吊钩。本发明充分利用不同导流时段洪水特征情况，有效解决了大直径导流洞封堵难、施工难问题。
导流洞分隔封堵体水闸导流洞进口混凝土牛腿封堵结构下游围堰封堵围堰混凝土衬砌大断面上游闸门施工有效解决吊钩下游端导流起吊围合闸墩洪水

[实用新型]大断面导流洞分期封堵结构-CN201621416998.4有效
发明人：吴留伟;胡允楚;黄荣卫;吴蕾;郑国兵;彭银生;林日练;任伟 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： E02B8/06 文献下载
摘要：本实用新型大断面导流洞分期封堵结构，包括水闸、分隔墩、上游围堰、下游围堰、一期封堵体、二期封堵体和混凝土牛腿。水闸设置在导流洞进口处；分隔墩设置在导流洞进口段，分隔墩与水闸的位于导流洞洞中间的边闸墩连接；上游围堰位于导流洞进口处并布置在水闸的旁侧；下游围堰布置在分隔墩的下游端和导流洞的混凝土衬砌之间；一期封堵体设置在上游围堰、下游围堰、分隔墩和导流洞的混凝土衬砌的围合区；二期封堵体设置在水闸的封堵闸门的下游；混凝土牛腿设置在一期封堵体中，在混凝土牛腿下部安装有起吊封堵闸门的吊钩。本实用新型充分利用不同导流时段洪水特征情况，有效解决了大直径导流洞封堵难、施工难的问题。
断面导流分期封堵结构

[发明专利]增强薄膜太阳电池光子吸收效率的方法以及薄膜太阳电池结构-CN201710398037.8在审
发明人： 彭银生;姚明海 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L31/056 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高薄膜太阳电池光子吸收效率的方法，具体步骤如下1取一薄膜太阳电池所用的外延片，对外延片进行清洗；2在电池的背表面热蒸发导电极；3在导电极层上面外延沉积一层二氧化硅层；4在二氧化硅外延层上悬涂光刻胶；5对光刻胶进行前烘，形成样品；6在光刻胶上制作二维光子晶体掩膜图形；7对形成掩膜图形的样品进行后烘；8对烘好的样品进行干法刻蚀，将光刻胶上光子晶体图形转移至二氧化硅上；9去除掩膜胶；10在制作好光子晶体图形的衬底上沉积硅材料，填充光子晶体孔洞；11采用PECVD沉积工艺交替沉积若干层Si/SiO 2薄膜层，制作分布布拉格反射层(DBR)，完成光子晶体陷光结构制作。
增强薄膜太阳电池光子吸收效率方法以及结构

[发明专利]一种滨海双排钢板桩围堰梳齿槽导截流施工方法-CN201510868265.8有效
发明人：吴留伟;郑国兵;徐轶慷;胡能永;吴蕾;施立军;沈贵华;袁文喜;彭银生;谢磊 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： E02D19/04 文献下载
摘要：一种滨海双排钢板桩围堰梳齿槽导截流施工方法，采用的技术方案是a、确定龙口位置和预留宽度；b、施工完成除合龙仓和导流仓外的其余双排钢板桩围堰；c、打设导流仓钢板桩墙和横隔钢板桩墙；d、将导流仓钢板桩按照间隔一根或多根钢板桩切割开；e、拔起导流仓割开钢板桩上部结构，形成梳齿槽过流通道；f、打设合龙仓钢板桩墙；g、将导流仓割开钢板桩上部构件插回。本发明充分利用双排钢板桩围堰自身结构特点，解决了双排钢板桩围堰合龙时的导流问题，降低了围堰合龙风险和施工难度；无需在双排钢板桩围堰合龙时另设施工子围堰，加快了围堰施工速度，降低了围堰总造价。
一种滨海钢板围堰梳齿截流施工方法

[实用新型]一种利用钢管拍门的导流洞快速封堵结构-CN201520633936.8有效
发明人：吴留伟;胡允楚;林日练;彭银生;胡庆辉;胡能永 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： E02B3/16 文献下载
摘要：一种利用钢管拍门的导流洞快速封堵结构，包括钢管、拍门、主围堰、小围堰、临时封堵堵头和钢丝绳，所述的钢管设置于导流洞的底部，钢管的上游侧布置有主围堰，钢管的上游端头的两侧布置有小围堰，钢管的两侧布置有临时封堵堵头，钢管的上游端头安装有拍门，所述钢丝绳一端系于设在拍门下部的吊环上，另一端锚固在导流洞洞口外侧上部。本实用新型通过主围堰挡水，来完成小围堰和钢管拍门的施工；通过小围堰挡水，钢管过流，来完成临时封堵堵头施工；通过关闭拍门，使导流洞内形成干地作业条件，完成永久混凝土封堵。本实用新型施工周期短、工序简单、工程造价低、质量易于控制。
一种利用钢管导流快速封堵结构

[实用新型]一种滨海超深厚软土地基浮置式钢板桩围堰-CN201520074700.5有效
发明人：徐轶慷;郑国兵;吴留伟;胡能永;袁文喜;沈贵华;彭银生 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： E02D19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滨海超深厚软土地基浮置式钢板桩围堰，包括两排钢板桩墙，两排钢板桩墙之间填筑回填土形成“墙-土-墙”堰体结构，围堰的基础设置置换砂层，两排钢板桩墙穿透置换砂层并列插入淤泥层中；钢板桩墙外侧填筑抛石镇压体，抛石镇压体与置换砂层共同形成土石镇压结构；两排钢板桩墙之间沿垂直于围堰轴线方向设置横隔钢板桩。本实用新型围堰能够浮于超深厚淤泥层上，避免了以往钢板桩需插入持力层以确保稳定的特点，且围堰不受地基表层淤泥厚度的影响，适用性广。本实用新型稳定性强、施工周期短、工程造价低、施工质量易于保证且难度低。
一种滨海深厚土地基浮置式钢板围堰

[发明专利]一种滨海超深厚软土地基浮置式钢板桩围堰及其施工方法-CN201510054524.3无效
发明人：徐轶慷;郑国兵;吴留伟;胡能永;袁文喜;沈贵华;彭银生 -专利权人：浙江省水利水电勘测设计院
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： E02D19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种滨海超深厚软土地基浮置式钢板桩围堰及其施工方法，该围堰包括两排钢板桩墙，两排钢板桩墙之间填筑回填土形成“墙-土-墙”堰体结构，围堰的基础设置置换砂层，两排钢板桩墙穿透置换砂层并列插入淤泥层中；钢板桩墙外侧填筑抛石镇压体，抛石镇压体与置换砂层共同形成土石镇压结构；两排钢板桩墙之间沿垂直于围堰轴线方向设置横隔钢板桩。本发明围堰能够浮于超深厚淤泥层上，避免了以往钢板桩需插入持力层以确保稳定的特点，且围堰不受地基表层淤泥厚度的影响，适用性广。本发明稳定性强、施工周期短、工程造价低、施工质量易于保证且难度低。
一种滨海深厚土地基浮置式钢板围堰及其施工方法

[发明专利]一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法-CN200910083495.8有效
发明人： 彭银生;徐波;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法，包括如下步骤：A、制作GaAs基二维光子晶体；B、将GaAs基二维光子晶体置于过氧化氢中氧化，在GaAs表面形成一定厚度的氧化层薄膜；C、在常温下用质量浓度为18％的盐酸溶液腐蚀GaAs基二维光子晶体表面层的氧化层，用微区PL光谱测量光子晶体的微腔模式的变化；D、重复步骤B和C，直至获得光子晶体微腔模式与量子点发光波长相等，产生共振，停止腐蚀。利用本发明，通过精确调节光子晶体孔洞的方法可以达到准确控制光子晶体微腔模式的目的，同时通过化学腐蚀可以改善孔洞侧壁的平滑度，提高光子晶体微腔的品质因子。
一种调节 gaas 二维光子晶体共振模式方法

[发明专利]基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器-CN201110003064.3无效
发明人：施朝霞;曹全君;彭银生;常丽萍 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器，包括场效应管漏区和场效应管源区构成的PMOS场效应管，所述PMOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层悬浮栅极结构，所述多层悬浮栅极结构自上而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述多层悬浮栅极结构上覆盖二氧化硅和氮化硅复合的氢离子敏感层。本发明提供一种实现与标准CMOS工艺兼容、便于集成化的基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器。
基于标准 cmos 工艺多层浮栅全固态 ph 传感器

[发明专利]一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法-CN200910081986.9无效
发明人： 彭银生;徐波;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法，包括：在半绝缘砷化镓衬底上，外延生长一定厚度的AlGaAs牺牲层；在AlGaAs牺牲层上外延生长一定厚度的砷化镓；在砷化镓层上外延生长一定密度InAs量子点；外延生长一定厚度的砷化镓，将InAs量子点埋住；在砷化镓上采用等离子体化学气相淀积法(PECVD)镀上一层SiO2薄膜；在SiO2薄膜上悬涂一层电子束胶；采用电子束曝光法在电子束胶上制作光子晶体图形；采用反应离子刻蚀方法将电子束胶上的光子晶体图形转移至SiO2上，并去胶；采用扫描电镜(SEM)对样品进行测试，观测并计算光子晶体孔洞的垂直度。利用本发明，不用观察光子晶体孔洞截面，只测试光子晶体表面，便可测试出光子晶体孔洞侧壁垂直度。
一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直方法

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