专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种框胶填充装置及框胶填充方法-CN201610737161.8有效
  • 张隆贤 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-08-26 - 2019-09-17 - G02F1/13
  • 本发明公开了一种框胶填充装置,包括填充杯、底座和活动地设于所述填充杯内的活塞杆组件,所述底座内设置有供所述填充杯放入的凹槽,所述填充杯底面与所述凹槽滚动接触,且所述填充杯与所述凹槽侧壁之间设置有间隙。本发明还公开了一种框胶填充方法。本发明通过将填充装置的底座设计为带凹槽结构,填充杯底部设计成可在凹槽内水平移动,并且四周与凹槽的侧壁保持一定间隙,以便保证填充杯在底座上水平方向可以顺畅滑动,顺利完成活塞杆组件与填充杯的自动同心补正,可以很好地保证填充活塞与填充杯的同心度,降低密封圈局部磨损风险,提高密封圈使用寿命和框胶分装可靠性。
  • 一种填充装置方法
  • [发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、晶体管-CN201310728614.7有效
  • 张隆贤 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2013-12-25 - 2017-11-03 - H01L29/04
  • 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法,包括生长非晶硅薄膜层的步骤,首先在所述非晶硅薄膜层上生长一氧化硅层;然后在所述氧化硅层上制备多个凹形弧面,所述凹形弧面可使垂直照射于所述氧化硅层的激光束发生折射;最后采用准分子激光束从所述氧化硅层照射到所述非晶硅薄膜层上,使所述非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜。本发明还公开了一种由如上所述的方法制备获得的低温多晶硅薄膜以及包含该低温多晶硅薄膜的晶体管。本发明在采用准分子激光退火工艺制备低温多晶硅薄膜时,重结晶的起点和方向可控,获得较大的多晶硅晶粒。
  • 低温多晶薄膜及其制备方法晶体管
  • [发明专利]一种框胶填充装置-CN201310719161.1有效
  • 张隆贤 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2013-12-23 - 2014-04-02 - B67C3/28
  • 本发明一种框胶填充装置,包括框胶机台以及安装于其上的若干个注射器,框胶机台包括基座和封盖,封盖上开设有若干个填充孔,注射器夹持固定于基座上,其进料孔与填充孔相对,使得框胶由填充孔经进料孔注入注射器中,在注射器的顶部与封盖之间设有弹簧片,弹簧片可受控移动,当所测注射器中的框胶容量达到预设值时,可驱动弹簧片移动并将填充孔封闭,以停止进料。若达到设定的框胶容积,由控制芯片驱动电机带动弹簧片偏移而将填充孔封闭,一方面,可对各个注射器的框胶容量进行分别按需配置;另一方面,可对框胶的进料过程自动化地控制,提高了进料的精度和自动化程度,按照框胶的实际用量进行填充,减少框胶的用量。
  • 一种填充装置

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