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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]图像传感器及电子设备-CN202320186690.9有效
发明人： 张豪轩;戚德奎 -专利权人：上海思特威集成电路有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层；半导体结构层内具有呈阵列分布的多个感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构位于半导体结构层朝向光学结构层的一侧；光学结构层包括栅格结构，栅格结构与深沟槽隔离结构相对应，栅格结构的一端延伸至半导体结构层内并与深沟槽隔离结构的一端相接触。相比于传统的金属栅格直接形成于半导体衬底的表面上，本申请通过将栅格结构的一端延伸至半导体结构层内，半导体衬底和其他膜层可以对栅格结构起到一定支撑作用，使得栅格结构更加稳定，不容易倒塌。
图像传感器电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111391398.2在审
发明人：张智伟;林大钧;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;简廷安;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含有一氮化镓(GaN)层，一氮化镓铝(AlGaN)层位于该氮化镓层上，一极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层，以及一栅极衬垫层，位于该极性促进层上。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]可编程存储器及图像传感器-CN202222635345.7有效
发明人： 张豪轩;王强;戚德奎;石文杰 -专利权人：思特威(合肥)电子科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可编程存储器及其制备方法和控制方法、图像传感器，可编程存储器包括可编程阵列，可编程阵列包括多条字线、多条位线以及呈阵列排布的可编程单元，每个可编程单元与至少一条字线和至少一条位线电性连接，可编程单元包括编程晶体管，编程晶体管包括第一栅极以及与第一栅极对应设置的栅极氧化物膜，栅极氧化物膜包括供基于电压击穿的击穿区。本申请的可编程存储器，击穿电压稳定，击穿后的电阻均匀，使数据读取准确可靠。本申请还提供一种图像传感器。
可编程存储器图像传感器

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202211181127.9在审
发明人： 张豪轩;钟耀贤;蔡馥郁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在半导体基底的核心区与输入/输出区上分别形成第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一图案化氧化物层、第一图案化氮化物层与第一虚置栅极。第二堆叠结构包括第二图案化氧化物层、第二图案化氮化物层与第二虚置栅极。移除第一虚置栅极与第二虚置栅极，用以于核心区上形成第一凹陷并于输入/输出区上形成第二凹陷。在第一凹陷中形成第一栅极结构，并于第二凹陷中形成第二栅极结构。在第一凹陷中形成第一栅极结构之前，将第一图案化氮化物层移除。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201711082658.1有效
发明人： 张豪轩;钟耀贤;蔡馥郁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在半导体基底的核心区与输入/输出区上分别形成第一堆叠结构与第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一图案化氧化物层、第一图案化氮化物层与第一虚置栅极。第二堆叠结构包括第二图案化氧化物层、第二图案化氮化物层与第二虚置栅极。移除第一虚置栅极与第二虚置栅极，用以于核心区上形成第一凹陷并于输入/输出区上形成第二凹陷。在第一凹陷中形成第一栅极结构，并于第二凹陷中形成第二栅极结构。在第一凹陷中形成第一栅极结构之前，将第一图案化氮化物层移除。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011344582.7在审
发明人：张智伟;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;林大钧;简廷安;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一沟槽设置于第二III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层中，其中沟槽具有一第一转角和一第二转角都位于第一III‑V族化合物层中，一第一介电层接触第一转角的侧壁，一第二介电层接触第二转角的侧壁，第一介电层和第二介电层都位于沟槽之外，一栅极设置于沟槽内，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方。
电子迁移率晶体管及其制作方法

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