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- [发明专利]一种三维集成电路-CN202310876380.4在审
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张耀辉
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苏州华太电子技术股份有限公司
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2023-07-18
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2023-08-15
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H01L27/06
- 本申请实施例提供了一种三维集成电路,包括:底部器件层;所述底部器件层包括自下而上设置的底部衬底、底部功能器件层、底部绝缘层;其中,所述底部绝缘层中具有与底部功能器件层的功能器件连接的电连接结构;形成在底部器件层上方的上方第一器件层,所述上方第一器件层包括自下而上设置的第一半导体层、第一功能器件层、第一绝缘层;其中,所述第一绝缘层中具有与第一功能器件层的功能器件连接的电连接结构;第一层间通孔以及填充其内的导电物质,连接所述底部绝缘层的电连接结构和所述第一绝缘层的电连接结构。本申请实施例解决了传统的3D封装芯片不能适应芯片的发展方向的技术问题。
- 一种三维集成电路
- [实用新型]叉车车架用点焊机-CN202320136154.8有效
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吴太平;冯凯;林佳乐;张献付;张耀辉
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余姚市佳利叉车部件有限公司
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2023-02-07
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2023-08-11
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B23K37/00
- 本实用新型公开了叉车车架用点焊机,包括:支撑脚,所述支撑脚的上端设置有焊接台,所述连接栓的外端设置有连接板,且连接板的上端连接有连接座;定位杆,其设置在焊接台的上端,且定位杆的外端连接有定位环,所述定位环的内端连接有焊接头,且焊接头的内侧设置有叉车支架接脚;焊接架,其设置在连接座的上端,且焊接架的右端安装有电机,所述电机的左端连接有连接组合件,且连接组合件的下端设置有衔接板,所述衔接板的内端设置有防护管,所述衔接板的下端连接有点焊机电源插件。该叉车车架用点焊机,其便于点焊机对叉车车架的位置进行定位,同时,便于点焊机对叉车车架进行全方位的焊接。
- 叉车车架点焊
- [发明专利]一种适用于流延成型手机后壳的模具-CN201711278486.5有效
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余明先;孙亮;张耀辉
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广东百工新材料科技有限公司
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2017-12-06
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2023-08-08
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B28B7/00
- 本发明公开了一种适用于流延成型手机后壳的模具,包括阴模,阴模的上设有中心凸台和边成型面,边成型面上设有膜片定位部,为温等静压过程中流延膜片分散起到了定位作用;边成型面上还设有导流部,导流部的一端与中心凸台的圆角相连,另一端向外延伸,使得温等静压时边成型面的圆角处多余的膜片被均匀分散在导流部的凸筋或凹槽上,导流部和膜片定位部的设计,增加了膜片与模具的接触面积,有效避免了产品成型过程中阴模的四个圆角出现膜片开裂或褶皱,从而有效提高了产品的合格率,通过本发明制备的加工余量少、性能稳定可靠的3D陶瓷手机后壳,大大节约了材料成本及后端加工成本,可满足手机领域的应用要求,进行大规模批量生产。
- 一种适用于成型手机模具
- [发明专利]BCD器件-CN202211056231.5在审
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莫海锋;冯新;张耀辉
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苏州华太电子技术股份有限公司
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2022-08-30
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2023-08-01
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H01L27/07
- 本申请实施例提供了一种BCD器件,涉及半导体技术领域。该BCD器件至少包括依次连接的:衬底区、第二浓度掺杂埋区、多个DMOS器件单元以及介质层,其中,每个所述DMOS器件单元中至少包括:浓度小于所述第二浓度掺杂埋区的第一浓度掺杂漂移区,以及双扩散金属氧化物半导体场效应管DMOS器件,其特征在于,在相邻两个所述DMOS器件单元之间开设有一第一通孔,所述第一通孔贯穿所述介质层并延伸至所述第二浓度掺杂埋区,且所述第一通孔中至少填充有导电材料;所述第一通孔内壁与由所述导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。解决了目前BCD器件表面利用率较低的技术问题,达到提高BCD器件表面利用率的技术效果。
- bcd器件
- [发明专利]一种二极管器件-CN202211102827.4在审
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祁金伟;张耀辉
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苏州华太电子技术股份有限公司
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2022-09-09
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2023-08-01
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H01L29/06
- 本申请实施例提供了一种二极管器件,包括:第一掺杂类型的第一半导体层;形成在第一半导体层之上的第一掺杂类型的电场终止层;形成在电场终止层之上的第一掺杂类型的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的第一掺杂类型的漂移区,以及形成在漂移区内间隔排列的多个第二掺杂类型的柱区;形成在漂移区上方的第二掺杂类型的第二半导体层;电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;二极管器件关断,电场过渡层被完全耗尽,电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0。本申请实施例解决了传统的SJ‑二极管器件在关断过程拖尾电流带来的关断能量损耗较大的技术问题。
- 一种二极管器件
- [发明专利]一种IGBT器件及开关电路-CN202211167593.1在审
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祁金伟;刘倩;张耀辉
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深圳市千屹芯科技有限公司
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2022-09-23
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2023-08-01
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H01L29/06
- 本申请实施例提供了一种IGBT器件及开关电路。IGBT器件包括集电极;形成在所述集电极之上的电场终止层;形成在电场终止层之上的电场过渡层;形成在电场过渡层之上的漂移区,以及形成在漂移区的柱区;形成在漂移区上方的阱区;其中,电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度,漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子;IGBT器件在不同预设工作电压关断时,电场过渡层均被完全耗尽,电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0,IGBT器件的预设工作电压为大于等于10%×BV小于等于80%×BV。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件因关断能量损耗较大导致无法在低压工作的技术问题。
- 一种igbt器件开关电路
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