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[发明专利]一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体及其制备方法-CN202310909616.X在审
发明人：涂溶;冷坤秋;张翅腾飞;章嵩;罗国强;韩宇哲 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C25C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体的制备方法，包括如下步骤：配置反应液、设置反应环境、设置电极、反应及粉体收集，最终获得多面体空心Ni/NiO纳米粉体。同时还公开了利用上述制备方法制备的一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体。本发明的一种多面体空心Ni/NiO纳米粉体及其制备方法以镍棒为前驱体，乙腈为络合剂，通过控制电源电压、频率、脉宽、溶液导电率和反应时间得到具有空心结构的多面体Ni/NiO纳米粉体，形成的多面体空心结构有较大比表面积、轻质、低密度；本方法较其他方法，操作简单，仅需一步就可实现多面体空心Ni/NiO纳米粉体的制备。
一种多面体空心 ni nio 纳米及其制备方法

[发明专利]一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法-CN202310520672.4在审
发明人： 张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟 -专利权人：湖北隆中实验室
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CVD生长的二维铋基钙钛矿材料的结构调控方法，通过精确调控前驱体的传质过程，最终获得了厚度≤10nm，横向尺寸≥500μm的单晶铋基钙钛矿材料，解决了现有方法制得的二维铋基钙钛矿材料单晶尺寸较小且厚度不可控的问题。所述方法包括以下步骤：将两种前驱体物质分别放置于双温区管式炉的两个温区，采用云母基体作为衬底，向管式炉内通入氩气和氢气，分别将管式炉的两个温区升温至预定温度，反应，即可得到大尺寸二维铋基钙钛矿材料。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过改变管式炉两个温区的温度和载气流量，即可控制二维铋基钙钛矿材料的厚度和形貌结构。
一种基于 cvd 生长二维铋基钙钛矿材料结构调控方法

[发明专利]一种具有OER电催化活性NiO中空微球及其制备方法-CN202310832705.9在审
发明人：涂溶;刘江伟;张翅腾飞;章嵩;罗国强;韩宇哲 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2023-07-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球采用Mist‑CVD法制备且平均直径小于1.5µm。本发明还公开了一种具有OER电催化活性的NiO中空微球的制备方法，通过将镍盐、乙醇胺络合剂（ETA）溶于去离子水中配制成混合前驱体溶液，并使用Mist‑CVD法进行制备，获得具有OER电催化活性的NiO中空微球。本发明的一种具有OER电催化活性的NiO中空微球及其制备方法以镍盐和乙醇胺络合剂（ETA）为混合前驱体，采用Mist‑CVD法制备出高OER活性的NiO中空微球，该方法具有工艺简便、原料成本低、可大批量生产以及对环境相对友好等优势。
一种具有 oer 电催化活性 nio 中空及其制备方法

[发明专利]一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法-CN202310500867.2在审
发明人： 张翅腾飞;章嵩;涂溶;张联盟 -专利权人：湖北隆中实验室
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制CVD单层石墨烯中多层形核的方法，属于纳米材料制备领域。本发明通过在铜箔背面沉积阻挡层，阻止铜箔背部的碳原子扩散至铜箔正面，从而抑制多层形核的生成。包括以下步骤：在铜箔背面沉积2～10μm厚的阻挡层薄膜，以该复合铜箔作为石墨烯生长的基底；随后使用CVD法在铜箔上制备单层石墨烯。C原子在基底正面逐渐沉积生长为单层石墨烯，而基底背面的C原子则被阻挡层阻挡，无法扩散至基底正面，从而抑制基底正面多层形核区域的产生。本发明的方法能够获得高均匀性单层石墨烯，且有整体方法简单，控制方便，重复性好等优点。
一种抑制 cvd 单层石墨多层方法

[发明专利]一种粒径可控的纳米Zr2-CN202211729720.2在审
发明人：涂溶;陈祥宇;张翅腾飞;章嵩;罗国强 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种粒径可控的纳米Zr2O粉体的制备方法，采用超声雾化结合化学气相沉积的方法，将配制好的前驱体溶液放入超声雾化装置中进行雾化形成雾滴，对管式炉进行升温，待反应区的温度提升到反应温度后，通入载气使超声雾化装置中的雾滴能够随着载气进入管式炉中，使雾滴能在管式炉反应区的高温下发生分解并沉积，从而生成粒径可控的纳米Zr2O粉体。本发明的一种粒径可控的纳米Zr2O粉体的制备方法预设计算雾滴的直径以及调配对应密度及表面张力的前驱体溶液，制备出分散性良好，粒径均一可控的纳米(Zr2O粉体，采用方法简单，控制方便，重复性好。
一种粒径可控纳米 zr base sub

[发明专利]镍铁层状双金属氢氧化物/氧化铁复合材料及其制备方法-CN202211731817.7在审
发明人：郑颖秋;罗国强;涂溶;张翅腾飞;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铁层状双金属氢氧化物/氧化铁复合材料及其制备方法，主制备步骤为分别配置三价铁盐和三乙醇胺的溶液；将三乙醇胺溶液逐滴加入到三价铁盐溶液中得到澄清稳定的三价铁离子与三乙醇胺的络合物溶液后使用微波水热处理溶液得到氧化铁前驱体分散液；配置镍盐和三乙醇胺的混合溶液后加入到氧化铁前驱体分散液中并通过超声处理使其混合均匀；将混合物转移至微波水热反应瓶后进行微波水热处理，待处理完毕后使用去离子水和乙醇离心洗涤沉淀产物，最终真空干燥得到镍铁层状双金属氢氧化物/氧化铁复合材料。本发明利用微波水热法制备的镍铁层状双金属氢氧化物/氧化铁复合材料制备工艺简单，表现出良好的电化学析氧活性。
层状双金属氢氧化物氧化铁复合材料及其制备方法

[发明专利]一种镍铁层状双氢氧化物的一步合成–剥离的方法-CN202211729572.4在审
发明人：郑颖秋;罗国强;涂溶;张翅腾飞;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铁层状双金属氢氧化物的一步合成–剥离的方法，主制备步骤为分别配置一定浓度的双金属溶液和络合剂溶液；将络合剂溶液逐滴加入双金属溶液中得到稳定的待处理溶液；对待处理溶液进行超声处理，待处理完毕后使用超纯水和乙醇离心洗涤沉淀产物，最终真空干燥得到大层间距的镍铁层状双金属氢氧化物。本发明的一种镍铁层状双氢氧化物的一步合成–剥离的方法反应条件温和，原料简单，操作简便，剥离效果好且效率高，剥离过程无需使用剥离溶剂和气氛保护，绿色环保，且不会引入杂质离子。
一种层状氢氧化物一步合成剥离方法

[发明专利]一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法-CN202211215306.X在审
发明人：章嵩;张翅腾飞;徐青芳;李宝文;涂溶 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法，所述二维三元过渡金属碳化物具有单晶结构，内部各种元素分布均匀，平面尺寸为10～100μm。本发明提供的二维三元过渡金属碳化物平面尺寸较大，具有单晶结构，且厚度及尺寸可通过控制生长时间与温度进行调整，表面缺陷少，导电性好，品质高，可用于高温电极领域。
一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法

[发明专利]一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法-CN202210706359.5在审
发明人：涂溶;朱鸿玉;张翅腾飞;杨梅君;郑颖秋;罗国强;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法，通过一步化学气相沉积法实现Ni、NiO、C的三层包覆结构材料的制备，并通过控制反应压强、反应温度以及输入气体的流量调控Ni含量和碳层厚度，从而获得了性能优异且稳定的OER催化剂。本发明的一种具有OER催化活性的Ni@NiO@C纳米粒子制备方法采用一步化学气相沉积法制备NiO基催化剂，其粒径小于30nm，增加了电催化活性位点，将NiO与Ni、C复合提高了导电性，从而提高了NiO的催化活性，获得的成品外层包裹碳层，使得样品具有良好的稳定性，且最终产物纯度高，后处理过程简单，整体制备过程简单，操作方便，粉体粒径大小可控，可连续加料，易于连续生产。
一种具有 oer 催化活性 ni nio 纳米粒子制备方法

[发明专利]一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法-CN202210086116.6在审
发明人： 张翅腾飞;涂溶;罗国强;郑颖秋;杨刚;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法，通过在铜箔表面进行掺杂元素沉积，在铜箔表面形成掺杂元素薄膜，经过高温退火后获得质地均匀的铜合金箔作为基板；使用常压化学气相沉积方法，将基板放入常压CVD生长炉中，随后通入保护气体，使常压CVD生长炉的反应区处于保护气氛中，对常压CVD生长炉进行升温，将反应区的温度提升到反应温度后，通入反应气体，使反应气体中C元素在基板上逐渐沉积生长，从而获得掺杂石墨烯。本发明的一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法以铜箔和掺杂元素形成的合金箔作为基底生长石墨烯，实现在单晶石墨烯生长过程中的同步掺杂，获得晶格掺杂的单晶石墨烯，整体方法简单，控制方便，重复性好。
一种 cvd 石墨生长过程中的同步掺杂方法

[发明专利]一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法-CN202110969002.1有效
发明人： 张翅腾飞;涂溶;罗国强;郑颖秋;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法，包括如下步骤：S1，将碘化铋粉末放置到设有一端开口的刚玉舟内，再将氟金云母基板倒扣在刚；S3，往管式炉中通入氩气与氢气，对气化的碘化铋进行稀释并进行还原反应；S4，在反应结束后，将气相陷阱移动至管式炉末端的加热带处进行降温，在降温过程中，使刚玉舟内的气体在氟金云母基板上沉积形成附着；S5，待气相陷阱完全冷却后，获得二维碘化铋单晶。本发明的本发明公开一种大尺寸二维碘化铋单晶的制备方法，解决了现有方法制得的碘化铋单晶尺寸较小且厚度不可控的问题，整体制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过控制降温速率，得到不同厚度和尺寸的二维单晶碘化铋。
一种尺寸二维碘化铋单晶制备方法

[发明专利]一种抗氧化超疏水铜薄膜及其制备方法-CN202111250495.X在审
发明人： 张翅腾飞;涂溶;罗国强;郑颖秋;张联盟 -专利权人：化学与精细化工广东省实验室潮州分中心
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗氧化超疏水铜薄膜，以有机金属前驱体分解后产生的铜纳米簇作为催化剂，催化液态有机物前驱体分解为石墨碳，石墨碳富集于铜纳米簇表面，构成铜@碳核‑壳结构的晶粒(Cu@C)，无数铜@碳晶粒堆积于基底表面，形成抗氧化超疏水铜薄膜。本发明还公开了一种抗氧化超疏水铜薄膜的制备方法。本发明的一种抗氧化超疏水铜薄膜及其制备方法利用化学气相沉积的方法在基底表面形成抗氧化的铜碳薄膜，并且利用沉积形成的较为粗糙的纳米结构表面，获得超疏水的特性，整体方法简单，控制方便，重复性好。
一种氧化疏水薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片-CN202011140464.4在审
发明人：郭可升;胡琅;卫红;胡强;徐平;张翅腾飞;姚龙;方威 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
一种纯度金属薄膜制备方法装置半导体芯片

[发明专利]一种凹形结构单晶石墨烯及其制备方法-CN201611256637.2有效
发明人：涂溶;张翅腾飞;章嵩;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开一种凹形结构单晶石墨烯的制备方法包括以下步骤：1)使用乙酸和丙酮超声清洗铜箔基底，然后进行预退火处理；2)对退火后的铜箔基底进行预氧化处理；3)采用化学气相沉积法在经步骤2)预氧化处理后的铜箔上进行化学气沉积，冷却即得所述凹形结构单晶石墨烯。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便、可重复性好，通过控制反应气氛，制备出具有凹形(内部单层外围双层)结构的单晶石墨烯，且涉及的成本低、重复性好，在光学、微波二极管和传感器等领域具有很好的应用前景。
一种凹形结构晶石及其制备方法

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