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[发明专利]一种基于忆阻器阵列的神经网络突触觉结构-CN201811272115.0有效
发明人：肖建;张粮;张健;童祎;洪聪;吴锦值 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明提出一种基于忆阻器的神经网络突触阵列电路，用于连接神经网络中前一层神经元与后一层神经元；该电路包括突触阵列，突触阵列包括n*m个突触结构，每个突触结构由一个肖基特二极管和一个忆阻器件串联而成；肖基特二极管的阳极作为突触结构的输入端，肖基特二极管的阴极与忆阻器件的输入端相连，忆阻器件的输出端作为突触结构的输出端；位于同一行的m个突触结构的输入端相连，作为本行突触阵列的输入端；而位于同一列的n个突触结构的输出端相连，作为本列突触阵列的输出端；所述突触阵列共有n个输入端和m个输出端。本发明能够防止忆阻器电路在信息处理过程中发生多路漏电流现象；且能够根据实际输入信号的规模和特点进行扩展和改变。
一种基于忆阻器阵列神经网络突触结构

[发明专利]一种分时复用忆阻存储电路结构及工作方法-CN202310349682.6在审
发明人：张粮;刘佳;刘娟;车巍;童祎;肖建;王兰 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分时复用忆阻存储电路结构及工作方法，所述分时复用忆阻存储电路包括若干阵列排布的忆阻器存储单元；每个忆阻器存储单元包括反向连接的忆阻器m1和m2；通过对通道选择器设置不同的工作电平，结合外存储单元阵列外部的MOS管T1，在不同的通道选择Channel Selector工作电平下，实现存储、读取、格式化的对应功能；本发明基于分时复用原理，将存储、读取、格式化电路结构进行部分复用，简化了忆阻器作为存储核心单元的外围电路和布线，保证了资源的合理使用，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种分时复用忆阻存储电路结构工作方法

[发明专利]一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法-CN202211532020.4在审
发明人：张粮;车巍;童祎;王璇之;肖建;王宇 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法，每个忆阻器存储单元包括反向相连的忆阻器m1和忆阻器m2；每个忆阻器的上电极和下电极分别设有第一金属丝线和第二金属丝线；所述第一金属丝线连通读取层电路，第二金属丝线连通编码层电路；本发明采用堆叠式方法设计了编码层电路和读取层电路，二者共用忆阻器存储单元，且互相独立，同时公开了相应的工作方法，包括编码、读取和格式化方法；本发明设计的堆叠式双忆阻器存储电路结构既保证了资源的合理使用，更提升了忆阻器作为存储核心单元的稳定性，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种堆叠式双忆阻器存储结构电路工作方法

[发明专利]一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及扩容方法-CN202211578614.9在审
发明人：张粮;童祎;孟宇泰;封澳;肖建;王瑞;刘娟 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及扩容方法，每个忆阻器存储单元包括依次串联在Vs和Vd输入端的编码Cod、电阻R1和忆阻器m；n位地址选择器设有位信号输入端，通过二极管VD2输入位信号至编码Cod和电阻R1间；电阻R1与忆阻器m间连接二极管VD1，输出存储值；同一列忆阻器存储单元共用一个位信号输入端；在所述忆阻器m与Vd端之间添加有二值化标记电路，通过输出不同类型的标记信号和存储值组合，实现成倍扩容忆阻器存储阵列输出值；本发明提供了两种不同类型的标记电路及工作方法，同时设计了相应的输出电路，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使多态忆阻器在存储电路中的应用具有更好的适用性。
一种基于二值化标记扩容忆阻器存储阵列方法

[发明专利]一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法-CN202211657882.X在审
发明人：张粮;童祎;蔚仁伟;王宇;何南;连晓娟;万相 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。
一种基于 fgmos 扩容忆阻器存储阵列工作方法

[发明专利]基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法-CN202211452697.7在审
发明人：张粮;童祎;肖建 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法，每个忆阻器单元包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2；所述编码Cod、忆阻器m和电阻R依次串联，编码Cod另一端连接地址寄存器Cod_address_reg，输入脉冲信号Vs通过地址寄存器Cod_address_reg连接编码Cod；电阻R另一端连接外部脉冲信号Vd；外部脉冲信号Vd与电阻R间还设有接地的MOS管T4；二极管VD1正极连接于忆阻器m和电阻R之间，负极连接电压跟随器的输入端；二极管VD2正极与n位地址选择器输出的位信号相连，负极连接至编码Cod和忆阻器m之间；本发明根据不同阶段需求，通过调整MOS管T4可以实现正反双向编码、擦除及读取，解决了传统读取电路端口资源浪费的问题。
基于忆阻器阵列字多态可编程存储电路使用方法

[发明专利]一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法-CN202210717635.8在审
发明人：张粮;童祎;蔚仁伟;王宇;何南;连晓娟;万相 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。
一种基于 fgmos 扩容忆阻器存储阵列工作方法

[发明专利]一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及工作方法-CN202210803041.9在审
发明人：张粮;童祎;孟宇泰;封澳;肖建;王瑞;刘娟 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二值化标记扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，每个忆阻器存储单元包括依次串联在Vs和Vd输入端的编码Cod、电阻R1和忆阻器m；n位地址选择器设有位信号输入端，通过二极管VD2输入位信号至编码Cod和电阻R1间；电阻R1与忆阻器m间连接二极管VD1，输出存储值；同一列忆阻器存储单元共用一个位信号输入端；在所述忆阻器m与Vd端之间添加有二值化标记电路，通过输出不同类型的标记信号和存储值组合，实现成倍扩容忆阻器存储阵列输出值；本发明提供了两种不同类型的标记电路及工作方法，同时设计了相应的输出电路，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使多态忆阻器在存储电路中的应用具有更好的适用性。
一种基于二值化标记扩容忆阻器存储阵列工作方法

[实用新型]一种交互式智能换气扇-CN202220887151.3有效
发明人：张粮;王瑞;张康;刘娟;车巍;王兰 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： F24F7/007 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种交互式智能换气扇，包括串联于家用电源的继电器模块、智能控制电路和换气扇模块；智能控制电路包括主控模块MCU、传感器模块和交互模块。传感器模块采集空气信息，经由A/D模数转换器传输至主控模块MCU；所述主控模块MCU分别与交互模块和继电器模块电气连接；所述继电器模块与换气扇电气连接，控制换气扇工作状态；所述交互模块包括LCD显示屏和输入键盘；通过输入键盘设定各传感器的安全阈值并传输至主控模块MCU，同时主控模块MCU将各传感器输入信息实时投放在LCD显示屏上；主控模块MCU通过比较传感器传输的空气信息与安全阈值，控制继电器模块通断，实现在无人为通断的情况下控制换气扇智能排气，实现了节能、高效且智能化的目的。
一种交互式智能换气扇

[发明专利]一种减振防噪的地铁隧道系统及施工方法-CN202010999909.8有效
发明人：高盟;王明瑶;王滢;张粮 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： E21D11/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种减振防噪的地铁隧道系统及施工方法，包括隧道砌衬，隧道砌衬中设有多个贯穿自身侧壁的减振孔，减振孔中设有多孔隙的Duxseal材料，减振孔靠近隧道砌衬外壁的一端封堵，减振孔用于吸收并衰减隧道砌衬侧壁及内腔的中低频振动，Duxseal材料用于吸收并衰减隧道砌衬侧壁及内腔的高频振动。隧道砌衬的下方土层中沿隧道前进方向依次布设有多排隔振管，每排隔振管竖向布置且与隧道的前进方向垂直，隔振管中填充有橡胶颗粒，相邻橡胶颗粒之间具有间隙，能够实现从隧道砌衬传播入土层振动的二次衰减。本发明通过两次多孔结构及高频减振材料的配合提高了减振效果，减少了中低频振动对周围建筑物的影响，也衰减了隧道中的高频噪音。
一种减振防噪地铁隧道系统施工方法

[发明专利]一种基于忆阻器阵列的识别系统-CN201811267920.4有效
发明人：肖建;张粮;张健;童祎;吴锦植;洪聪 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的识别系统，包括图像采集模块、神经网络模块、通讯模块、FPGA模块、微处理器模块、数模转换模块以及忆阻器阵列；所述神经网络模块与所述图像采集模块连接，所述神经网络模块通过所述通讯模块与所述FPGA模块连接，所述FPGA模块连接分别与所述微处理器模块和所述数模转换模块连接，所述忆阻器阵列与所述数模转换模块连接。本发明搭建了一种忆阻器阵列电路接口，为忆阻器阵列电路提供有限的输入，方便科研人员在忆阻器技术方面的丰富性研究。并可代替大量的电子突触运算，极大的节省了研究人员的精力和研究机构的研究成本。
一种基于忆阻器阵列识别系统

[发明专利]基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法-CN202210399486.5在审
发明人：张粮;童祎;肖建 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的n位s字多态可编程存储电路及使用方法，每个忆阻器单元包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2；所述编码Cod、忆阻器m和电阻R依次串联，编码Cod另一端连接地址寄存器Cod_address_reg，输入脉冲信号Vs通过地址寄存器Cod_address_reg连接编码Cod；电阻R另一端连接外部脉冲信号Vd；外部脉冲信号Vd与电阻R间还设有接地的MOS管T4；二极管VD1正极连接于忆阻器m和电阻R之间，负极连接电压跟随器的输入端；二极管VD2正极与n位地址选择器输出的位信号相连，负极连接至编码Cod和忆阻器m之间；本发明根据不同阶段需求，通过调整MOS管T4可以实现正反双向编码、擦除及读取，解决了传统读取电路端口资源浪费的问题。
基于忆阻器阵列字多态可编程存储电路使用方法

[发明专利]一种n位s字忆阻器阵列读取电路结构及读取、擦除方法-CN202210399481.2在审
发明人：张粮;冀峰;童祎;肖建;王瑞;刘娟 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种n位s字忆阻器阵列读取电路结构及读取、擦除方法，包括编码Cod、忆阻器m、电阻R、二极管VD1和VD2，MOS管T2、电压跟随器和n位地址选择器；在编码Cod完成对忆阻器阵列的信息写入后，编码单元停止工作，通过控制寄存器和位信号和输出端信号的有序输入，来实现对其中忆阻阵列存储信息的读取；同时本发明还通过控制寄存器、输入端信号和外部输入信号，实现了忆阻器阵列的信息擦除；本发明避免了电路在运行过程中的时序性问题，在存储更多的数据信息时，除了节省了大量资源，更能够协调稳定地输出对应的信号，保证了运行无时间误差的特点，从而使多态忆阻器在存储电路中的应用具有更好的适用性。
一种字忆阻器阵列读取电路结构擦除方法

[发明专利]一种海上可燃冰采挖回填装置及方法-CN202011172726.5有效
发明人：高盟;张粮;王滢 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： E21B43/01 文献下载
摘要：本公开提供一种海上可燃冰采挖回填装置及方法，涉及可燃冰开采领域，包括开采平台、伸缩管、钻孔机构、回填机构和收集存储机构，伸缩管一端安装在开采平台上并与收集存储机构连通，另一端对接连通管片，钻孔机构安装在伸缩管内，回填注浆机构输出端位于伸缩管内且朝向管片，伸缩管能够带动管片沿轴向移动，采用伸缩管配合管片建立可燃冰储层与开采平台之间的连通关系，以伸缩管和管片作为进气管道对储层释放的气体进行引导至收集存储机构后存储，完成安全的开采过程，可抛弃式的管片注入回填材料后能够对开采区域进行良好封堵，避免储层内的残留溢出，达到安全回填和封堵的效果。
一种海上可燃采挖回填装置方法

[发明专利]一种基于多阻态忆阻器的电流型神经网络-CN201910726323.1有效
发明人：肖建;张粮;张健;王宇;童祎;郭宇锋;蔡志匡 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明针对以忆阻器作为神经网络核心器件的的特殊要求，提出一种由类脑器件忆阻器结合传统器件搭建电流型神经元电路的方法，能够模拟实现前向的神经网络运算，采用由忆阻器件和MOS管为核心的1T1R权重模式，极大地减少了神经网络运算中所耗费的片上资源，结合其他类的电子器件诸如MOS管、低功耗运放、轨到轨运放技术、以及数字、模拟电路方面的原理和仿生学原理，解决了1T1R作为神经网络中核心器件所设计的信号输入、权值网络、电流等效加法器求和以及激活层面的的设计问题，实现正负信号的处理和神经网络层之间的传递，并搭建了相对应的突触权值矩阵模型和多层神经元网络电路。
一种基于多阻态忆阻器电流神经网络

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