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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]GaN基CMOS反相器及其制备方法-CN202310787116.3在审
发明人：孙海定;张昊宸;邢展雍 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本公开提供一种GaN基CMOS反相器的制备方法，包括：在衬底上生长GaN通道层；在GaN通道层上生长势垒层；在势垒层上生长渐变帽层，形成半导体基材结构；在中间区域对半导体基材结构进行隔离，得到左侧区域和右侧区域；分别对左侧区域和右侧区域的渐变帽层进行选择性刻蚀，得到N‑channel常关型场效应晶体管结构和P‑channel常关型场效应晶体管结构；分别在N‑channel常关型场效应晶体管结构和P‑channel常关型场效应晶体管结构上制备介质层；以及制备栅极电极、源极电极和漏极电极。同时，本公开还提供一种GaN基CMOS反相器。
gan cmos 反相器及其制备方法

[发明专利]宽光谱光电探测器及其制备方法-CN202310680477.8在审
发明人：孙海定;张昊宸;胡坤朋 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本公开提供一种宽光谱光电探测器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上生长紫外感光层；在紫外感光层上制备叉指电极结构，该叉指电极结构为非对称叉指电极结构；在制备了叉指电极结构的器件表面旋涂有机半导体材料形成有机感光层；以及在有机感光层表面旋涂有机材料形成有机封装层，得到宽光谱光电探测器。该宽光谱光电探测器能够实现深紫外光‑可见光‑近红外光的宽光谱光电响应，拓展了GaN基光电探测器的应用场景，为宽光谱光电应用如宽光谱成像、光通信等奠定了条件。
光谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]氮化镓基晶体管-CN202310678628.6在审
发明人：孙海定;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基晶体管，包括：底部结构；背势垒层，设置在底部结构上，背势垒层采用铝元素、镓元素、铟元素与氮元素组合的二元、三元或四元合金，背势垒层的铝元素组分沿背势垒层的生长方向递减，以改变氮化镓基晶体管沟道处的能带结构；沟道层，设置在背势垒层上，沟道层用于提供电流横向流通的通道；势垒层，设置在沟道层上，势垒层用于与沟道层形成异质结，通过极化效应在异质结的界面处形成二维电子气；其中，背势垒层用于限制电子在沟道层中传输，以抑制电流分散。
氮化晶体管

[发明专利]氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法-CN202310619783.0在审
发明人：孙海定;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法，氮化镓基晶体管的钝化方法包括：使用旋涂工艺将稀释的非晶氟树脂旋涂在氮化镓基晶体管的表面，以在氮化镓基晶体管的表面形成钝化层；以及通过在依次升高的阶梯温度下在依次递增的时间内，对形成钝化层的氮化镓基晶体管进行烘烤，使非晶氟树脂固定于氮化镓基晶体管的表面。
氮化晶体管以及钝化方法

[发明专利]基于斜切角衬底的晶体管及其制备方法和气体传感器-CN202110695078.X有效
发明人：孙海定;张昊宸;邢宠;杨磊;孙越;梁坤 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种基于斜切角衬底的晶体管及其制备方法和气体传感器，基于斜切角衬底的晶体管包括：衬底(1)和形成在衬底(1)上方包含有栅极感应区域的帽层(8)；其中，衬底(1)中靠近帽层(8)的面和栅极感应区域均为连续波浪形的台阶结构，台阶结构的台阶面倾斜，栅极感应区域用于气体探测。本公开的连续波浪形台阶结构，大大增加了栅极感应区域的表面粗糙度，提高了气体吸附效率。台阶结构的台阶面倾斜，增大了器件电流密度，提高了气体传感器的输出电流和灵敏度。
基于斜切衬底晶体管及其制备方法气体传感器

[发明专利]日盲紫外光电化学光探测器及其产品-CN201911205955.X有效
发明人：孙海定;汪丹浩;黄晨;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外光电化学光探测器，包括光电极，其特征在于，光电极包括衬底，还包括生长在衬底表面的p型/n型掺杂氮化镓(Gallium Nitride,简称GaN)基纳米线。另外，通过在GaN基纳米线上修饰助催化剂纳米颗粒，优化了分子的吸脱附过程，提高了光电极在溶液中的氧化还原反应速率。同时，进一步优化光电化学装置设计，改变电解质溶液环境，最终实现高响应度、灵敏度高、快速反应、经济环保、自供能(无需外加额外电能)的新型日盲紫外光电化学光探测器。本发明开创性的将氮化镓基纳米线应用于光电化学光探测器的研究中，具有十分重要的意义。
紫外光电化学探测器及其产品

[发明专利]日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法-CN201911203022.7有效
发明人：孙海定;汪丹浩;张昊宸;黄晨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法，该光探测器包括光电极，所述光电极包括衬底，还包括在所述衬底表面上形成的p型/n型掺杂氮化镓基(Gallium Nitride,简称GaN)基纳米孔阵列。另外，在GaN基纳米孔阵列上修饰助催化剂纳米颗粒作为光电极，优化了分子的吸脱附过程，提高了光电极在溶液中的氧化还原反应速率。同时，进一步优化光电化学装置设计，改变电解质溶液环境，最终实现高响应度、灵敏度高、快速反应、经济环保、自供能(无需外加额外电能)的新型日盲紫外光探测器。
紫外光电化学探测器及其制备方法

[实用新型]一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管-CN202021936515.X有效
发明人：孙海定;张昊宸;宋康;邢宠 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，所述晶体管包括：衬底、AlN缓冲层、背势垒层、多量子阱结构、GaN帽层、源电极、漏电极和栅电极，多量子阱结构为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层之间的AlN量子垒层，N≥2。本实用新型利用极化诱导掺杂，实现了异质结界面处高密度二维电子气或二维空穴气、以及铝组分渐变的AlGaN沟道层内的三维电子气或三维空穴气的结合，有利于器件的高频、大电流应用；利用背势垒实现了更有效的载流子限制作用，有效减小器件漏电，实现器件更好的关态击穿特性和开态大偏压下的电流饱和。
一种新型 algan 基多沟道场效应晶体管

[发明专利]一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管-CN202010932008.7在审
发明人：孙海定;张昊宸;宋康;邢宠 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，所述晶体管包括：衬底、AlN缓冲层、背势垒层、多量子阱结构、GaN帽层、源电极、漏电极和栅电极，多量子阱结构为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层之间的AlN量子垒层，N≥2。本发明利用极化诱导掺杂，实现了异质结界面处高密度二维电子气或二维空穴气、以及铝组分渐变的AlGaN沟道层内的三维电子气或三维空穴气的结合，有利于器件的高频、大电流应用；利用背势垒实现了更有效的载流子限制作用，有效减小器件漏电，实现器件更好的关态击穿特性和开态大偏压下的电流饱和。
一种新型 algan 基多沟道场效应晶体管

[实用新型]一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置-CN202020461884.1有效
发明人：孙海定;邢宠;许磊;张昊宸;宋康;杨磊;谢东成;刘睿晨;薛峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置。所述装置包括：依次连接的待测气体罐、气体检测腔室、尾气处理腔室；以及与气体检测腔室连接的测量电路；其中，所述气体检测腔室包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器，以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件。通过紫外光束照射AlGaN/GaN基HEMT气体传感器来提高气体传感器的灵敏度，同时也能降低气体传感器的测量阈值。
一种基于 hemt 气体传感器检测装置

[发明专利]一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置和方法-CN202010252838.5在审
发明人：孙海定;邢宠;许磊;张昊宸;宋康;谢东成;刘睿晨;薛峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于HEMT气体传感器的气体检测装置和方法。所述装置包括：依次连接的待测气体罐、气体检测腔室、尾气处理腔室；以及与气体检测腔室连接的测量电路；其中，所述气体检测腔室包括AlGaN/GaN基HEMT气体传感器，以及设置于所述气体传感器上方的紫外光束发射器件。通过紫外光束照射AlGaN/GaN基HEMT气体传感器来提高气体传感器的灵敏度，同时也能降低气体传感器的测量阈值。
一种基于 hemt 气体传感器检测装置方法

[发明专利]防波堤透浪原型观测和分离方法-CN201810299071.4在审
发明人：王晋;俞武华;柳淑学;夏艳军;李金宣;张昊宸 -专利权人：中交第二航务工程勘察设计院有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种防波堤透浪原型观测和分离方法，包括以下步骤：S1：在防波堤内侧与外侧分别设置测波仪器，所述测波仪器用于观测波浪的方向谱；S2、根据实测波浪方向谱和频谱确定波浪的方向分布；S3、根据方向谱区分不同传播方向上的波浪；S4、根据不同方向分布范围的积分，得到各方向波浪能量的大小；S5、根据防波堤外侧测点处的入射波浪方向和大小，确定防波堤的透射系数。本发明可以现场观测并分离防波堤的透射波浪，便于确定实际防波堤透浪特性，对港口工程中防波堤设计研究具有重大意义。
防波堤波浪波浪方向原型观测波浪能量传播方向港口工程频谱确定设计研究透射系数现场观测重大意义透射测点入射实测观测

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