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[发明专利]用于形成银或银合金的布线和反射层的蚀刻剂组合物-CN201410409199.3有效
发明人： 张尚勋;沈庆辅;金泰完;李昔准 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蚀刻单层膜或多层膜的蚀刻剂组合物，所述单层膜或多层膜包含银或银合金且用于薄膜晶体管的金属布线或反射层，所述蚀刻剂组合物包括：基于组合物的总重量，55％至65％重量的磷酸；2％至10％重量的硝酸；3％至10％重量的乙酸；0.1％至5％重量的钾盐；以及余量的水。
用于形成合金布线反射层蚀刻组合

[发明专利]用于银纳米线的蚀刻剂组合物-CN201510612281.0有效
发明人：权玟廷;沈庆辅;张尚勋 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积在柔性显示器用膜上的银纳米线的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸、乙酸和氟化合物。它可快速渗透到由于涂覆有保护涂层材料而难以进行图案化和蚀刻处理的银纳米线中，切断银纳米线，除去其导电性，因而蚀刻速率得到提高，由此它可提高蚀刻处理的效率。
用于纳米蚀刻组合

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310452645.4有效
发明人： 张尚勋;沈庆辅;李昔准 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本申请公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或包括所述单层膜和铟氧化物膜的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾；0.5～3.0wt%的有机酸；以及余量的水。
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201710033540.3在审
发明人：林玟基;权五柄;李喻珍;刘仁浩;李俊雨;朴英哲;张尚勋 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C23F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～5wt％的氯化合物，及其余为水。
用于金属蚀刻组合

[发明专利]制造有机发光显示装置的方法-CN201510082709.5有效
发明人： 张尚勋;金泰完;沈庆辅 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开制造有机发光显示装置的方法a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成有源层；d)在有源层上形成绝缘层；e)在绝缘层上形成与有源层接触的源电极和漏电极；f)在绝缘层上形成钝化层以覆盖源电极和漏电极；和g)形成与源电极和漏电极之一电气连接的有机发光元件，其中步骤a)包括形成铝、钼或银的金属层、或其层压层，用蚀刻剂组合物蚀刻金属层以形成栅电极，蚀刻剂组合物包括按重量百分比计50％至70％的磷酸、2％至15％的硝酸、5％至20％的乙酸、0.1％至5％的对甲苯磺酸和余量的水，因此，可以同时蚀刻形成栅电极和像素电极的金属层，达到优异的蚀刻效果且以提高的工艺效率制造有机发光显示装置。
制造有机发光显示装置方法

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310446528.7在审
发明人： 张尚勋;沈庆辅 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀剂组合物，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包含0.1～0.8wt%的具有羧基的杂环化合物，本发明还公开了一种形成金属图案的方法以及一种制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法。该刻蚀剂组合物可以降低银（Ag）或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的刻蚀速率，并能表现出均一的刻蚀特性而不损坏下部数据线且不产生残渣。
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]液晶显示器用粘合剂组合物及其制造和使用方法-CN201310306059.9有效
发明人： 张尚勋;金泰均;张用;金三珉 -专利权人：锦湖石油化学株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C09J175/04 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示器用粘合剂组合物及其制造和使用方法，其中，液晶显示器用粘合剂组合物包含粘合树脂和黑色颜料，涂敷于液晶显示器的液晶面板下面的一部分区域或者背光模组的一部分区域上，以将所述液晶面板和所述背光模组接合。本发明的液晶显示器用粘合剂组合物能够将液晶面板和背光模组牢固接合，使制造出的液晶显示器更加轻量化和薄型化。而且粘合剂组合物中分散有黑色颜料，阻断从背光模组放出的光渗漏到液晶显示器模块外部，从而提高液晶面板的效率。其涂敷工艺简单，涂敷后不需追加其它工艺，从而节省成本。
液晶显示器用粘合剂组合及其制造使用方法

[发明专利]刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法-CN201310445629.2在审
发明人： 张尚勋;沈庆辅;李昔准 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于液晶显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，所述刻蚀剂组合物包含硝酸、硫酸、三价铁盐和水。
刻蚀组合金属图案形成方法阵列制法

[发明专利]用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201180073121.3有效
发明人：朴英哲;李昔准;姜京敏;张尚勋 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于金属层的蚀刻液组合物，具体地，金属层包括铜和钛，该蚀刻液组合物包括过硫酸盐、含氟化合物、无机酸、环胺化合物、含氯化合物、磷酸盐和水。
用于包括金属蚀刻组合

[发明专利]蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法-CN201210359316.0在审
发明人：李昔准;权五柄;刘仁浩;张尚勋;朴英哲;李喻珍;李俊雨;金相泰;秦荣晙 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法。一种根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂包括：重量百分比含量为约0.5%至约20%的过硫酸盐；重量百分比含量为约0.01%至约2%的氟化合物；重量百分比含量为约1%至约10%的无机酸；重量百分比含量为约0.5%至约5%的环胺化合物；重量百分比含量为约0.1%至约5%的氯化合物；重量百分比含量为约0.05%至约3%的铜盐；重量百分比含量为约0.1%至约10%的有机酸或有机酸盐和水。
蚀刻使用制造显示设备方法

[发明专利]制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物-CN201210330575.0有效
发明人： 张尚勋;尹暎晋;沈庆辅 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物，所述蚀刻溶液组合物用于上述方法。所述用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物用于同时蚀刻含有所述铜金属层的数据金属层和含有所述金属氧化物层的氧化物半导体层，所述蚀刻溶液组合物依次进行所述数据金属层和所述氧化物半导体层的图案形成，以便形成半导体图案和包括数据线路、源电极和漏电极的源图案。因此，本发明的组合物有效地适用于所述制造显示设备的方法，确保改善薄膜晶体管和显示设备的制造过程中的生产率和可靠性。
制造显示设备方法蚀刻溶液组合

[发明专利]含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物-CN201210322644.3无效
发明人： 张尚勋;权五柄;沈庆辅;李智娟;刘仁浩 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物。所述组合物包括：重量百分比为5%~20%的过硫酸盐、重量百分比为1%~15%的无机酸或无机酸的盐以及形成所述组合物的余量的水，以高的蚀刻速度均匀地进行金属氧化物层的湿蚀刻，该金属氧化物层包含氧化铟、氧化锌或其混合物以及镓或氧化镓，从而简化蚀刻过程且提高生产效率。
金属氧化物蚀刻溶液组合

[发明专利]蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法-CN201210102583.X在审
发明人：郑钟铉;金善一;朴智荣;金湘甲;宋溱镐;崔新逸;权五柄;朴英哲;刘仁浩;李昔准;林玟基;张尚勋;秦荣晙 -专利权人：三星电子株式会社;东友精细化工有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。
蚀刻以及制造金属线使用薄膜晶体管方法

[发明专利]用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物-CN201180016129.6有效
发明人：林玟基;权五柄;李喻珍;刘仁浩;李俊雨;朴英哲;张尚勋 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：公开了一种用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物，基于组合物的总重量，包含：5wt％～20wt％的过硫酸盐，0.01wt％～2wt％的氟化合物，1wt％～10wt％的选自无机酸、无机酸盐及它们的混合物中的一种或多种，0.3wt％～5wt％的环状胺化合物，0.01wt％～8wt％的选自氯化合物和铜盐中的一种或多种，及其余为水。
用于金属蚀刻组合

[发明专利]用于单层钼膜的蚀刻剂组合物-CN201080040535.1有效
发明人：林玟基;张尚勋;慎蕙赢;刘仁浩 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单层钼膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括：5～25wt％的过氧化氢(H2O2)；0.5～3wt％的环胺化合物；0.5～5wt％的添加剂，所述添加剂包括选自由柠檬酸二氢钠、柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少一种；和余量水。
用于单层蚀刻组合

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