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[发明专利]一种相变存储器的写入电路和写入方法-CN201610087830.1有效
发明人：郑君华;张家璜;廖明亮;徐成宇 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种相变存储器的写入电路及方法，电路包括：操作单元、逻辑控制单元和电压调整反馈单元；操作单元根据所接收的写入操作信号向相变存储器阵列基本单元执行相应的写入操作；电压调整反馈单元选择写入操作信号相应的阈值电压与端电压进行比较，当端电压大于阈值电压时，向逻辑控制单元输出断开开关控制信号；逻辑控制单元在接收到断开开关控制信号后，控制操作单元与相变存储器阵列基本单元断开。本发明保持了相变存储器写入数据的一致性。
一种相变存储器写入电路方法

[发明专利]记忆体驱动电路-CN201510590023.7有效
发明人：简汎宇;张家璜;黄圣财;吴瑞仁 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种记忆体驱动电路于此揭露。记忆体驱动电路包含可编程电流源、参考电压产生单元及电压比较单元。可编程电流源根据第一电流输出相应的第二电流输入记忆单元，在其电流输入端产生元件电压。参考电压产生单元产生晶体电压，电压比较单元比较元件电压与晶体电压的大小后，送出控制信号以控制可编程电流源，以改变第一电流与第二电流的大小，以此控制对记忆单元设置写入电流脉冲的型态。
记忆体驱动电路

[发明专利]非挥发性存储单元以及非挥发性存储装置-CN201510433378.5有效
发明人：吴瑞仁;张家璜;黄圣财;简泛宇 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种非挥发性存储装置是以较少的晶体管数目实现电路功能并以忆阻器储存数据，因此可降低芯片面积并缩短装置启动的时间延迟及能耗。此外，在忆阻器之间配置适当的电子元件，以符合规范建议，因此上述非挥发性存储装置可有效利用芯片面积，以避免忆阻器间的空间闲置而浪费芯片面积。
挥发性存储单元以及装置

[发明专利]非挥发性记忆单元以及非挥发性记忆装置-CN201510270878.1有效
发明人：吴瑞仁;张家璜;黄圣财;简汎宇 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提出一种非挥发性记忆单元以及非挥发性记忆装置。非挥发性记忆单元包含一锁存结构、第一读写电路、第一忆阻器、第二读写电路以及第二忆阻器。第一读写电路用以控制第一忆阻器的写入操作。第二读写电路用以控制第二忆阻器的写入操作。当进行恢复操作时，利用第一忆阻器与第二忆阻器的阻值差异恢复锁存结构的数据电位。本发明的非挥发性记忆装置结合了快速记忆元件与非挥发性记忆体的优点，其即可在工作状态时高速工作，又可在断电状态时保存数据。
挥发性记忆单元以及装置

[发明专利]非挥发性记忆装置、可编程电路以及内容可定址记忆体-CN201510412644.6有效
发明人： 张家璜;吴瑞仁;黄圣财;简汎宇 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提出一种非挥发性记忆装置、可编程电路以及内容可定址记忆体。非挥发性记忆装置包含多个非挥发性记忆单元。每一非挥发性记忆单元各自包含第一开关、第一忆阻器、第二开关、第二忆阻器以及第三开关。第一开关的控制端耦接至该字符线。第一忆阻器经设定而具有第一阻值。第二开关的控制端耦接至字符线。第二忆阻器经设定而具有第二阻值。第一开关、第一忆阻器、第二开关以及第二忆阻器以交替方式串连于位线与反位线之间。第三开关用以设定第一阻值及第二阻值。本发明提出的非挥发性记忆装置具备有快速读取特性且内部数据不需动态更新。
挥发性记忆装置可编程电路以及内容定址记忆体

[发明专利]记忆体驱动电路-CN201510181486.8有效
发明人： 张家璜;简汎宇;吴瑞仁;黄圣财 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种记忆体驱动电路于此揭露。记忆体驱动电路包含电流镜电路、第一开关单元、电容性储能单元以及第二开关单元。电流镜电路用以根据第一电流输出相应的第二电流。第一开关单元用以选择性地导通电流镜电路与记忆单元，使得第二电流驱动记忆单元。电容性储能单元用以根据参考电压储能。第二开关单元用以选择性地导通电容性储能单元与记忆单元以输出第三电流，使得第三电流驱动记忆单元。本发明透过设置电容性储能单元以及开关单元的切换控制，可简单地调整驱动电流，简化了记忆体驱动电路的设计架构。
记忆体驱动电路

[发明专利]记忆体装置-CN201510266961.1有效
发明人：黄圣财;张家璜;吴瑞仁 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种记忆体装置。记忆体装置包含记忆体阵列、字符线驱动器及n个源极驱动器。记忆体阵列包含配置于多列与至少一行的多个记忆单元，配置于同一行的记忆单元电性耦接至相应的位线，配置于同一列的记忆单元电性耦接至相应的字符线，配置于所述列的记忆单元分为n个群组，n大于等于2。字符线驱动器用以选择性地致能字符线。n个源极驱动器分别耦接n个群组的记忆单元，用以输出n个源极控制信号。当n个群组中的第一群组的任一字符线被致能时，相应于第一群组以及其读写次序相邻的第二群组的源极控制信号被相应的源极驱动器控制于选择准位。透过将记忆单元分组，可节省源极驱动器的数量，并透过控制源极控制信号抑制位线上的漏电流。
记忆体装置及其驱动方法