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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN94109084.1无效
发明人：船田文明;森田达夫;田仲广久;张宏勇;高山徹 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普公司
申请日： 1994-08-10 - 公布日： 2000-07-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种有源矩阵和液晶显示器，其外围电路部分中配置有迁移率高能容许大量导通状态电流流过的ＴＦＴ，其像素部分中配置有截止状态电流小的ＴＦＴ。这些性能不同的ＴＦＴ是采用晶体生长方向平行于衬底的晶体硅薄膜构成的。就是说，令晶体生长方向与载流子流动方向之间形成的角度彼此不同从而控制载流子流动时受到的阻力进行确定ＴＦＴ的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN93105438.9无效
发明人：山崎舜平;张宏勇;鱼地秀贵;安达广树;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-04-07 - 公布日： 2000-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99120260.0无效
发明人： 张宏勇;高山彻;竹村保彦;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-05-26 - 公布日： 2000-06-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜结构,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFTS由无定形硅薄膜构成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99120259.7无效
发明人： 张宏勇;高山彻;竹村保彦;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-05-26 - 公布日： 2000-06-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜构成,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFTs由无定形硅薄膜构成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN99118536.6无效
发明人：山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2000-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。它包括半导体岛、第一和第二杂质区、沟道区、栅电极、物质添加区。其中,晶体生长由物质添加区一直延伸至第一和第二杂质区的部分才终止。它还包括至少一种导线。半导体岛包含绝缘表面上形成的结晶硅,含0.01—5原子%的氢。杂质区可以是一对n－型或P－型杂质区。沟道区没有晶粒间界。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN94103242.6无效
发明人：山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2000-06-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用控制薄膜结晶度来改进薄膜晶体管可靠性和产量的方法。该方法包含的步骤为在岛形非晶硅膜上形成栅电极，用栅电极作为掩膜注入掺杂，形成涂覆膜，它至少含有镍、铁、钴、铂和钯中的一种，以便粘附到部分杂质区域上，并且在比纯非晶硅的结晶化温度低的温度下进行热处理，以从此开始推进结晶化，并使杂质区域和沟道形成区域结晶化。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体制造工艺和半导体器件制造工艺-CN94102771.6无效
发明人：高山徹;张宏勇;山崎舜平;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-03 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在４００到６５０℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。
半导体制造工艺半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN94108851.0无效
发明人： 张宏勇;寺本聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-06-22 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：制造ＴＦＴｓ的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成ＴFＴｓ。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN93121667.2无效
发明人： 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;福永健司;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-12-04 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94119378.0无效
发明人：大谷久;宫永昭治;张宏勇;山口直明;铃木敦则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普公司
申请日： 1994-12-01 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：制造一种具有晶态硅层作为有源层的薄膜晶体管的方法，包括下述步骤安排含促进硅结晶化的催化剂与非晶硅膜相接触，在较低温度使非晶硅结晶化以及然后用激光辐照硅膜改善其结晶性。通过控制催化剂在溶液中的浓度，可控制催化剂在结晶化后的硅膜中的浓度。
制造半导体器件方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN93109877.7无效
发明人：山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-07-06 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：薄膜半导体器件，例如ＴＦＴ及其制造方法。ＴＦＴ形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如ＴＦＴ。形成主要由氮化铝组成第１涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第２涂层，其上可制作半导体器件。
形成半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN93118309.X无效
发明人：山崎舜平;张宏勇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-08-27 - 公布日： 2000-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括以ＴＥＯＳ作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。
制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN94103241.8无效
发明人：山崎舜平;竹村保彦;张宏勇;高山彻;鱼地秀贵 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-02-15 - 公布日： 2000-05-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。
制造半导体器件方法

[发明专利]绝缘栅薄膜晶体管-CN93104560.6有效
发明人：山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1993-03-27 - 公布日： 2000-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管，具有一个表面经过阳极氧化的金属栅，一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化，用金属材料覆盖栅电极的特定部分，然后仅将金属材料及其氧化物一起除去，形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外，在栅电极和栅绝缘膜之间，或在基片和基片上的层之间，形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层，以防止过刻蚀，并改进元件的平整度。另外，在无“接触孔”的概念下形成接触。
绝缘薄膜晶体管

[实用新型]鼠标垫-CN98240527.8无效
发明人： 张宏勇 -专利权人： 张宏勇
申请日： 1998-09-24 - 公布日： 2000-01-05 - 主分类号： G06F3/033 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鼠标垫,包括一块塑胶板,其特征在于,所述塑胶板的上表面均布有许多凸钉,所述凸钉的长、宽、高均在0.5至5毫米之间,两相邻凸钉之间的间距也在0.5至5毫米之间。这种鼠标垫,使得鼠标移动灵活,灵敏度高,同时还具有清洁卫生、使用寿命长的优点。
鼠标垫

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