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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装-CN202211174591.5在审
发明人：金庸镐;张宇镇;安正勋;崔允基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装，其包括：第一芯片基板，包括第一表面和第二表面；贯通通路，穿过第一芯片基板；上钝化层，在第一芯片基板的第二表面上包括沟槽，沟槽暴露第一芯片基板的第二表面的至少一部分；上焊盘，在沟槽上与贯通通路电连接；第二芯片基板，包括第三表面和第四表面；下焊盘，在第二芯片基板的第三表面上电连接到第二芯片基板；以及连接凸块，将上焊盘与下焊盘电连接并接触下焊盘，其中随着连接凸块变得更远离第一芯片基板的第二表面，连接凸块的宽度增加。
半导体封装

[发明专利]半导体装置-CN202210089512.4在审
发明人：洪元赫;李義福;金洛焕;张宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的晶体管；第一金属层，其在晶体管上，并且包括电连接至晶体管的下布线；以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线，并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括：穿通件部分，位于穿通孔中，并且联接至下布线；以及阻挡件部分，其从穿通件部分竖直地延伸，以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。
半导体装置

[发明专利]其中具有改善的接触插塞结构的集成电路器件-CN202111570986.2在审
发明人：汉元奎;李明秀;金洛焕;张宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的第一电绝缘层。提供导电的接触插塞，其至少部分地延伸穿过第一电绝缘层。接触插塞包括突起，该突起具有相对于第一电绝缘层的与接触插塞相邻延伸的部分的顶表面与衬底间隔更远的顶表面。导电线提供有在突起的第一部分上延伸的末端。提供第二电绝缘层，其在突起的第二部分上以及在第一电绝缘层上延伸。第二电绝缘层具有侧壁，该侧壁与导电线的末端的侧壁相对地延伸。
其中具有改善接触结构集成电路器件

[发明专利]带隙参考电压产生电路和带隙参考电压产生系统-CN201810986632.8有效
发明人： 张宇镇;吴承贤;李宗祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种带隙参考电压产生系统和一种带隙参考电压产生电路。所述带隙参考电压产生系统包括共模电压产生器、带隙参考电压产生电路和开关控制器。带隙参考电压产生电路包括多个晶体管，所述多个晶体管的源极端子分别连接至多个PMOS晶体管的漏极端子。开关控制器在第一模式下将地电压提供至带隙参考电压产生电路并在第二模式下将共模电压提供至带隙参考电压产生电路。带隙参考电压产生电路通过在第一模式下将地电压提供至所述多个晶体管的栅电极而使得所述多个晶体管在线性区中操作，并通过在第二模式下将共模电压提供至所述多个晶体管的栅电极带隙参考电压产生电路使得所述多个晶体管在饱和区中操作。
参考电压产生电路系统

[发明专利]模数转换器-CN202010935608.9在审
发明人： 张宇镇;林湧;吴承贤;李在训 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H03M1/46 文献下载
摘要：公开一种模数转换器。所述模数转换器包括：比较器，被配置为：将输入信号与参考信号进行比较，并且输出指示相应的比较结果的比较信号；控制逻辑，被配置为基于比较信号输出用于调节参考信号的控制信号；以及参考信号调节电路，被配置为基于控制信号来调节参考信号。比较器包括：第一前置放大器，被配置为：使用具有第一尺寸的第一晶体管对输入信号与参考信号之间的差进行放大；第二前置放大器，被配置为：使用具有与第一尺寸不同的第二尺寸的第二晶体管对输入信号与参考信号之间的差进行放大；以及锁存器，被配置为：使用第一前置放大器的输出和第二前置放大器的输出中的至少一个来生成比较信号。第一前置放大器和第二前置放大器共享锁存器。
转换器

[发明专利]参考电压电路、终端装置及其操作方法-CN201810150960.4有效
发明人：吴承贤;张宇镇;李宗祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明提供一种参考电压电路、终端装置及其操作方法。所述参考电压电路包括：第一电流偏置电路，包括第一节点；第二电流偏置电路，包括多个NMOS晶体管及第二节点；以及放大器，被配置成输出参考电压，所述参考电压具有与所述第二电压相同的值。所述多个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管连接到所述第一节点，且所述多个NMOS晶体管连接到所述第二节点且被配置成基于所述第一节点的第一电压来执行亚阈值操作以在所述第二节点处产生第二电压。
参考电压电路终端装置及其操作方法

[发明专利]污染物检测装置和方法-CN201580075399.2在审
发明人： S.古纳塞卡兰;张宇镇;杨江;R.西尼瓦桑 -专利权人： UWM研究基金会有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：一种用于测定pH水平和污染物浓度的装置包括电连接到控制单元的电极组合件。电极组合件包括电连接到参比电极的第一触点、电连接到工作电极的第二触点和电连接到对电极的第三触点。可使工作电极改性，以包括半胱氨酸官能化氧化石墨烯与聚吡咯纳米复合物。在操作中，控制单元可通过第二触点对工作电极施加复合信号，以使污染物离子从流体样品附着到工作电极，随后溶出。在此过程期间，可跨参比电极和对电极测量电流，以测定污染物离子浓度。通过跨参比电极和对电极测量的电流，也可测定流体样品的pH。在一些实例中，可用pH校准污染物离子的测定水平。
污染物检测装置方法

[发明专利]测量前导和判定有效睡眠期间的无线宽带移动终端及其方法-CN200680049972.3无效
发明人： 张宇镇 -专利权人：株式会社泛泰
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H04B7/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种无线宽带因特网(WiBro)终端及判定无线宽带终端的睡眠模式的方法，其能测量前导信号的强度且能判定有效的睡眠间隔。更具体的说，提供了一种无线宽带终端，其在N1帧中睡眠模式操作后能在L帧中用听取模式来测量前导信号的强度，和在N1或2*N1帧中用睡眠模式来操作，或当将上述强度与阈值相比较的结果，移动运行指示(MOB_TRF_IND)是正数的时候执行正常的操作。
测量前导判定有效睡眠期间无线宽带移动终端及其方法

[发明专利]用于测试半导体封装的装置和方法-CN200710136270.5无效
发明人：宋允圭;张宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种用于测试半导体封装的测试座，所述测试座包括两个或更多的橡胶件。每个橡胶件包括芯片－封装接触部分和电线，芯片－封装接触部分被构造为与放置在橡胶件上的芯片封装电连接，电线被构造为与芯片－封装接触部分电连接并包括外部接触端，外部接触端被构造为与外部电连接部分电连接。测试座还包括：两个或更多的导向件，被构造为在其中容纳所述芯片封装，两个或更多的导向件，包括具有外部接触端的电线，电线的外部接触端被构造为与外部电连接部分电连接；测试座框架，被构造为容纳两个或更多的橡胶件和两个或更多的导向件，其中，橡胶件在数量上与导向件对应，橡胶件和导向件交替地层叠，使得在测试座框架的容纳空间中，一个橡胶件位于最下部。
用于测试半导体封装装置方法

[发明专利]形成T或伽玛形电极的方法-CN200610064335.5有效
发明人：安浩均;林钟元;文载京;张宇镇;池弘九;金海天 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。
形成伽玛形电极方法

[发明专利]场效应晶体管及其制造方法-CN200610107592.2无效
发明人：安浩均;林钟元;文载京;池弘九;张宇镇;金海天 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有T或Γ形状精细栅电极的场效应晶体管，其头部比根部宽，以及一种所述场效应晶体管的制造方法。使用具有不同蚀刻率的多层结构的绝缘层在所述栅电极的头部和半导体基底之间形成空腔。由于通过所述空腔减小了所述栅电极和半导体基底之间的寄生电容，所以所述栅电极的头部可以制得大，从而可以减小栅电阻。另外，由于可以通过调整所述绝缘层的厚度而调整所述栅电极的高度，所以可以改善器件的性能以及工艺的一致性和可重复性。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]使用接收机分集在异步WCDMA系统中获取码群的方法和装置-CN200510121774.0有效
发明人： 张宇镇;李洪雨 -专利权人：株式会社泛泰;SK电信有限公司
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H04B1/707 文献下载
摘要：这里公开了一种用于在异步宽带码分多址(WCDMA)系统中获取码群的方法和装置。主同步信道搜索单元实现主同步信道时隙定时同步。接着，辅同步信道的1－1搜索单元和1－2搜索单元分别从第一和第二天线接收辅同步信道，启动在接收的信道的时隙中的一些时隙和码群候选者之间的相关操作，并把关于具有超过预定阈值的值的候选者的信息发送给确定单元，确定单元把接收到的关于候选者的信息发送给辅同步信道的第二搜索单元。辅同步信道的第二搜索单元基于所接收的关于候选者的信息计算相关特性，以及选择具有最高相关特性的码群候选者。
使用接收机分集异步 wcdma 系统获取方法装置

[发明专利]在异步宽带码分多址系统中获取码组的装置和方法-CN200510121565.6有效
发明人： 张宇镇 -专利权人： SKY电信技术有限公司
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H04B1/707 文献下载
摘要：提供了一种获取用于移动通信终端的码组从而获取用于标识基站的扰码的装置和方法。本发明将从基站发送到移动通信终端的次同步信道的码组中的时隙值的一部分与已知码组的一部分作比较，并当存在具有高于预定值的值的码组时，读取预先存储在预定存储器中的、与具有高于预定值的值的码组具有相同图案的码组。然后，本发明将所读取的码组排除在操作之外，来减少不必要的操作量。因此，为了相关性操作而比较的码组数目显著减少。与传统方法相比，本发明巧妙地利用了已知码组的特性来显著减少获取码组所需的时间。因此，避免了不必要的功耗，使得不用不必要地消耗移动通信终端的电池能量。而且，在切换情况下能够支持快速小区搜索。
异步宽带码分多址系统获取装置方法

[发明专利]毫米波放大器-CN200510113816.6无效
发明人： 张宇镇;池弘九;林钟元;安浩均 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本申请提供一种用于无线通信系统的毫米波放大器。该毫米波放大器包括用于放大射频(RF)信号的晶体管、用于匹配经过输入端到晶体管的RF信号的输入匹配电路、为晶体管提供偏置电压的偏压提供单元、用于发送经过晶体管放大的RF信号到输出端的输出匹配电路以及直流(DC)模块和RF匹配器，其中包括排列成具有电容量的第一带线和第二带线，并各自连接在输入端和输入匹配电路之间以及在输出电路和输出端之间。由金属带线构成的DC模块和RF匹配器具有一致的电容量和不受绝缘厚度影响的高稳定性。
毫米波放大器

[发明专利]包括混合金凸点的微电子器件芯片及其封装、应用和制造-CN200510103919.4无效
发明人：朴炯建;张宇镇;金荣浩;文泰成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及包括混合金凸点的微电子器件芯片及其封装、应用和制造。本发明提供一种包括混合Au凸点的微电子器件芯片，其中在电芯片筛选(EDS)测试中在探针尖处不产生异物。该微电子器件芯片包括芯片焊盘，其连接到形成在衬底上的微电子器件，其上的微电子器件与芯片外部电接触。另外，微电子器件芯片包括形成在芯片焊盘上、由包括两层或更多层的复合层构成的凸点。
包括混合金凸点微电子器件芯片及其封装应用制造

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