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[实用新型]地下铲运机加固型转向油缸支座-CN202320987574.7有效
发明人： 张子敏 -专利权人：山东金岭矿业股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B62D5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地下铲运机加固型转向油缸支座，其属于矿山机械技术领域。它解决了现有技术中传统转向油缸支座存在的转向油缸支座变形、断裂或螺栓松动的缺陷。其主体结构包括耳板、连接板、转向销轴和两个墙板固定座，所述耳板穿过连接板上的通孔后与连接板焊接连接，耳板上设置有用于安装转向销轴的钢套，两个墙板固定座分别通过紧固件安装在连接板的两侧下端，转向油缸通过转向销轴与耳板连接。本实用新型主要用于矿山机械上。
地下铲运机加固转向支座

[发明专利]p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310202138.9有效
发明人： 张子敏;钱振华;张艳旺;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，该p‑GaN高电子迁移率晶体管包括：基础结构、P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区；P型氮化镓区和外延P型氮化镓区均处于基础结构上表面；各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接；基础结构顶部还设置有电极结构。由于本发明在基础结构顶部设置有P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区，并各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接，相比于现有的，本发明采用多个P型氮化镓区，将耗尽区引入的负电荷进行延伸，等效地在表面引入所需的负电荷，进而提高击穿电压的效果。
gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种电池保护装置、电池组件及终端-CN202110395248.2有效
发明人：宋利军;张子敏 -专利权人：西安稳先半导体科技有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本申请实施例第一方面提供了一种电池保护装置，包括：电池保护模块；开关管芯片，其包括主开关单元和检测开关单元，主开关单元包括用于与电池负极连接的第一主连接端、用于与负载连接的第二主连接端、与开关控制端连接的主控制端；所述检测开关单元包括第一检测连接端、第二检测连接端和与开关控制端连接的检测控制端，其中，所述第一检测连接端与主开关单元电连接，所述第二检测连接端与所述第一参考输出端电连接；其中，所述第二主连接端还与所述电流采样端电连接，所述过流保护单元比较电流采样端的电压与所述第一参考输出端的电压以判断流过所述主开关单元的电流是否异常。本申请还提供一种电池组件及终端。本申请的优点为：降低成本，安全、精度高，稳定。
一种电池保护装置组件终端

[实用新型]双循环双控制加热电淋浴器装置-CN202320137232.6有效
发明人：马金宝;陈进;杜锁乾;张子敏;于启鹏;康怀峥 -专利权人：山东金岭矿业股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F24H1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双循环双控制加热电淋浴器装置，属于矿井通风淋浴技术领域。包括空压机组、取水池和浴室蓄水箱，空压机组内部散热处设置散热管道，取水池通过管道连通空压机组内部散热管道，散热管道通过送水路连通浴室蓄水箱，浴室蓄水箱设置加热循环回路；浴室蓄水箱设置回水路连通取水池与空压机组之间管路。本实用新型提供一种双循环双控制加热电淋浴器装置，在先前改造的基础上增加回水路，既能减少热水器电能的损失，又能保证空压机组余热的充分利用。
双循环控制热电淋浴器装置

[实用新型]矿井通风巷道易开防挤夹电动门装置-CN202320059144.9有效
发明人：马金宝;陈进;王坤利;杜锁乾;张子敏;于启鹏 -专利权人：山东金岭矿业股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E21F1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种矿井通风巷道易开防挤夹电动门装置，属于矿井施工技术领域。包括倾斜布置的两扇风门，两扇风门关闭后形成夹角β，β角度为80°‑160°，风门一端铰接设置在矿井巷道两边固定的立柱上，风门上部设置起闭装置。本实用新型提供一种矿井通风巷道易开防挤夹电动门装置，倾斜设置的风门，减少风压的正面冲击，使风门在实际操作中容易开启和关闭。
矿井通风巷道易开防挤夹电动门装置

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211689128.4有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括：电极结构和交错鳍式屏蔽栅，各电极结构包括：栅极、氧化层、屏蔽栅；栅极设置于屏蔽栅的上方；栅极和屏蔽栅之间设有氧化层；交错鳍式屏蔽栅设置于相邻的电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离。本发明将交错鳍式屏蔽栅设置于包括栅极、氧化层和屏蔽栅的相邻电极结构之间，处于相邻两个电极结构之间的交错鳍式屏蔽栅之间存在预设距离，从而通过增加交错鳍式屏蔽栅之间的预设距离可以解决现有技术中屏蔽栅场效应晶体管带来的更低电容的同时会伴随着较高的电压震荡的技术问题。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211576163.5有效
发明人：钱振华;康子楠;陈霞;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括基本单元、屏蔽栅沟槽以及源极接触层；相邻的基本单元之间接触设置；基本单元内设有多个屏蔽栅沟槽；源极接触层设置于相邻的屏蔽栅沟槽之间，且设置方向与屏蔽栅沟槽的方向相同；设置在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同。本发明通过在不同的基本单元中的屏蔽栅沟槽的方向不同，避免了现有的SGT的条形沟槽在一个方向上延伸，减轻了材料之间积累较大应力所导致的晶圆出现翘曲的现象，提高了芯片性能。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]分段屏蔽栅场效应晶体管-CN202310086711.4有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种分段屏蔽栅场效应晶体管，该分段屏蔽栅场效应晶体管包括预设数目的电极结构，各电极结构均包括屏蔽栅、第一源极接触层、凹槽栅极、栅极沟槽以及横向栅极；屏蔽栅通过凹槽分段设置，且在各段屏蔽栅上方均设有第一源极接触层；在相邻的电极结构之间，各凹槽交错设置；凹槽栅极位于交错设置的凹槽中；栅极沟槽设于各相邻的电极结构之间；栅极沟槽与交错设置的凹槽栅极接触，且与屏蔽栅的方向垂直；横向栅极设置于栅极沟槽中。本发明通过在分段设置的屏蔽栅的各段上方均设有第一源极接触层，降低了寄生电阻，提高了屏蔽栅电位的均匀性，有效改善了雪崩能力。
分段屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202310024069.7有效
发明人：钱振华;张艳旺;康子楠;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，该屏蔽栅场效应晶体管包括：第一预设数目且周期性分布的基本单元，且相邻的各基本单元之间设置有复合耗尽层单元及电流吸收单元，基本单元包括：栅极、屏蔽栅和屏蔽栅接触孔；栅极设置于屏蔽栅四周；屏蔽栅上设有屏蔽栅接触孔。不同于现有的屏蔽栅场效应晶体管将栅极设置在屏蔽栅上方的设置方式，本发明将栅极设置在屏蔽栅四周，因此屏蔽栅上方可单独引出屏蔽栅接触孔，从而可以消除屏蔽栅寄生电阻改善电位均匀性，避免雪崩发生时产生电流集中，同时，设置的复合耗尽层单元及电流吸收单元可以改变击穿点位置及电流路径，抑制寄生晶体管开启，从而提高器件雪崩能力。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管-CN202211653461.X在审
发明人：钱振华;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管，屏蔽栅场效应晶体管包括一定数目的电极结构，一定数目的电极结构中存在第一电极结构，第一电极结构包括：栅极、氧化层和P型辅助耗尽层；栅极设置于P型辅助耗尽层的上方；栅极被氧化层包围，P型辅助耗尽层与氧化层相离。本发明提出的屏蔽栅场效应晶体管中将部分屏蔽栅去除，并在深槽间区域引入了P型辅助耗尽层进行电荷平衡效应的补偿，实现了缓变的耗尽效果，从而使屏蔽栅场效应晶体管具备缓变的输出电容，改善了屏蔽栅场效应晶体管输出电容的非线性程度，降低了屏蔽栅场效应晶体管在实际应用中产生的电压震荡和电磁干扰，提高了屏蔽栅场效应晶体管的性能。
屏蔽场效应晶体管

[发明专利]复合屏蔽栅场效应晶体管-CN202310024068.2有效
发明人：钱振华;康子楠;张艳旺;张子敏;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种复合屏蔽栅场效应晶体管，该复合屏蔽栅场效应晶体管包括：一定数目的电极结构，各电极结构均包括：栅极、屏蔽栅和第一源极接触层；屏蔽栅通过凹槽分段设置；栅极设置在屏蔽栅上方；第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，栅极包括设置在凹槽内的凹槽端以及凹槽外的第一侧端和第二侧端，其中，第一侧端与第二侧端均与凹槽端连接，且第一侧端和第二侧端交错设置于屏蔽栅两侧。本发明通过第一源极接触层设置在各段屏蔽栅上方，并将栅极凹槽外的第一侧端和第二侧端设置在屏蔽栅两侧，避免了传统屏蔽栅场效应晶体管由于寄生电阻效应和耦合电容效应引起栅极电压变化所导致栅极误开启的现象。
复合屏蔽场效应晶体管

[发明专利]一种沟槽栅半导体器件及其制造方法-CN202211721026.6在审
发明人：张艳旺;张子敏;钱振华;吴飞 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，沟槽栅半导体器件包括：第一衬底层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电构件、第二导电构件、源极电极；还包括两个第三掺杂区，形成在所述第一衬底层上且对应位于第二导电构件的下方，所述第三掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型，并且两个所述第三掺杂区内的电荷量之和与位于两者之间的第一衬底层内的电荷量的比值范围为0.9‑1.1。本公开提供的半导体器件改善了电场分布，提升了器件的耐压值。
一种沟槽半导体器件及其制造方法

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制造方法-CN201911409251.4有效
发明人：王宇澄;张子敏 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率MOSFET器件，它包括衬底层、外延层、第一U形氧化硅层、第二U形氧化硅层、第一源极多晶硅、第一U形氮化硅、第三多晶硅、第二源极多晶硅、第四栅极多晶硅、导电类型源极区、导电类型体区、覆盖氧化硅层、绝缘介质层、正面源极金属、正面栅极金属与背面金属。本发明通过淀积氮化硅并填充多晶硅形成隔离岛的方法，将第四栅极多晶硅分隔成左右两侧，从而减小栅极多晶硅与源极多晶硅的交叠面积，降低屏蔽栅器件的栅极与源极间的电容，解决了现有的屏蔽栅功率器件存在的开关损耗较高、器件开关速度低等问题。
屏蔽功率 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种工程监理用道路坡度检测装置-CN202110579069.4有效
发明人：刘生锋;郑继东;张子敏;张松菊;李树方;庞佳妮 -专利权人：上海弘渊工程监理有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01C9/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种工程监理用道路坡度检测装置，涉及工程监理检测装置技术领域，其包括底座和设置在底座上的检测机构，所述底座的下方设置有移动轮，所述底座的下方设置有若干个连接杆，所述连接杆远离底座方向的一端固定设置有吸盘，所述吸盘的外侧壁上连通设置有吸管，所述吸管共同连接有气泵，所述气泵固定安装在底座上，所述底座上设置有伸缩机构，所述伸缩机构与连接杆相连，所述伸缩机构用于驱动连接杆向远离底座的方向或靠近底座的方向进行伸缩。本申请具有减少底座在检测时发生晃动的现象，提高装置检测精确度的效果。
一种工程监理道路坡度检测装置

[发明专利]一种工程监理用墙面渗漏检测装置-CN202110580770.8有效
发明人：李树方;郑继东;庞佳妮;张子敏;张松菊;刘生锋 -专利权人：上海弘渊工程监理有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01M3/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种工程监理用墙面渗漏检测装置，其包括机体，所述机体外侧壁设置有控制件，所述控制件包括承接板、操作方柱、延伸筒、定位丝杆和外接板；所述承接板外侧壁贯穿设置有用于限定机体位置的槽型孔，所述承接板与机体共同设置有定位件；所述操作方柱设置于承接板外侧壁，所述操作方柱外侧壁设置有多个与定位丝杆螺纹适配的锁止槽，所有所述锁止槽沿操作方柱的长度方向间隔分布；所述延伸筒靠近操作方柱方向的一端套设于操作方柱外部，所述外接板设置于定位丝杆外侧壁，所述定位丝杆用于固定连接延伸筒与操作方柱。本申请具有便于操作人员通过检测设备以检测墙体较高位置处的渗漏情况的效果。
一种工程监理墙面渗漏检测装置

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