专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多芯插入式连接器的连接结构-CN201610343059.X有效
  • 张冬明;高昱;罗会雄 - 苏州丰年科技股份有限公司
  • 2016-05-23 - 2019-07-05 - H01R9/03
  • 本发明公开了一种多芯插入式连接器的连接结构,包括连接部分和接触部分,其特征在于:所述连接部分上设有与待插入线缆芯数相配合的若干个连接孔位,所述接触部分为嵌入每一个所述连接孔位内的连接柱构成,每一所述连接柱包括外层的绝缘层及内层的导电层,所述连接柱上设有一轴向布置的插入口及一径向布置的锁紧口,所述插入口对应连接器的对接口,所述锁紧口位于所述连接柱的侧面,所述锁紧口内设有锁紧件,该锁紧件的端部抵于所述待插入线缆的导电端子上。本发明连接孔位布局新颖,成型性能良好,且易于多种导电端子的装配,适应性好。
  • 一种插入连接器连接结构
  • [发明专利]一种降低变容器最小电容的方法-CN201610766363.5有效
  • 卢海峰;张冬明;刘巍 - 上海华力微电子有限公司
  • 2016-08-30 - 2019-05-31 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种降低变容器最小电容的方法,包括:进行浅沟槽隔离制作,形成有源区;利用第一光刻胶图案,对核心NMOS区域和输入输出NMOS区域进行阱注入形成P型阱;利用第二光刻胶图案,对核心NMOS区域和变容器区域执行离子注入;利用第三光刻胶图案,在变容器区域通过注入形成N型阱;制作栅极氧化层并淀积栅极多晶硅,而且进行栅极多晶硅的光刻和刻蚀以形成栅极;将刻蚀后的栅极多晶硅和栅极氧化层进行修复氧化;制作栅极侧墙;进行源漏注入以形成源漏极。
  • 一种降低容器最小电容方法
  • [发明专利]解密方法和移动终端-CN201410491631.8有效
  • 张冬明 - 中兴通讯股份有限公司
  • 2014-09-23 - 2019-05-24 - H04M1/725
  • 本发明提供了一种解密方法和移动终端。涉及通信领域;解决了移动终端会话安全性的问题。该方法包括:对当前会话的会话记录的信息中包含的密文进行解密,得到所述密文相应的明文;以所述明文代替所述密文显示。本发明提供的技术方案适用于通信软件,实现了在一对一会话或多人会话场景下对被加密的信息批量解密。
  • 解密方法移动终端

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