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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110003654.X有效
发明人：黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和延伸到第二源极/漏极结构的第二沟槽。导电层在沟槽中沉积和图案化以形成到第一源极/漏极结构的导电通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310207934.1在审
发明人：范韵如;苏焕杰;谌俊元;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括半导体纳米结构的堆叠件、包裹半导体纳米结构的栅极结构、邻接栅极结构和堆叠件的源极/漏极区域、位于源极/漏极区域上的接触结构、位于堆叠件下方的背侧介电层以及从接触结构延伸至背侧介电层的顶面的通孔结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110407791.X有效
发明人：彭士玮;林威呈;庄正吉;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成电路包括具有前侧和背侧的条结构。栅极结构位于条结构的前侧上。该集成电路包括位于条结构的前侧之上的多个沟道层，其中多个沟道层中的每个包围在栅极结构内。隔离结构围绕条结构。集成电路包括位于隔离结构中的背侧通孔。外延结构位于条结构的前侧上。集成电路包括位于外延结构上方的接触件。接触件具有位于外延结构的第一侧上的第一部分。接触件的第一部分延伸至隔离结构中并且接触背侧通孔。该集成电路包括位于条结构的背侧上并且接触背侧通孔的背侧电源轨。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011635419.6有效
发明人：黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种形成半导体结构的方法包括提供一种结构，具有衬底、鳍部、源极/漏极(S/D)部件、与鳍部的侧壁相邻的隔离结构、在第一介电层上并且连接S/D部件的一个或多个沟道层以及接合一个或多个沟道层的栅极结构。方法还包括从结构的背面减薄结构直到鳍部被暴露以及选择性地蚀刻鳍部以形成沟槽，沟槽暴露S/D部件的表面、第一介电层和隔离结构。方法还包括在S/D部件上形成硅化物部件以及在硅化物部件上但不在第一介电层和隔离结构的表面上沉积抑制剂，在隔离结构和第一介电层的表面上但不在抑制剂上沉积介电衬垫层，以及选择性地去除抑制剂。本发明的实施例还提供了一种半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310033252.3在审
发明人： 庄正吉;游力蓁;苏焕杰;谌俊元;黄麟淯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：根据本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件结构，包括第一介电层。第一多个纳米结构设置在第一介电层上，第一多个纳米结构彼此重叠。第一源极/漏极区域横向地邻近第一多个纳米结构的第一侧设置。第二介电层在第一源极/漏极区域的第一侧上。正面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的与第一侧相对的第二侧上，并且背面源极/漏极接触件设置在第一源极/漏极区域的第一侧上。背面源极/漏极接触件延伸穿过第二介电层。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210943763.4在审
发明人：王圣璁;张家豪;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置。其导电结构的高度减少且宽度增加。具体而言，牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层用于形成电阻减少的导电结构。在形成导电结构之后，移除牺牲自对准接点层与牺牲金属接点蚀刻停止层，并置换成低介电常数的材料以减少装置中的电容。如此一来，可改善装置效能。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210886636.5在审
发明人：王圣璁;黄麟淯;庄正吉;王菘豊;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板；栅极结构，包绕纳米结构半导体通道的垂直堆叠；源极/漏极，邻接垂直堆叠并接触纳米结构半导体通道；以及栅极导孔，接触栅极结构，包括：金属衬层，具有第一流动性；以及金属填充层，具有第二流动性，第二流动性大于第一流动性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210831591.1在审
发明人：苏焕杰;游家权;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，用于制造含有自对准气体间隔物的集成电路装置，包括形成虚置栅极、形成侧壁于虚置栅极上、形成虚置层于侧壁上、形成栅极结构于侧壁所定义的开口中、移除第一虚置层的至少一部分以形成第一凹陷于侧壁层与虚置栅极之间，以及盖住第一凹陷以形成第一气体间隔物。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210785513.2在审
发明人：谌俊元;苏焕杰;游力蓁;张罗衡;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的第一纳米结构和第二纳米结构。半导体结构还包括栅极结构，栅极结构包括包裹环绕第一纳米结构的第一部分和包裹环绕第二纳米结构的第二部分。半导体结构还包括夹在栅极结构的第一部分和第二部分之间的介电部件。此外，介电部件包括底部和在底部上方的顶部，并且介电部件的顶部包括壳层和由壳层围绕的芯部。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210815000.1在审
发明人：黄麟淯;游力蓁;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括位于鳍上方的第一栅极结构和第二栅极结构、夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的介电切割图案以及围绕介电切割图案的衬垫层。介电切割图案与鳍间隔开，并且距衬底比第一栅极结构的第一栅电极和第二栅极结构的第二栅电极延伸地更远。该半导体器件还包括夹在第一栅极结构和第二栅极结构之间的导电部件。导电部件由介电切割图案划分为第一段和第二段。导电部件的第一段位于鳍的源极/漏极区域之上。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210665495.4在审
发明人：苏焕杰;林志昌;游力蓁;谌俊元;张罗衡;庄正吉;王志豪;黄麟淯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构。半导体结构包括环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠件、环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠件、介于第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件之间的栅极隔离结构、邻接第一纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二纳米结构的第二源极/漏极部件、以及介于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的源极/漏极间隔件结构。栅极隔离结构覆盖源极/漏极间隔件结构的侧壁。本发明的实施例还提供了一种形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210685849.1在审
发明人：邱士权;张罗衡;苏焕杰;庄正吉;范韵如;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、栅极结构、源极/漏极区域、第一硅化物层、第二硅化物层和接触件。栅极结构包裹至少一个纳米结构沟道垂直堆叠件。源极/漏极区域邻接栅极结构。第一硅化物层包括位于源极/漏极区域上的第一金属组分。第二硅化物层包括与第一金属组分不同的第二金属组分，并且位于第一硅化物层上。接触件位于第二硅化物层上。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210529923.0在审
发明人：邱士权;苏焕杰;王培宇;庄正吉;谌俊元;游力蓁;张家豪;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括一外延区域，具有前侧及背侧。半导体结构包括一非晶质层，形成于外延区域的背侧，其中非晶质层包括硅。半导体结构包括一第一硅化物层，形成于非晶质层上。半导体结构包括一第一金属接点，形成于第一硅化物层上。
半导体结构

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202210056896.X在审
发明人：黄麟淯;王圣璁;游力蓁;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括形成在衬底上方的鳍结构和形成在鳍结构上方的栅极结构。半导体器件结构包括邻近栅极结构形成的第一源极/漏极(S/D)结构，以及形成在第一S/D结构上方的第一S/D接触结构。半导体器件结构包括形成在第一S/D结构上方的第一填充层，并且第一S/D接触结构由第一填充层围绕。半导体器件结构包括邻近栅极结构和第一填充层形成的介电层，且介电层与第一填充层由不同的材料制成。第一填充层由介电层围绕。本申请的实施例还涉及形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210430533.8在审
发明人：饶孟桓;黄麟淯;王圣璁;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板和包绕至少一个垂直堆叠纳米结构通道的栅极结构。此装置包括邻接栅极结构的源极/漏极区和源极/漏极区上方的源极/漏极接触件。此装置包括蚀刻停止层，横向位于源极/漏极接触件与栅极结构之间，并具有与源极/漏极接触件接触的第一侧壁及相反于第一侧壁的第二侧壁。此装置包括源极/漏极接触隔离结构，埋设于源极/漏极接触件，并具有与蚀刻停止层的第二侧壁大抵共平面的第三侧壁。
半导体装置

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