专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]可平衡感应电感及分布电容的共模滤波器-CN201810579754.5有效
  • 庄嘉成 - 乾坤科技股份有限公司
  • 2018-06-07 - 2023-06-06 - H03H1/00
  • 一种共模滤波器,包含一内线圈以及一外线圈。一内导线缠绕该卷芯而构成该内线圈,且该内线圈包含多个内圈。一外导线缠绕该内线圈而构成该外线圈,且该外线圈包含多个外圈及至少一跨圈。该多个外圈加上该至少一跨圈的一总和等于该多个内圈的一数量;该至少一跨圈包含该外线圈的一第N圈,该第N圈绕跨该外线圈的一第(N‑1)圈,且该第N圈相邻该外线圈的该多个外圈中的二圈;其中N是一整数,N不小于3且不大于该多个内圈的该数量。
  • 平衡感应电感分布电容滤波器
  • [发明专利]磁性组件及制造磁性组件的方法-CN201510564685.7有效
  • 庄嘉成 - 乾坤科技股份有限公司
  • 2015-09-08 - 2018-10-23 - H01F27/24
  • 本发明公开了一种磁性组件包括第一磁芯、第二磁芯、多条导线。第一磁芯包括第一绕线柱体、第一凸出部及第二凸出部。第二磁芯包括第二绕线柱体、第三凸出部及第四凸出部。第一凸出部的焊接面与第四凸出部的焊接面相邻且平行。由于第一绕线柱体的延伸方向是沿第一凸出部的焊接面延伸向上,第二绕线柱体的延伸方向是沿第四凸出部的焊接面延伸向上,且多条导线分别缠绕于第一绕线柱体或第二绕线柱体,因此可较现有技术提供更多的绕线空间。
  • 磁性组件制造方法
  • [发明专利]复合磁性元件-CN201510546599.3有效
  • 庄嘉成 - 乾坤科技股份有限公司
  • 2015-08-31 - 2017-09-12 - H01F27/24
  • 本发明公开一种复合磁性元件,其包含一磁通量导引单元;一第一线圈构件,其缠绕于该磁通量导引单元上,产生的一第一磁通由已缠绕完成的该第一线圈构件的一侧开口处出发沿着一第一磁路径回到该第一线圈构件的另一侧开口处;以及一第二线圈构件,其缠绕于该磁通量导引单元上,产生的一第二磁通由已缠绕完成的该第二线圈构件的一侧开口处出发沿着一第二磁路径回到该第二线圈构件的另一侧开口处,其中,沿着该第一磁路径的该第一磁通的方向与沿着该第二磁路径的该第二磁通的方向于该磁通量导引单元内部彼此正交。
  • 复合磁性元件
  • [发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构-CN201110402345.6无效
  • 庄嘉成;吴瑞北;沈泽旻 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-07-20 - 2012-09-05 - H01P3/00
  • 本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括:第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面,其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘,并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘,连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。
  • 相邻垂直共振耦合结构
  • [发明专利]滤波电路与其结构-CN200710148978.2有效
  • 庄嘉成 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-09-12 - 2009-03-18 - H01P1/203
  • 本发明关于一种滤波电路与其结构。此滤波电路包括输入端、输出端、谐振电路、第一耦合部及第二耦合部。谐振电路耦接在输入端与输出端之间,并包括M个依序排列的谐振器,藉由相邻谐振器的互相耦合,可将输入端所接收的信号经由此谐振电路传输至输出端。第一耦合与第二耦合部分别耦接至非相邻的谐振器。部分输入端接收的信号通过第一耦合部以交错耦合方式耦合至第二耦合部。藉此,可增加对邻近于操作频带的干扰信号的抑制。
  • 滤波电路与其结构
  • [发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构-CN200710137360.6有效
  • 庄嘉成;吴瑞北;沈泽旻 - 财团法人工业技术研究院
  • 2007-07-20 - 2009-01-21 - H01P3/00
  • 本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括:第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面,其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘,并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘,连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。
  • 相邻垂直共振耦合结构

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