专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有辅助翼的飞艇-CN201410198047.3无效
  • 周雷;曾尔曼;庄佩贞;叶文远;翟立新 - 上海萃智工业技术有限公司;厦门产业技术研究院
  • 2014-05-12 - 2014-08-27 - B64B1/20
  • 本发明涉及一种具有辅助翼的飞艇,包括充填有比空气轻的气体的柔性罩及连接在柔性罩下的吊舱,在柔性罩的两侧安装有控制方向并可使飞艇借助风力飞行的辅助翼,该辅助翼为鱼鳍状帆板,由呈鱼鳍状的帆面框架,敷设在帆面框架内的帆面,支撑帆面的帆面支撑架以及连接飞艇的辅助翼支架构成,所述的辅助翼支架上设有控制帆面转动、收纳或展开的转动轴。与现有技术相比,本发明利用辅助翼的捕风性能,给飞艇装上几个可以展开和收拢的鳍状结构,可以利用风力资源给飞艇提供辅助动力,或进行无动力飞行,甚至是利用风能捕捉和转换技术储存风能所转换的电能用于飞艇的照明、供热、制冷以及机械能输出需求。
  • 一种具有辅助飞艇
  • [发明专利]一种机械蓄能电池-CN201410209017.8在审
  • 周雷;曾尔曼;庄佩贞;叶文远;翟立新 - 上海萃智工业技术有限公司;厦门产业技术研究院
  • 2014-05-16 - 2014-08-13 - F03G5/04
  • 本发明涉及一种机械蓄能电池,包括支撑框架、移动轨道、滑动支架、滑轮组、传动部件、绞盘、能量输入部件、蓄能部件及能量输出部件,移动轨道固定在支撑框架上;滑动支架与移动轨道滑动连接,且滑动支架上连接蓄能部件;绞盘设在支撑框架上,且通过传动部件连接滑动支架;能量输入部件与绞盘连接,带动绞盘正方向转动,绞盘通过传动部件带动滑动支架正方向滑动,滑动支架正方向的滑动使得蓄能部件存储能量;能量输出部件与绞盘连接,蓄能部件释放能量时,带动滑动支架反方向滑动,滑动支架通过传动部件带动绞盘反方向转动,将蓄能部件释放的能量传递给能量输出部件。与现有技术相比,本发明具有结使用方便、能够随时储存或释放能量等优点。
  • 一种机械蓄能电池
  • [发明专利]LED用非极性GaN外延片的制备工艺-CN201310102763.2有效
  • 叶文远;曾尔曼;吴昊天;孙怡;庄佩贞 - 上海萃智科技发展有限公司;厦门产业技术研究院
  • 2013-03-27 - 2013-07-24 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种LED用非极性GaN外延片的制备工艺,包括步骤:(1)准备GaN、碳、硼材料;(2)把GaN、碳、硼放置在一起并发生熔融反应生产熔融物,使其在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶,并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶;(3)在生成的GaN单晶a面上,在3—15℃/cm低温的条件下梯度生长成单晶薄膜衬底,并在5—95℃/小时的速度冷却生产的GaN单晶薄膜衬底;(4)把生成的GaN单晶薄膜衬底在300—1200℃的温度范围内热处理加工,形成衬底片;(5)对衬底片进行切割;(6)对切割获得的衬底切片进行封装。此生产工艺简单,生长周期短,热导率高,晶格失配率小,可以大幅度提高产品的发光率。
  • led极性gan外延制备工艺
  • [发明专利]一种非极性a面GaN薄膜生长方法-CN201310102762.8无效
  • 叶文远;曾尔曼;吴昊天;郑黎梨;庄佩贞 - 上海萃智科技发展有限公司;厦门产业技术研究院
  • 2013-03-27 - 2013-07-24 - C30B29/38
  • 本发明公开了一种非极性a面GaN薄膜生长方法,包括如下步骤:(1)将a面6H-SiC衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中,通入氢气与氨气的混合气体,对衬底基片进行热处理,反应室的真空度小于2×10-2Torr,加热温度为900-1200℃,时间为5-10min,压力为20-760Torr;(2)在热处理后的a面6H-SiC衬底上生长厚度为100-200nm,温度为600-800℃的无应力AlInN成核层;(3)在无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm,镓源流量为5-100μmol/min,氨气流量为1000-10000sccm的高V-III比非极性a面GaN缓冲层;(4)在所述a面GaN缓冲层之上生长厚度为100-500nm,温度为600-800℃的无应力AlInN插入层;(5)在AlInN插入层之上生长厚度为2000-4000nm,镓源流量为50-200μmol/min,氨气流量为1000-3000sccm的低V-III比非极性a面GaN外延层。采用该方法能够极大地提高非极性a面GaN薄膜材料质量和表面形貌。
  • 一种极性gan薄膜生长方法

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