“广东昭信半导体装备制造有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置-CN201720210923.9有效
发明人：甘志银;沈桥 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可拆卸式化学气相沉积喷淋装置，主要由气体混合腔、喷淋板、喷淋管和可拆顶板组成，其特征在于在现有喷淋装置基础上加一层可拆卸顶板，该顶板通过热接触点与喷淋良好热传导保持可拆顶板温度与冷却后的喷淋面趋向一致。本实用新型的优点是可拆顶板可以简化现有喷淋制造工艺，降低对原喷淋面的加工要求，并可以单独卸下清洗，对提高工艺质量具有积极影响。
一种可拆卸化学沉积喷淋装置

[发明专利]基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置-CN201611191190.5在审
发明人：刘胜;严晗;甘志银;彭庆;程佳瑞;郑怀 -专利权人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，该方法包括以下步骤在半导体金刚石外延生长初期，通过MPCVD制备半导体金刚石外延薄膜；通过MPCVD制备半导体金刚石掺杂层；根据掺杂层的掺杂原子种类及其与氢原子形成的饱和化学键的键能，选择相应波长的飞秒激光，于反应腔中通过所述飞秒激光打断掺杂层中掺杂原子与氢原子形成的饱和化学键。本发明提供的这种基于飞秒激光的半导体金刚石薄膜掺杂后处理方法和装置，通过特定波长的飞秒激光作用在半导体金刚石薄膜中，打断掺杂原子与氢原子之间的饱和化学键，激活掺杂原子，从而提高掺杂层中有效载流子浓度。
基于激光半导体金刚石薄膜掺杂处理方法装置

[发明专利]一种氧化物化学气相沉积装置和方法-CN201510426252.5在审
发明人：甘志银;王亮;沈桥;刘胜 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物化学气相沉积装置和方法，主要包括载片筒、压紧环、载片筒安装环、底座、腔体外壁、加热器、中心气体管、加热器安装座、反应气体进口、反应腔流道、底部流道、中心进气口、尾气口、尾气整流孔。本发明通过流道的中心对称设计，保证反应气体流动的均匀性，提高沉积质量和均匀性，通过中心气体管向载片筒内吹扫保护气体，并与反应腔流道保持一定正压差，阻止反应腔流道的气体不流入载片筒内，保护加热器不被反应气体氧化。
一种氧化物化学沉积装置方法

[发明专利]一种基于飞秒激光辅助的半导体材料外延生长方法和装置-CN201610260299.3在审
发明人：刘胜;严晗;甘志银;陈斌;彭庆;郑怀 -专利权人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于飞秒激光辅助的半导体材料外延生长方法和装置，所述方法在半导体材料外延生长初期，通过飞秒激光在线制备图形化衬底；在半导体材料外延生长过程中，通过飞秒激光改变生长原子的动力学特性，提高生长原子的表面迁移距离，并通过飞秒激光在局部产生等离子体，可实现局部量子点定位生长；在半导体材料外延生长掺杂工艺过程中，通过飞秒激光与掺杂原子直接作用，提高掺杂原子的活性，可实现更高效率的掺杂；此外，根据飞秒激光在生长表面的吸收和反射光强和光谱，实现对半导体材料外延生长过程在线和实时检测。本发明将飞秒激光引入到半导体材料外延生长过程中，对于半导体材料外延生长质量和掺杂效率的提高具有重大意义。
一种基于激光辅助半导体材料外延生长方法装置

[发明专利]一种GaN复合衬底制备方法-CN201410722260.X在审
发明人：甘志银;刘胜;严晗;汪沛;吕强 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法高速生长氮化镓（GaN）制作复合衬底制备方法，并通过在蓝宝石衬底上生长低温和高温GaN薄膜交替层，对生长完毕的交替层进行高温热处理，随后通过高速外延生长较厚GaN薄膜，能提高晶体质量，获得低缺陷密度的GaN复合衬底。本发明提供的GaN复合衬底制备方法能够显著降低GaN外延薄膜材料的缺陷密度，提高在此基底上后续外延的蓝光LED和蓝光半导体激光器的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件的性能。
一种 gan 复合衬底制备方法

[发明专利]热壁式金属有机物化学气相沉积喷淋装置及工艺方法-CN201410689017.2在审
发明人：甘志银;刘胜 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积喷淋装置及工艺方法，主要包括喷淋、气体进口、气体输入缓冲腔、通气孔、喷淋盘、高温冷却腔和低温冷却腔等。本发明通过将高沸点喷淋冷却液加热至较高温度对喷淋进行恒温控制，提高喷淋的稳定温度，形成喷淋的热壁，以减少喷淋表面反应物气相反应的颗粒凝结沉积，避免每次生长完成后需要清洁喷淋面沉积颗粒，提高生长质量和生产效率，另外，提高喷淋的温度，缩小喷淋面和载片盘间的温度差及温度梯度，可减少自然对流，有利于层流和化学反应，并有利于提高反应效率和反应源利用效率。在喷淋顶端设置低温冷却腔，减少热壁面喷淋散失到外部空间的热量，避免热壁喷淋的高温提高环境的温度和对人员造成伤害。
热壁式金属有机物化学沉积喷淋装置工艺方法

[发明专利]输送载片盘用抓取装置-CN201410642395.5在审
发明人：许福海;王亮;王明星;甘志银 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学气相沉积设备的载片盘输送的抓取装置，主要包括底座、导杆、回转臂、机械手。本发明的输送载片盘用抓取装置，通过周向均匀吊装载片盘方式使载片盘周向受力更为均匀，保证载片盘及载片盘中的晶圆片的平稳输送，另外通过反向运用摆动导杆机构实现机械手抓取和放置动作，结构简单而可靠，较人工操作更为平稳和安全，提高生产效率。
输送载片盘用抓取装置

[发明专利]用于化学气相沉积设备的载片盘转运装置-CN201410642401.7在审
发明人：许福海;王亮;王明星;甘志银 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学气相沉积设备的载片盘转运的装置，主要包括托盘、托盘导轨、中段导轨、缓冲腔导轨、限位块。本发明以3段导轨结构的方式实现托盘点对点准确和快速地在手套箱、缓冲腔及外界之间的转运，降低操作人员隔着手套箱使用手套装载晶圆片的操作难度，同时也可以提高设备工作效率。
用于化学沉积设备载片盘转运装置

[发明专利]真空闸板阀-CN201410059546.4在审
发明人：王明星;王亮;刘宇峰 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： F16K3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种闸板阀，尤其是一种应用在高真空系统的真空闸板阀，主要包括密封腔、驱动板、平行四边形机构、闸板、驱动杆、导轨、截止板、后盖、密封圈槽、密封腔框架，驱动板和闸板相对平行，驱动板在导轨上滑动并通过平行四边形机构带动闸板移动，利用平行四边形原理实现闸板平稳运动，闸板在截止板处运动后，平行四边形机构变形对闸板施加压紧力以实现密封腔密封。本发明的优点是结构简单，平行四边形机构的运用使闸板在运动时保持平稳，以提高密封效果，尤其在大面积闸板阀应用中有效，同时通过平行四边形机构施加压紧力可以保证紧密密封；压紧杆也可以在较小的长度下实现足够的压紧力保证密封，可以使结构简单紧凑，节省空间和成本。
真空闸板

[实用新型]分区热反射板-CN201420747587.8有效
发明人：甘志银;沈桥 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分区热反射板，在多区电阻加热源的背对加热源热辐射方向的一面对每区加热电阻设置单独的热反射板，可以有效减小反射板温度差，抑制高温差引起的变形，进一步提高反射板可靠性。
分区反射

[实用新型]电阻加热器-CN201420554372.4有效
发明人：沈桥;甘志银;刘胜 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H05B3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电阻加热器，包括电阻片加热区和电阻丝加热区，电阻片加热区在电阻丝加热区内侧。本实用新型具有加热效率高和可靠性好的优点。
电阻加热器

[发明专利]半导体薄膜生长控制设备及控制半导体薄膜生长的方法-CN201110130744.1无效
发明人：甘志银;严晗;朱海科;王亮 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种控制半导体薄膜生长的设备及利用该设备控制半导体薄膜生长的方法。本发明的控制半导体薄膜生长的设备包括反应源管路和半导体薄膜生长反应腔，所述反应源管路包括多条进气管，进气管上设有阀门和流量控制器，阀门设置在贴近半导体薄膜生长反应腔的位置处。本发明的半导体薄膜生长的控制设备中用于半导体薄膜材料的制备，由于阀门距离半导体薄膜生长反应腔足够近，反应源和载气可以快速切换进入反应腔，薄膜生长可以快速停止或开始，从而实现精确控制薄膜厚度。本发明还可实现不同反应气体氛围的快速切换，减小过渡层生长，从而实现不同组分薄膜之间陡峭的生长界面，极大的改善了薄膜器件的性能。
半导体薄膜生长控制设备方法

[实用新型]一种红外加热片-CN201120032279.3有效
发明人：甘志银;胡少林;陈倩翌;严晗;王亮 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2011-01-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外加热片，包括火线电极、地线电极以及加热片主体，所述加热片主体的形状为波浪形状。本实用新型具有对高温热冲击和热循环有良好的抵抗能力，可靠性高，寿命长的优点。
一种红外加热

[发明专利]电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积-CN200910051270.4无效
发明人：甘志银;王亮;胡少林;陈倩翌;朱海科;严晗 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、石墨盘、电极，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。用该设备可以调节和控制半导体外延薄膜生长极性。本发明利用恒定或者交变的电场(或磁场)对生长中的III族氮化物材料极性程度进行调节，同时赋予掺杂原子额外能量，获得高载流子浓度的掺杂III族氮化物薄膜材料。通过引入电场和磁场提高III族氮化物外延材料掺杂效率，对样品无污染，而且成品率高，可应用在大规模生产中。
电磁场辅助金属有机物化学沉积

[发明专利]气相沉积设备反应腔的加热系统-CN200910049171.2有效
发明人：甘志银;胡少林;王亮;陈倩翌;刘胜 -专利权人： 广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：一种气相沉积设备反应腔的加热系统，包括气体A、气体B进气管道、缓冲腔、喷淋口、反应室、基座、石墨舟、加热器、排气管道，其特征在于所述加热器内的加热片位于加热片支撑盘上，其一端分别经地线电极连接柱、地线盘、地线导电支撑柱、夹具、地线电极盘与地线引出电极连接，另一端分别经火线电极连接柱、火线盘、火线导电支撑柱、夹具、火线电极盘、火线引出电极连接，加热片支撑盘、地线盘、火线盘、导电支撑柱经夹具夹持固定，隔热盘位于火线盘的下方，隔热盘的层间经连接支撑柱固定连接。本发明的优点是采用可以调节高度的多区辐射方式加热，实现快速升降温、均匀加热及温度调节，有效提高沉积物质的均匀性，从而提高了外延沉积的质量。
沉积设备反应加热系统

1
2
下一页»
尾页
共 18 条