专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110652211.3在审
  • 魏宇晨;巫丰印;谢子逸 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-06-11 - 2021-10-22 - H01L21/8234
  • 在制造半导体器件的方法中,在衬底上方形成牺牲栅极结构。牺牲栅极结构包括牺牲栅电极。在牺牲栅极结构上方形成第一介电层。在第一介电层上方形成第二介电层。平坦化第二介电层和第一介电层并且使第二介电层和第一介电层凹进,并且牺牲栅极结构的上部暴露,而牺牲栅极结构的下部嵌入在第一介电层中。在暴露的牺牲栅极结构上方和第一介电层上方形成第三介电层。在第三介电层上方形成第四介电层。平坦化第四介电层和第三介电层,并且牺牲栅电极暴露,并且第三介电层的一部分保留在凹进的第一介电层上。去除牺牲栅电极。
  • 制造半导体器件方法

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