“左文字克哉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件及半导体激光装置-CN202180044047.6在审
发明人： 左文字克哉;浅香浩 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种具有多个波导(21)的半导体激光元件(1)的制造方法，包括：第1分割工序，将形成有氮化物类半导体激光层叠构造(20)的基板(10)沿着第1方向分割而制作分割基板(3)；解理工序，将分割基板(3)沿着与第1方向正交的第2方向解理而制作半导体激光元件(5)；以及第2分割工序，将半导体激光元件(5)沿着第1方向分割而至少将该半导体激光元件(5)的较长方向的一个端部除去；解理工序包括在分割基板(3)上形成在第2方向上延伸的解理导入槽(4)的第1解理工序、以及沿着解理导入槽(4)的较长方向将分割基板(3)解理的第2解理工序；在第2分割工序中，将半导体激光元件(5)的包括解理导入槽(4)的部分除去。
半导体激光元件制造方法装置

[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法-CN201980048171.2有效
发明人： 左文字克哉;西川透 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：半导体发光装置(1)具备基体(30)、位于基体(30)上的副基台(20)和位于副基台(20)上的半导体激光器(10)，半导体激光器(10)和副基台(20)被用第1接合件(41)接合，基体(30)和副基台(20)被用第2接合件(42)接合，在副基台(20)的基体(30)侧，存在配置有衬垫(22)的第1区域(R1)和不配置衬垫(22)的第2区域(R2)，副基台(20)的第2区域(R1)的至少一部分被第2接合件(42)覆盖从而副基台(20)与基体(30)接合。
半导体发光装置制造方法

[发明专利]半导体激光装置以及半导体激光元件-CN202080015701.6在审
发明人：小野将之;左文字克哉;西川透;浅香浩;西辻充;山田和弥 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/0234 文献下载
摘要：半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜(11b)。第1电极膜(10a)第2电极膜(11b)电连接。
半导体激光装置以及元件

[发明专利]氮化物类发光元件-CN201780028564.8有效
发明人：高山彻;中谷东吾;狩野隆司;左文字克哉 -专利权人：松下半导体解决方案株式会社
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。
氮化物类发光元件

[发明专利]氮化物系发光装置-CN201880027686.X在审
发明人：高山彻;西川透;中谷东吾;左文字克哉;狩野隆司;植田慎治 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在Al
氮化物系半导体发光元件底座基板基板光导层包层多层半导体激光元件半导体激光装置量子阱活性层氮化物系发光装置依次层叠金刚石凹型对置翘曲

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201380025414.3有效
发明人： 左文字克哉;山中一彦;吉田真治;萩野裕幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-04-04 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：半导体发光装置(300)具有在表面有极性面或半极性面的氮化物半导体基板(201)上层叠氮化物半导体多层膜的氮化物半导体发光元件(310)；和搭载该元件的搭载部(311)。氮化物半导体多层膜包含电子阻挡层(204)。电子阻挡层的晶格常数小于氮化物半导体基板的晶格常数。搭载部至少具有第1搭载部基材(311a)。第1搭载部基材位于搭载氮化物半导体发光元件一侧。第1搭载部基材的热膨胀系数小于氮化物半导体多层膜的热膨胀系数。第1搭载部基材的热传导率大于氮化物半导体多层膜的热传导率。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN201180064244.0无效
发明人：萩野裕幸;左文字克哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。
半导体发光元件装置

[发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200980104444.7无效
发明人： 左文字克哉;川口真生;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
半导体激光装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置-CN01136085.2有效
发明人： 左文字克哉;高山彻;今藤修;油利正昭 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-10-08 - 公布日： 2002-05-01 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种半导体激光装置,分别在活性层4的下方设有由AlX1Ga1－x1As所构成的n型包层2,在活性层4的上方设有由(AlxGa1－x)yIn1－yP所构成的势垒高度规定用p型包层6。势垒高度规定用p型包层6比n型包层2含有更多的组成元素,势垒高度规定用p型包层6与活性层4之间的导带端的势差大于n型包层2与活性层4之间的导带端的势差。在抑制从活性层4向p型包层6的载流子溢出的同时,还通过在n型包层2上使用热传导率较高的材料抑制热饱和现象来提高光输出。提供抑制了热饱和现象的光输出较高的半导体激光装置。
半导体激光装置

1
共 9 条