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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器及其操作方法、存储器控制器和系统-CN200810085097.5有效
发明人： 川畑邦范 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了半导体存储器、存储器控制器、系统以及半导体存储器的操作方法。当存储器刷新地址计数器中所保持的主块地址与和访问请求对应的访问块地址一致时，将其计数器值传输到副刷新地址计数器。其后，副刷新地址计数器以高于主刷新地址计数器的优先级而操作，直到其计数器值达到最终值。因此，可以在彼此无干扰的情况下同时执行访问操作和刷新操作。结果，有可能在电路尺寸增加最少的情况下执行刷新操作，而没有访问效率的任何恶化。
半导体存储器及其操作方法控制器系统

[发明专利]半导体存储器、存储器控制器和半导体存储器的控制方法-CN200610087024.0有效
发明人：江渡聪;川畑邦范;三代俊哉;芹泽裕司 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于与时钟同步地输入和输出数据的半导体存储器，其包括：时钟接收单元，用于接收所述时钟；以及命令接收单元，用于最初在接通电源之后、在低功率待用之后或在初始化之后与所述时钟同步地接收第一特定命令，然后再开始命令接收。
半导体存储器控制器控制方法

[发明专利]半导体存储器-CN200480042349.6有效
发明人： 川畑邦范;大塚修三 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器。使局部区域包括沿一个方向配置的存储块中的两端的存储块。由于用于使两端的存储块动作的控制电路的一部分不被其它的存储块共用，所以将控制电路与存储块连接的开关电路可始终设定在导通状态。无需对开关电路的导通/截止控制，所以因两端的存储块的存取而引起的功耗小于其它存储块。因此，通过使局部区域包括两端的存储块，能够削减局部刷新模式中的功耗(待机电流)。
半导体存储器

[发明专利]半导体存储器以及半导体存储器的操作方法-CN200480042360.2有效
发明人： 川畑邦范;大塚修三 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G11C11/403 文献下载
摘要：向将位线连接到预充电电压线上的nMOS晶体管(预充电电路)的栅极提供位线复位信号。将位线复位信号的高电平电压在刷新操作之后的预充电操作过程中保持为第一电压，在存取操作之后的预充电操作过程中保持为第二电压。因此，在刷新操作之后的预充电操作过程中不使用第二电压，从而减小了第二电压的生成电路的消耗电流。特别是能够减小连续产生内部刷新请求的待机期间中的消耗电流(待机电流)。
半导体存储器以及操作方法

[发明专利]半导体存储装置-CN03825070.5有效
发明人：菊竹阳;伊藤成真;川畑邦范 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，其特征在于，包括用于对第一地址进行冗余的多个第一熔丝锁存电路、用于对第二地址进行冗余的多个第二熔丝锁存电路、以及用于使多个第二熔丝锁存电路无效的无效电路，与多个第一熔丝锁存电路对应的多个第一熔丝位置并不相互相邻，而是由与多个第二熔丝锁存电路对应的第二熔丝位置介于其间。
半导体存储装置

[发明专利]存储装置-CN03824185.4有效
发明人：谷口畅孝;畠山淳;池田稔美;菊竹阳;川畑邦范;竹内淳 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-11 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：存储装置具有多个存储器组(BNKA、BNKB、BNKC、BNKD)，各存储器组具有用于存储数据的多个存储单元和用于从所述多个存储单元读取数据的多个位线。多个存储器组的所有存储器组的位线等长。
存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN03823769.5有效
发明人：泷田雅人;川畑邦范 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种半导体存储装置，其特征在于，包括：被排列成多列的多个字译码器；多个字线选择移位寄存器，为了指示刷新对象的字线而与多个字译码器分别对应地设置；以及移位控制信号生成电路，提供用于指示多个字线选择移位寄存器的移位操作时刻的移位控制信号；所述移位控制信号生成电路在多列中只向作为当前刷新对象的列提供移位控制信号。
半导体存储装置

[发明专利]具有刷新地址生成电路的半导体存储器件-CN200410029435.5有效
发明人：森郁;森胜宏;山田伸一;川畑邦范;伊藤成真 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-03-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供了一种在驱动移位寄存器的控制信号时具有低功耗的半导体存储器件。该器件包含多个存储单元阵列，每一个都由预定数量行的存储单元组成。每个单元阵列都耦合一组移位寄存器，第n组移位寄存器根据给出的控制信号依次激活字线选择信号，从而刷新第n单元阵列的对应字线。每个单元阵列上还耦合了一个移位寄存器控制器。在第n单元阵列被刷新时，第n移位寄存器控制器向第n组移位寄存器提供控制信号。当对这个单元阵列的刷新完成时，第n移位寄存器控制器将控制信号转发到第(n+1)组移位寄存器，从而启动对第(n+1)组单元阵列的刷新操作。
具有刷新地址生成电路半导体存储器件

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