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[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201810365860.3有效
发明人： 川原幸三;饭田成昭;下川大辅;大村和久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供高精度地调整排出嘴与基片的间隙的基片处理装置。液体处理单元(U1)包括：保持晶片(W)的保持部(23)；从前端部(41)对保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的喷嘴(40)；使喷嘴(40)移动到晶片(W)的上方的驱动部(30)；和检测由驱动部(30)移动的喷嘴(40)的前端部(41)的状态的喷嘴传感器(60)。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN202011079362.6在审
发明人：守田聪;川原幸三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置高精度地控制旋转的基板的温度。基板处理装置包括：旋转台，其保持基板；旋转驱动部，其使所述旋转台绕旋转轴线旋转；至少一个电加热器，其设于所述旋转台；至少一个受电线圈，其设于所述旋转台，与所述电加热器电连接；至少一个供电线圈，其设置为与所述受电线圈空开间隙，能够与所述受电线圈在所述旋转轴线的方向上相面对；以及高频电源单元，其向所述供电线圈供给高频电力。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201910915948.2在审
发明人：守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市;川原幸三 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置。不给旋转台的旋转带来不良影响就能进行相对于与旋转台一起旋转的电气部件的供电、信号的收发等。具备：旋转台，保持基板并使它旋转；电气部件，设于旋转台并与它一起旋转；第1电极部，设于旋转台并与它一起旋转，第1电极部包括多个第1电极，多个第1电极经由多个第1导电线与电气部件电连接，并以分布于旋转轴线的周围的方式配置；电气设备，进行相对于电气部件的供电、信号的收发等；第2电极部，包括多个第2电极，多个第2电极经由多个第2导电线与电气设备电连接，并设置于分别能够与多个第1电极接触的位置；和电极移动机构，使第1电极部和第2电极部沿着旋转轴线的方向相对移动，而使上述电极部接触、分离。
处理装置

[发明专利]液体涂敷方法和液体涂敷装置-CN201510303242.2有效
发明人：一野克宪;石井贵幸;川原幸三;下川大辅;田代和之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实现形成于基板的表面的涂敷膜的膜厚的进一步的均匀化。液体涂敷方法进行：在晶片(W)的旋转中，一边使喷嘴(N)在晶片(W)的旋转轴与晶片(W)的周缘之间在沿晶片(W)的表面(Wa)的规定的方向上移动，一边从喷嘴(N)排出涂敷液，由此在晶片(W)的表面(Wa)螺旋状地涂敷涂敷液的步骤；晶片(W)的表面(Wa)中从喷嘴(N)排出涂敷液的排出位置越位于晶片(W)的周缘侧越减小晶片(W)的转速，由此使排出位置的线速度大致一定的步骤；基于从喷嘴(N)排出之前的涂敷液的流量使喷嘴(N)的排出口与晶片(W)的表面(Wa)的间隙变化，由此使从喷嘴(N)排出的涂敷液的排出流量为大致一定的大小的步骤。
液体方法装置

[发明专利]液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质-CN201910422709.3在审
发明人：畠山真一;一野克宪;冈泽智树;西山雄太;川原幸三;渡边圣之;饭田成昭;下川大辅;飞松武志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明对能够抑制处理液附着在喷嘴的下端面的液处理装置、液处理方法和计算机可读取的存储介质进行说明。液处理装置包括：处理液供给部，其构成为能够从位于基片的表面侧的喷嘴对表面供给处理液；引导部件，其构成为能够引导从喷嘴释放的处理液的液流；和控制部。喷嘴包括平坦的下端面，在该下端面设有用于释放处理液的释放口。控制部执行以下动作：控制处理液供给部，以使得在下端面靠近表面的状态下从释放口对表面实释放处理液的动作；和控制处理液供给部，以使得在引导部件位于释放口附近的状态下从释放口向引导部件虚释放处理液的动作。
喷嘴释放口释放处理液引导部件处理液液处理装置控制处理供给部下端面处理液供给部存储介质可读取液处理附着下端液流平坦释放计算机