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[发明专利]具有侧凹槽的垂直半导体器件-CN202210134084.2在审
发明人： 崔显炉;严俊荣;刘伟;钱中华 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明题为具有侧凹槽的垂直半导体器件。半导体器件垂直安装在诸如印刷电路板(PCB)的介质上。半导体器件包括安装成垂直堆叠而无偏移的半导体管芯的块。一旦形成和封装，可在该器件中形成侧凹槽，使该器件内的每个管芯的电导体暴露。暴露于该凹槽中的电导体安装到该介质上的电接触件，以将该半导体器件电耦接到该介质。
具有凹槽垂直半导体器件

[发明专利]堆叠的裸芯封装体的斜坡状互连体-CN202010619593.5在审
发明人： 崔显炉;严俊荣;陈治强;钱中华 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体装置封装体，包含机械支承结构，其为裸芯的堆叠体提供机械支承，其中裸芯彼此侧向地偏移。支承结构具有斜坡状表面，其设置为与机械支承结构的其他表面成非垂直且非平行的角度。电接触体设置在机械支承结构的斜坡状表面上以与堆叠的裸芯电相接，并且设置在机械支承结构的不同表面上以与衬底电相接。
堆叠封装斜坡互连

[实用新型]衬底和包含该衬底的半导体装置-CN202020450471.3有效
发明人： 崔显炉;严俊荣;狄晓峰;钱中华;钮火荣 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种衬底和包含该衬底的半导体装置。该衬底包括芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域。
衬底包含半导体装置

[发明专利]β-氧化铋/镁铝金属氧化物光催化剂及其制备和应用-CN201110367296.7有效
发明人：张青红;崔显炉;王宏志;李耀刚 -专利权人：东华大学
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种β-氧化铋/镁铝金属氧化物光催化剂及其制备和应用，其组分包括：四方相β-氧化铋和镁铝混合金属氧化物；其制备方法，包括：(1)将可溶性镁盐和溶于水中，得混合盐溶液；将可溶性碳酸盐和无机碱溶于水中，得混合碱溶液；加热下将二者混合，反应后得镁铝层状双氢氧化物；(2)将上述镁铝层状双氢氧化物煅烧得到镁铝混合金属氧化物，然后置于可溶性碳酸盐溶液中，得到还原的镁铝层状双氢氧化物；(3)将上述还原的镁铝层状双氢氧化物和五水硝酸铋混合、研磨，干燥后煅烧，即得；该光催化剂应用于染料废水的净化处理。本发明的光催化剂可见光催化活性高；本发明的制备工艺和生产设备简单，对环境友好，易于工业化生产。
氧化金属氧化物光催化剂及其制备应用

[发明专利]一种Ag₃PO₄/Mg-Al LDO可见光复合光催化剂及其制备与应用-CN201110031651.3无效
发明人：张青红;崔显炉;王宏志;李耀刚 -专利权人：东华大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ag3PO4/Mg-Al LDO可见光复合光催化剂及其制备与应用，光催化剂包括：质量比为1∶10～5∶1的Ag3PO4纳米颗粒和镁铝双金属氧化物Mg-Al LDO；制备方法包括：将共沉淀法制备得到的镁铝层状双氢氧化物分散到可溶性磷酸盐的溶液中，加入硝酸银溶液，搅拌4～24h，再经洗涤和煅烧后，得到Ag3PO4/Mg-Al LDO可见光复合光催化剂；光催化剂应用于染料废水中阴离子污染物的降解和去除。本发明保留了吸附剂本身吸附性能强的特点，同时具备了较高的可见光催化活性，在染料废水的净化处理领域具有良好的应用前景；该制备工艺和生产设备简单，对环境友好，易于工业化生产。
一种 ag sub po mg al ldo 可见光复合光催化剂及其制备应用