“崔在光”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810380938.9有效
发明人：田炅烨;郑修然;崔在光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410372950.7有效
发明人：权炳昊;金哲;金镐永;朴世廷;金明哲;姜甫京;尹普彦;崔在光;崔时荣;郑锡勋;成金重;郑熙暾;崔容准;韩智恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]化学机械抛光设备-CN201280073810.9有效
发明人：李世珖;金渊澈;李周翰;崔在光;夫在弼 -专利权人：二和钻石工业股份有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)设备，包括安装成与平台分隔预定间隔的摆动单元，待调节的CMP垫置于该平台上；连接器，其在垂直于摆动单元的方向的一端安装在摆动单元的上端，且在CMP垫上方绕摆动单元枢轴旋转；旋转体，其可转动地安装在连接器的另一端上；CMP垫调节器，其与旋转体联接并在被转动时调节CMP垫；及振动计，其安装在连接器上，并且检测振动以测量CMP垫调节器的振动加速度，由此基于振动加速度及CMP垫调节器被安装或正在使用的状态来预测CMP垫的损耗率。
化学机械抛光设备

[发明专利]CMP垫调整器及用于制造CMP垫调整器的方法-CN201280023632.9有效
发明人：李世珖;金渊澈;李周翰;崔在光;夫在弼 -专利权人：二和钻石工业股份有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种供化学机械抛光（CMP）垫用的调整器，CMP垫使用于一种属于半导体装置制造过程的一部分的CMP制程。特别地，本发明涉及一种CMP垫调整器，该CMP垫调整器中，切割尖端的构造即使在使用不同种类的研磨浆时及在调整器的压力有改变时，也能使抛光垫的磨耗度的改变并不大。本发明还涉及一种用于制造CMP垫调整器的方法。
cmp 调整器用于制造方法

[发明专利]浆料成分及利用其的CMP方法-CN200810131102.1无效
发明人： 崔在光;李在东;洪昌基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
浆料成分利用 cmp 方法

[发明专利]包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法-CN200510059121.4有效
发明人：丁炯硕;李钟镐;李化成;崔在光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了集成电路器件。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。
包括栅极堆叠结构集成电路器件及其形成方法

[发明专利]浆料成分及利用其的CMP方法-CN200410101122.6无效
发明人： 崔在光;李在东;洪昌基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。
浆料成分利用 cmp 方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top