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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置-CN201110034786.5有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明名称为半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
半导体集成电路及其制造方法使用电路装置

[发明专利]制造有机晶体管的方法-CN201010224583.8有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造有机晶体管的方法。该方法包括：在绝缘表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一层；蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；通过蚀刻牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和在该空间中形成有机半导体层。微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，空间形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
制造有机晶体管方法

[发明专利]笔具用墨水组合物以及笔具-CN200910168906.3有效
发明人： 山口真弓;塚本优;田中晓纪 -专利权人：斑马株式会社
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C09D11/16 文献下载
摘要：本发明涉及笔具用墨水组合物以及笔具。本发明的笔具用墨水组合物是水性成份被分散在油性成份中而形成的，所述油性成份由染料和与该染料不同的成份构成，所述水性成份含有水、触变剂、多价乙醇、颜料，其中，油性成份含有的染料整体的IOB值小于等于0.9。
用墨组合以及

[发明专利]微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法-CN200780009662.3有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方，并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处，作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上，使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。
微结构微机以及制造方法

[发明专利]微机电装置以及其制造方法-CN200710137047.2有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于：通过相同的工序，将微机电装置包括的微结构和电路制造在相同的绝缘表面上。本发明的微机电装置集成有在具有绝缘表面的衬底上包括晶体管的电路和微结构。微结构包括具有与晶体管的栅绝缘层以及在栅绝缘层上设计的半导体层的叠层体相同的叠层结构的结构层。就是说，结构层包括由与栅绝缘层相同的绝缘膜形成的层，并且还包括与晶体管的半导体层相同的半导体膜形成的层。进而，微结构通过将用于晶体管的栅电极、源电极、漏电极的导电层用作牺牲层来制造。
微机装置及其制造方法

[发明专利]半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置-CN200710100943.1有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-04-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
半导体集成电路及其制造方法使用电路装置

[发明专利]微机械及其制造方法-CN200710088154.0有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：电路的半导体元件在栅电极上具有半导体层。半导体元件的半导体层由通过在衬底上进行加热处理或激光照射使非晶硅结晶化而成的包含多晶硅的层构成。所获得的包含多晶硅的层还用作结构体的可动电极等的结构层。因此，可以在同一衬底上同时形成结构体和控制结构体的电路。其结果，可以使微机械小型化。另外，不需要组装或封装，因此可以降低制造成本。
微机及其制造方法

[发明专利]微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法-CN200710086232.3有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。
微结构半导体器件以及制造方法

[发明专利]微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法-CN200610163587.3有效
发明人： 山口真弓;泉小波;立石文则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-10-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及微型机电系统、半导体装置、以及它们的制造方法。本发明旨在形成MEMS和具有该MEMS的传感器，而不进行蚀刻牺牲层的步骤。本发明的技术要点是如下：形成使用隔层形成了空间的MEMS和具有该MEMS的传感器。通过采用使用隔层形成了空间的MEMS，不需要形成牺牲层的步骤及蚀刻该牺牲层的步骤。结果，没有蚀刻时间的限制，并可以提高成品率。
微型机电系统半导体装置以及它们制造方法

[发明专利]微结构体的测试方法以及微机械-CN200610163607.7有效
发明人： 山口真弓;泉小波;立石文则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G01D21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。
微结构测试方法以及微机

[发明专利]微结构、其制造方法、以及微电子机械系统-CN200610163096.9有效
发明人： 山口真弓;泉小波;白石康次郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明的目的在于提供提高结构层的剪切应力的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属膜；对于金属膜照射激光；减少或除去金属膜的针形结晶；对所述金属膜进行蚀刻加工成规定的形状来形成金属层；其后除去牺牲层。通过以上操作，可以提供微结构的可移动部分的耐破断性高且可靠性高的微电子机械系统。
微结构制造方法以及微电子机械系统

[发明专利]微结构以及微机电装置的制造方法-CN200610146343.4有效
发明人：立石文则;泉小波;山口真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目，并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后，通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状，可以形成大小不同的牺牲层。
微结构以及微机装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610153433.6有效
发明人：泉小波;山口真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明的目的是提供一种微机器的制造方法，其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔，该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上，使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此，可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610128501.3有效
发明人：泉小波;山口真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该微结构的电路：在低温下形成和处理通过利用金属元件的激光结晶或热结晶获得的具有多晶硅的结构层。作为上述电子电路，有用于与天线进行无线通信的无线通信电路。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]微细结构、微机械、有机晶体管、电器及其制造方法-CN200610099772.0有效
发明人： 山口真弓;泉小波 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-06-30 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，间隙形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
微细结构微机有机晶体管电器及其制造方法

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