“屈永锋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种石墨烯同质p-n结结构及其制备方法-CN202010081985.0在审
发明人：丁继军;靳岩鑫;陈海霞;傅海威;屈永锋;李辉栋 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯同质p‑n结结构及其制备方法，石墨烯同质p‑n结结构包括中性石墨烯层、p型石墨烯层、n型石墨烯层以及电极，p型石墨烯层设置于中性石墨烯层的一侧表面，n型石墨烯层设置于中性石墨烯层的另一侧表面，p型石墨烯层的表面和n型石墨烯层的表面均设置有电极。本发明利用了石墨烯同种材料具有热膨胀系数、电子亲和能、带隙宽度和晶格常数都相同的特点，因此避免了不同材料构成的异质p‑n结所产生的复杂界面问题，以及异质p‑n结结构不稳定性和效率低下等问题，同时还具有柔性，性能十分的优异，可用于柔性电子器件结构设计和高性能微型化精细显示技术的研发。
一种石墨同质结构及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化石墨烯/石墨烯-ZnO微结构的场发射调控结构和方法-CN201710851247.8有效
发明人：陈海霞;丁继军;屈永锋 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明一种基于氧化石墨烯/石墨烯‑ZnO微结构的场发射调控结构和方法，能够对微型发射区域的场发射进行精细控制，同时同一发射体顶端能够实现不同电流密度和强度的场发射。所述的场发射调控结构包括硅基底，垂直排列生长在硅基底上的ZnO纳米阵列，包覆在ZnO纳米阵列顶端的表面发射层，表面发射层两侧设置的金电极，表面发射层上方设置的外加电极；表面发射层由结构呈一体设置的氧化石墨烯区块和石墨烯区块组成；氧化石墨烯区块在横向和/或纵向均间隔设置，剩余区域均由石墨烯区块填充；氧化石墨烯区块与不同厚度和不同还原程度的石墨烯区块相间形成微型发射区域；金电极上连接内驱电压，外加电极上连接外加电压，硅基底连接地线。
一种基于氧化石墨 zno 微结构发射调控结构方法