“尹延如”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种湿法双塔脱硫系统氧化风控制方法-CN202211600905.3在审
发明人：薛念杰;张健;尹延如;周志忠;安德欣;代志刚 -专利权人：华能沁北发电有限责任公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B01D53/34 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法双塔脱硫系统氧化风控制方法，所述双塔脱硫系统包括一级塔、二级塔、一级塔氧化风机和二级塔氧化风机；所述双塔脱硫系统启动工作后，通过所述一级塔氧化风机向所述一级塔供风，所述二级塔氧化风机向所述二级塔供风；当(一级塔原烟气流量×联络烟道SO2浓度/1000)＜(一级塔满负荷原烟气设计流量×二级塔入口设计SO2浓度/1000×a)时，打开所述一二级氧化风联络阀，关闭所述二级塔开关阀；当(一级塔原烟气流量×联络烟道SO2/1000)＞(一级塔满负荷原烟气设计流量×二级塔入口设计SO2浓度/1000×b)时，关闭所述一二级氧化风联络阀，打开所述二级塔开关阀。本发明解决了现有双塔脱硫技术采用的氧化风系统存在风量调节灵活性差，耗能高的问题。
一种湿法脱硫系统氧化控制方法

[实用新型]一种用于火电机组的灵活性配煤掺烧系统-CN202222939840.7有效
发明人：孟新宇;杨茂林;杜应刚;程世军;秦志;岳毅;靳轲;刘永胜;任崇玉;杨滨;尹延如 -专利权人：华能沁北发电有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： F23K1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于火电机组的灵活性配煤掺烧系统，包括原煤仓系统、给煤机系统、上煤系统和磨煤机系统；所述上煤系统布置在所述原煤仓系统的上部，包括两条上煤皮带，每条所述上煤皮带独立工作，用于运输不同特性的动力煤：所述原煤仓系统包括两个相互独立的分区，可以同时存放两种不同特性的动力煤；所述给煤机系统布置在所述原煤仓系统的底部，包括两个称重带式给煤机，用于控制进入所述磨煤机系统的动力煤重量：所述磨煤机系统用于将两种不同特性的动力煤研磨和均匀混合，并将混合煤粉输送至燃烧器燃烧。本实用新型解决了火电厂入厂煤品质差，不满足机组稳燃、调峰、清洁排放要求，入炉煤品质调节困难，不同煤种混合不均匀的问题。
一种用于火电机组灵活性配煤掺烧系统

[实用新型]一种适用于超低流量、高压比的向心式透平发电装置-CN202223275736.9有效
发明人：徐林峰;关淳;赫广迅;徐鹏;邢冠一;马义良;刘鑫;梁天赋;赵洪羽;潘劭平;桑秀军;尹延如;赵轶平;张道瑞;高进 -专利权人：哈电发电设备国家工程研究中心有限公司;哈尔滨汽轮机厂有限责任公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： F01D15/10 文献下载
摘要：一种适用于超低流量、高压比的向心式透平发电装置，属于透平发电装置技术领域。本实用新型包括齿箱、一级透平、二级透平、三级透平、四级透平和发电机，齿箱的中部输出端连接有发电机，齿箱高压侧的前后两输入端分别设置有一级透平和二级透平，齿箱低压侧的前后两输入端分别设置有三级透平和四级透平，一级透平的入口为高压入口，一级透平的出口通过管路与二级透平的入口连接，二级透平的出口通过管路与三级透平的入口连接，三级透平的出口通过管路与四级透平的入口连接，四级透平的出口为低压出口。解决了超低流量、高落压比工况下现有透平发电装置不适用的问题，可以在同一齿箱中集成布置，结构紧凑，成本较低，非常适合小型系统试验台。
一种适用于流量高压向心透平发电装置

[实用新型]一种光伏电站用光伏板吸附式节水型清扫装置-CN202222613899.7有效
发明人：鲁英林;薛鑫;邹海龙;周志忠;尹延如 -专利权人：华能沁北发电有限责任公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光伏电站用光伏板吸附式节水型清扫装置。本实用新型包括吸嘴、吸尘机构和水清洗机构，所述吸尘机构的输出端与吸嘴相连，通过吸嘴吸取光伏板上的灰尘，所述水清洗机构用于在清理污垢时喷射出加压的水，所述水清洗机构的输出端还连接有清洗海绵，用于对加压水冲洗的待清洗光伏板进行擦拭。本实用新型能够通过吸嘴吸附在光伏板上进行清理，无需对光伏面板进行完全的冲水清理，先是通过吸尘机构对光伏板进行灰尘清理，减少了灰尘飘散的危害，对于不易清理的鸟粪和泥浆，吸嘴处的喷水装置适量喷水，然后用吸嘴处的清洗海绵通过摩擦，清理干净，节省了水资源。本实用新型可以实现单人操作，使用人工较少，节省人力成本。
一种电站用光吸附节水清扫装置

[发明专利]氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法-CN202010992894.2有效
发明人：穆文祥;张洁;贾志泰;尹延如;张健;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明提供氧化镥薄膜的低成本、高效制备方法，通过合金液滴的滚动及合金气泡的方式制备了超薄的氧化镥薄膜。无高昂的设备、苛刻的条件、及复杂的操作，是一种氧化镥纳米材料的革新性制备方式。氧化镥作为高介电常数的材料的一种，其作为高介电常数栅介质材料的候选材料已进行过研究，与传统的工艺的CMOS工艺的兼容性已得到证实。所制得的超薄的氧化镥薄膜有效的解决了SiO2等材料等效栅氧化物厚度很难减小到3nm以下的缺点。克服优化了MOS晶体管的尺寸限制，不仅突破了材料方面的瓶颈，也极大地推进了后续氧化镥纳米材料的发展。
氧化薄膜低成本高效制备方法

[发明专利]一种基于单晶光纤声学各向异性和掺杂调制的高灵敏单晶光纤测温方法-CN202110238807.9在审
发明人：贾志泰;王涛;张健;李阳;尹延如;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于单晶光纤声学各向异性和掺杂调制的高灵敏单晶光纤测温方法，该方法采用晶向优选和/或掺杂改性后的单晶光纤作为超声温度传感器的探头。本发明通过对单晶光纤进行取向优化和/或掺杂改性，在保持单晶光纤结构稳定性的前提下提升单晶光纤密度以及结构无序度，降低高温环境中超声波在单晶光纤中的传播速度，进而提升单晶光纤灵敏区反射信号直径的延迟时间，提升测温灵敏度。该方法实施难度较小，基于现有成熟的单晶光纤材料便可大幅度调节传感器性能。同时有利于实现高温、高精度、高稳定性的“三高”温度探测，在航空航天、能源等高精尖领域有着重要的应用前景。
一种基于光纤声学各向异性掺杂调制灵敏测温方法

[发明专利]一种基于双坩埚法生长稀土倍半氧化物晶体的方法和装置-CN202011179598.7在审
发明人： 尹延如;王贵吉;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉一种基于双坩埚法生长稀土倍半氧化物晶体的方法和装置，生长方法包括步骤如下：提供铼坩埚，用于盛放原料；在铼坩埚外套设钨坩埚，作为主发热体，与铼坩埚构成双坩埚；利用双坩埚作为生长装置，采用熔体法进行晶体生长，得到稀土倍半氧化物晶体。生长装置包括生长炉本体，生长炉本体设置有炉腔，炉腔内设置有铼坩埚，铼坩埚外套设有钨坩埚。本发明用双坩埚替换铼坩埚，既能防止原料与钨坩埚发生反应，又能降低铼坩埚的损耗，更重要的是可以减薄铼坩埚的壁厚，大大降低生产成本，同时生长出大尺寸、高质量(LnxRe1‑x)2O3晶体。
一种基于坩埚生长稀土氧化物晶体方法装置

[发明专利]导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法-CN202010985686.X在审
发明人：贾志泰;付博;陶绪堂;穆文祥;尹延如 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明涉及导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法，通过在铱金坩埚中放入高度为35mm、直径为25mm的柱状模具将生长界面控制在模具表面，避免了坩埚杂质及熔体对流的影响；并通过导模法柱状模具的边缘控制作用，生长获得了异于传统片状氧化镓单晶的1英寸柱状氧化镓单晶，结合坩埚直径调整及提拉速度优化，攻克了不完全放肩及放肩多晶等技术难点，获得了最佳坩埚与模具尺寸比及生长拉速范围，突破性的得到了1英寸高质量柱状单晶。可实现不同晶面的衬底加工需求，与传统硅基半导体产业完全融合，为后期器件的研发及产业化提供基础。
导模法生长英寸柱状氧化镓单晶方法

[发明专利]一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用-CN201611078605.8有效
发明人：陶绪堂;贾志泰;穆文祥;尹延如;张健 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用，包括步骤如下：(1)将氧化镓单晶切割得到体块单晶，在特定气氛下进行退火处理，退火温度800‑1200℃，退火时间5‑100h，退火气氛为氩气或氢气；(2)将退火处理后的体块单晶在侧面或侧棱上划痕，放入水中，然后用刀片从划痕处切开，缓慢把晶片从体块单晶上分离，得到高质量氧化镓晶片。本发明方法操作简单，容易实现氧化镓晶片的机械剥离，得到的氧化镓晶片不会断裂，晶片尺寸较大，而且晶片质量较高。
一种质量氧化晶片制备方法应用

[发明专利]镓掺杂钙铝黄长石晶体及制备方法与应用-CN201811324131.X在审
发明人： 尹延如;贾志泰;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及镓掺杂钙铝黄长石晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为Ca₂Al_(2‑x)Ga_xSiO₇，02O₃用Ga₂O₃取代，生长Ca₂Al_2‑xGa_xSiO₇晶体，提供的镓掺杂钙铝黄长石压电晶体兼具优异的压电性能、电阻率高、成本较低廉、易于结晶和易于生长大尺寸单晶等优点，可用于制作声表面波、声体波压电器件及高温压电元件等，具有应用前景。
黄长石镓掺杂钙铝制备应用大尺寸单晶声表面波压电晶体压电器件压电性能压电元件生长电阻率声体波可用制作

[发明专利]掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用-CN201611153445.9有效
发明人：贾志泰;穆文祥;陶绪堂;尹延如;胡强强 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga_1‑x‑yCr_xA_y)₂O₃，0.0012O₃晶体中掺入Cr或者Cr与二价金属阳离子双掺，获得四价Cr掺杂的β‑Ga₂O₃晶体，该晶体是一种性能优良的可饱和吸收材料。该晶体物理化学性质稳定，热导率高，也可以作为激光晶体使用。
掺四价铬氧化晶体制备方法应用

1
共 11 条