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[实用新型]一种Mini-LED芯片-CN202321107219.2有效
发明人：林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Mini‑LED芯片，该Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
一种 mini led 芯片

[实用新型]一种Micro-LED显示装置-CN202320536800.X有效
发明人：林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Micro‑LED显示装置，该Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
一种 micro led 显示装置

[发明专利]一种Mini-LED芯片及其制作方法-CN202310520108.2在审
发明人：林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法，其中Mini‑LED芯片包括：透明衬底，透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第二表面为出光面；以及反射层，其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面，并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置；结合绝缘层，其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面，绝缘层包括DBR反射结构层，既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路，又有反射效果使芯片为单面出光，且只从第二表面出光，解决芯片侧壁漏光的问题，进而提高Mini‑LED芯片的出光效率，避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
一种 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202310700041.0在审
发明人：杨克伟;曲晓东;尤翠萍;江土堆;赵斌;林志伟;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
一种抗静电垂直结构 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310214159.2在审
发明人：杨克伟;曲晓东;赵斌;尤翠萍;陈凯轩;李敏华 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种Micro-LED显示装置及其制作方法-CN202310266498.5在审
发明人：林志伟;陈凯轩;尤翠萍;蔡建九;柯志杰 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种Micro‑LED显示装置及其制作方法，其中Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
一种 micro led 显示装置及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202211741516.2在审
发明人：杨克伟;曲晓东;罗桂兰;赵斌;江土堆;尤翠萍;陈凯轩;刘文辉 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN202211555098.8在审
发明人：杨克伟;曲晓东;罗桂兰;尤翠萍;赵斌;江土堆;陈凯轩;崔恒平 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过将介质层延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，嵌入所述介质孔与所述第二型半导体层形成接触，并延伸至所述通孔的侧壁；所述金属连接层层叠于所述金属反射层背离所述介质层的一侧表面，且所述金属连接层在朝向所述外延叠层的一侧表面具有裸露面；所述绝缘层通过覆盖所述金属连接层及金属反射层的方式，延伸至所述通孔的侧壁。从而，实现了将金属反射层延伸到通孔内部，提高了通孔内部的反射率的同时，可以实现将通孔内部的热量从台面传导，以提高芯片的散热能力，可以很好地解决通孔型垂直结构LED芯片因为空洞的存在导致热量无法及时散去的问题。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法-CN202211157163.1在审
发明人：杨克伟;曲晓东;江土堆;罗桂兰;尤翠萍;赵斌;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，通过：在所述发光台面设置所述第二金属反射镜、电流阻挡层，使所述集成金属层层叠于所述第二金属反射镜及电流阻挡层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述介质型DBR反射镜覆盖所述集成金属层、第二金属反射镜以及电流阻挡层；从而通过所述介质型DBR反射镜作为所述第二金属反射镜以及电流阻挡层的反射结构，实现了LED芯片发光台面的补充反射。其次，所述介质型DBR反射镜嵌入所述通孔侧壁作为所述第一金属反射镜与所述外延叠层之间的绝缘层的同时，通过所述DBR反射镜结合所述第一金属反射镜，极大地提升了LED芯片的发光效率。
一种通孔式垂直结构 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种多色LED芯片-CN202222440257.1有效
发明人：林志伟;崔恒平;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多色LED芯片，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
一种多色 led 芯片

[实用新型]一种LED芯片-CN202222331546.8有效
发明人：林志伟;李艳;罗桂兰;尤翠萍;崔恒平;陈凯轩;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
一种 led 芯片

[发明专利]一种多色LED芯片及其制作方法-CN202211120718.5在审
发明人：林志伟;崔恒平;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
一种多色 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202211069531.7在审
发明人：林志伟;李艳;罗桂兰;尤翠萍;崔恒平;陈凯轩;蔡建九 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将衬底设置具有多个凸起且相邻凸起之间形成平面，从而在所述凸起的表面设置第一透明导电层；通过将衬底的图形界面设置为与衬底不同的透明材料，可形成更佳的反射镜结构；进一步地，所述第一电极与所述第一透明导电层形成电连接，使所述衬底具有导电的图形界面，且所述第一电极与第一透明导电层形成电连接，进而所述发光结构的底部可形成很好的电流扩展。在此基础上，可以减薄所述第一型半导体层，在节省成本的同时又有效提高发光效率。
一种 led 芯片及其制备方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202221163080.9有效
发明人：林志伟;罗桂兰;尤翠萍;李艳;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接；所述P型扩展部从所述P型连接部的外围通过层叠于所述电流扩展层表面的方式延伸至所述台面的边缘。基于此，解决了大驱动电流所导致的电流拥挤现象，并有效提高LED的外量子效率。同时，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与所述P型半导体层形成连接，可有效解决电极的脱落问题，提高LED芯片的可靠性。
一种 led 芯片

[实用新型]一种LED芯片-CN202221271849.9有效
发明人：林志伟;尤翠萍;李艳;罗桂兰;陈凯轩 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，包括：衬底，外延结构，N型电极和N型电极扩展部分，P型电极和P型电极扩展部分；其中，P型电极扩展部分为与P型电极连接的若干P型电极扩展条，各P型电极扩展条的宽度范围小于有源区发光波长，各P型电极扩展条形成相互交叉的网格，通过衍射效应可以使被P型电极扩展条遮挡住的光子绕过P型电极扩展条，然后通过网格缝隙出射，使P型电极扩展条相当于无遮挡出光，避免LED光的损耗；同时，网格覆盖在P型半导体层上的设置可以使注入的电流更均匀的分布于整个有源区；再者，有源区发光波长为λ，各网格缝隙的宽度范围在0至3λ之间，能最大程度提取有源区的光，进而提升LED芯片的亮度。
一种 led 芯片

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