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[发明专利]半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法-CN201980088201.2在审
发明人： 小鹿优太;门胁嘉孝 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提供一种发光输出得以提高的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III‑V族化合物半导体层与第二III‑V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层均由选自Al、Ga和In以及选自As、Sb和P中的3种以上元素构成，前述第一III‑V族化合物半导体层的组成波长与前述第二III‑V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，前述第一III‑V族化合物半导体层的晶格常数与前述第二III‑V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体-CN201980022749.7在审
发明人： 小鹿优太;门胁嘉孝;生田哲也 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够抑制网纹的半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体。本发明的半导体光器件的制造方法包括：在InP生长用基板上形成蚀刻阻挡层的工序；以及在前述蚀刻阻挡层上形成半导体层叠体的工序，所述半导体层叠体层叠有多层至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层，前述蚀刻阻挡层的厚度为100nm以下。另外，本发明的半导体光器件的中间体具备：InP生长用基板、形成在前述InP生长用基板上的蚀刻阻挡层、以及形成在前述蚀刻阻挡层上且层叠有多层至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层的半导体层叠体，前述蚀刻阻挡层的厚度为100nm以下。
半导体器件制造方法中间体