“小野良治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202210060654.8在审
发明人：铃木葵;小野良治;森爱 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供能恰当地加工粘合对象的基板的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。半导体制造装置具备：改性层形成部，将第1基板局部地改性而在第1基板内的第1部分与第2部分之间形成改性层；剥离层形成部，在设置于第1基板的表面的第2基板与第2部分之间形成剥离层；及除去部，使第1部分残留于所述第2基板的表面并从所述第2基板的表面除去所述第2部分。除去部具备：加热部，通过加热第1部分或第2部分而将所述第2基板和所述第2部分在所述剥离层处剥离且分割所述第1部分和所述第2部分；及移动部，通过使所述第2基板相对于所述第2部分相对移动而使所述第1部分残留于所述第2基板的表面并从所述第2基板的表面除去所述第2部分。
半导体制造装置方法

[发明专利]衬底贴合装置-CN202010146859.9在审
发明人：田村裕宣;小野良治 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：根据实施方式，提供一种具有第1吸台及第2吸台的衬底贴合装置。第1吸台吸附第1衬底。第2吸台与第1衬底对向配置。第2吸台吸附第2衬底。第1吸台具有第1台座、多个第1圆筒状部件、及多个第1驱动机构。多个第1驱动机构相互独立地驱动多个第1圆筒状部件。进而，衬底贴合装置具有相互独立地控制多个第1圆筒状部件中的空间的压力状态的第1压力控制机构。
衬底贴合装置

[发明专利]电子式流量计-CN201210176894.0无效
发明人： 小野良治;狩野治;清水祥弘;宫河义弘;川尻洋之;古川雄大 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G01F1/60 文献下载
摘要：一种电子式流量计，包括磁性传感器、相位A驱动器和相位B驱动器、相位A比较器、相位B比较器、二相位编码器、以及旋转速度计时器。二相位编码器基于分别由相位A和相位B比较器采样的事件信号确定叶轮旋转的正向/反向，根据所确定的正向/反向使计数器正计数或倒计数，从而输出事件计数信号。旋转速度计时器根据二相位编码器输出的事件计数信号计算叶轮的旋转频率，并根据所计算的叶轮的旋转频率设置在下次测量叶轮的旋转频率时相位A和相位B比较器的各自的采样信号的频率以及相位A和相位B驱动器的各自的驱动周期。
电子流量计

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110040222.2有效
发明人：石桥健夫;米仓和贤;田所昌洋;吉川和范;小野良治 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其目的在于，降低被加工膜的加工性状的恶化及图案的皲裂，忠实于设计，且也可以适用于双嵌入式工序等。包括：通过在被加工膜(2)上进行膜的涂敷、加热硬化，形成至少由一个以上的膜构成的加工用掩模层(下层有机膜3及中间层5)，并对加工用掩模层中的至少一个膜进行硬化处理的加工用掩模层形成工序；在加工用掩模层上涂敷曝光用抗蚀膜，进行曝光显影，由此形成抗蚀图(6)，以该抗蚀图(6)为掩模蚀刻加工用掩模层的加工用掩模层蚀刻工序；以加工用掩模层蚀刻工序中形成的加工用掩模层的图案为掩模蚀刻被加工膜(2)的被加工膜蚀刻工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710109002.4有效
发明人：石桥健夫;米仓和贤;田所昌洋;吉川和范;小野良治 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其目的在于，降低被加工膜的加工性状的恶化及图案的皲裂，忠实于设计，且也可以适用于双嵌入式工序等。包括：通过在被加工膜(2)上进行膜的涂敷、加热硬化，形成至少由一个以上的膜构成的加工用掩模层(下层有机膜3及中间层5)，并对加工用掩模层中的至少一个膜进行硬化处理的加工用掩模层形成工序；在加工用掩模层上涂敷曝光用抗蚀膜，进行曝光显影，由此形成抗蚀图(6)，以该抗蚀图(6)为掩模蚀刻加工用掩模层的加工用掩模层蚀刻工序；以加工用掩模层蚀刻工序中形成的加工用掩模层的图案为掩模蚀刻被加工膜(2)的被加工膜蚀刻工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]埋入式配线结构的制造方法-CN200310102486.1无效
发明人：石桥健夫;小野良治 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在绝缘膜上形成第1凹部，与该第1凹部重叠地形成第2凹部时，可形成高精度的第2凹部。在绝缘膜上形成第1凹部，在该第1凹部和绝缘膜上涂布填埋材料将第1凹部填埋，对填埋材料进行化学机械研磨使之仅存留于第1凹部内，在填埋了填埋材料的绝缘膜上形成具有与第1凹部重合的第2部的图案的抗蚀剂层，以该抗蚀剂层为掩膜将填埋材料和绝缘膜腐蚀至既定深度而形成第2凹部。
埋入式配线结构制造方法

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top