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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480043991.6无效
发明人：藤泽哲也;小泽要;佐藤光孝 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种装载在支撑基板上的半导体元件及其制造方法，而且提供如下的半导体器件及其制造方法：在上述半导体元件中被选择的外部连接用电极焊盘，经由设置在上述支撑基板上的开口或切口而导出到上述支撑基板的另一侧主面，与配置在上述支撑基板的另一侧主面上的配线层电连接，并且涉及可使半导体器件更小型化的结构及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]内置有电容器的半导体装置及其制造方法-CN200480042472.8有效
发明人： 小泽要;佐藤光孝;米田义之 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-06-07 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在内置有为了防止电源电位或接地电位的变动而使用的去耦电容器的半导体装置及其制造方法中，利用简单且低成本的方法来实现小型化、高性能化。根据本发明的半导体装置包括：设置有电源用电极和接地用电极的基板；在与第二半导体芯片相对向的面侧上形成第一导体层并配置在基板上的第一半导体芯片；在与第一半导体芯片相对向的面侧上形成第二导体层并配置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；夹在第一导体层和第二导体层之间来粘合第一半导体芯片和第二半导体芯片的粘合剂层。该半导体装置中，粘合剂层和第一及第二导体层作为电容器来发挥功能。
内置电容器半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02829251.0有效
发明人：合叶和之;高岛晃;小泽要;平冈哲也;铃木孝章;松崎康郎 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2002-08-09 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体芯片(10)通过表面形成的涂层材料(11)变形为大致圆筒形后固定。变形的半导体芯片(10)与内插板(12)倒装芯片连接。半导体芯片(10)在内插板(12)上用封装树脂(13)封装。内插板(12)的背面配置有作为外部连接端子的焊锡球(14)。
半导体装置及其制造方法

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共 3 条

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