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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201811529191.5有效
发明人： 小泽治;堀口真志;奥田裕一;安在亮人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
半导体装置

[发明专利]光接收装置、距离测量装置和光接收电路-CN202080090982.1在审
发明人：马原久美子;小泽治;松川朋広;篠塚康大;天川庆太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：[问题]提供了一种能够使死区时间最小化的光接收装置、光接收电路和距离测量装置。[解决方案]根据本公开的光接收装置可以包括：光接收电路，包括光接收元件；电源电路，被配置为将电源电位供应给光接收电路；以及控制电路，被配置为基于与光子作用而从光接收电路输出的信号来控制由电源电路供应的电源电位。
接收装置距离测量电路

[发明专利]光接收装置、测距装置和光接收电路-CN202080069113.0在审
发明人：马原久美子;小泽治;松川朋広;篠塚康大 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：[问题]提供一种光接收装置、光接收电路和测距装置，其能够以高精度检测光子，而不管环境中的照度如何。[解决方案]根据本公开的光接收装置包括：第一光接收电路，被配置为使得可以切换光接收元件的再充电方法；以及控制电路，被配置为基于由第一光接收电路作为与光子作用的结果而输出的信号来控制第一光接收电路的再充电方法。
接收装置测距电路

[发明专利]光检测设备和距离测量设备-CN201980074022.3在审
发明人： 小泽治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：根据本公开的光检测设备设置有：光接收元件；负载电路，连接到光接收元件；开关电路，连接到光接收元件；以及反馈电路，用于使开关电路响应于光接收元件的输出而操作。该反馈电路具有延迟电路。根据本公开的距离测量设备设置有：光源，用于向测量对象辐射光；以及光检测设备，用于检测由测量对象反射的光，具有上述配置的光检测设备用作此光检测设备。
检测设备距离测量

[发明专利]光检测装置、光检测装置的控制方法和测距装置-CN201980067272.4在审
发明人： 小泽治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：根据本公开的光检测装置设置有：光接收元件、连接到该光接收元件的负载电路、以及被配置为根据该光接收元件的元件特性来控制流过负载电路的再充电电流的控制单元。此外，根据本公开的测距装置设置有：光源和光检测装置，该光源用光照射测量目标对象，该光检测装置检测由该测量目标对象反射的光，其中如上所述配置的光检测装置被用作光检测装置。
检测装置控制方法测距

[实用新型]受光装置和受光系统-CN201920492618.2有效
发明人： 小泽治;上水流隼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G01S7/4863 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种受光装置和受光系统。受光装置包括：像素阵列，所述像素阵列具有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括光敏元件，所述光敏元件被构造为响应于所述光敏元件对光子的检测而产生信号，其中，所述多个像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素具有第一敏感度以检测入射到所述第一像素上的第一光子，所述第二像素具有第二敏感度以检测入射到所述第二像素上的第二光子，其中，所述第二敏感度低于所述第一敏感度。受光系统包括光源和受光装置。根据本实用新型，能够在不设计直方图信号处理的情况下实现动态范围增加。
装置系统

[发明专利]受光装置和受光系统-CN201910293488.4在审
发明人： 小泽治;上水流隼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：本发明公开了一种受光装置和受光系统。受光装置包括：像素阵列，所述像素阵列具有多个像素，所述多个像素中的每个像素包括光敏元件，所述光敏元件被构造为响应于所述光敏元件对光子的检测而产生信号，其中，所述多个像素包括第一像素和第二像素，所述第一像素具有第一敏感度以检测入射到所述第一像素上的第一光子，所述第二像素具有第二敏感度以检测入射到所述第二像素上的第二光子，其中，所述第二敏感度低于所述第一敏感度。受光系统包括光源和受光装置。根据本发明，能够在不设计直方图信号处理的情况下实现动态范围增加。
像素受光装置敏感度光敏元件受光系统光子像素阵列入射检测动态范围增加产生信号信号处理直方图光源响应

[发明专利]晶体振荡装置以及半导体装置-CN201610184601.1有效
发明人： 小泽治;堀口真志;奥田裕一;安在亮人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
晶体振荡装置以及半导体

[发明专利]半导体装置、振荡电路和信号处理系统-CN201410166667.9有效
发明人： 小泽治;西冈草志郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子，其中压电振动器设置于外部；设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器；把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻；设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件；与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件；设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件；以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。 1
电容元件外部端子反相放大器参考电压端子半导体装置压电振动器电阻元件串联信号处理系统反馈电阻输出反馈振荡电路外部

[发明专利]色分解光学系统及摄像装置-CN201480047894.8有效
发明人：斋田有宏;泽畑裕一;正冈显一郎;西田幸博;小泽治 -专利权人：富士胶片株式会社;池上通信机株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G02B5/04 文献下载
摘要：本发明的摄像装置(1)的色分解光学系统(3)中，从光入射侧依次具备第1棱镜(10)，具有第1分色膜(D1)，取出被第1分色膜反射的蓝色光(LB)；第2棱镜(20)，具有第2分色膜(D2)，取出透射第1分色膜并被第2分色膜反射的红色光(LR)；及第3棱镜(30)，取出透射第1及第2分色膜的绿色光(LG)，其中，第1分色膜设为反射红色区域的长波长侧至红外区域的光的多波段分色膜。
分解光学系统摄像装置

[发明专利]半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法-CN201510332480.6在审
发明人： 小泽治;西冈草志郎;中村誉;阿部信;谷口一哉;谷村政明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开涉及半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法。一种具有与晶体振荡器组合执行振荡的功能的半导体集成电路器件包含：第一阻抗元件，包含与晶体振荡器的一个端子耦合的第一外部端子、与晶体振荡器的另一端子耦合的第二外部端子和当执行振荡时与第一和第二外部端子耦合的第一和第二端子；与反馈阻抗元件的第一端子耦合的第一可变电容电路；和用于设定第一可变电容电路的电容值的配置电路。测量信号被供给到反馈阻抗元件的第二端子，并且，作为其响应，基于在第一端子上产生的观察信号关于测量信号的延迟时间由配置电路设定第一可变电容电路的电容值。
半导体集成电路器件使用电子装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其控制方法-CN201310332545.8有效
发明人： 小泽治;堀口真志;伊藤崇泰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。
半导体器件及其控制方法

[发明专利]晶体振荡装置以及半导体装置-CN201110419785.2有效
发明人： 小泽治;堀口真志;奥田裕一;安在亮人 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体振荡装置以及半导体装置，能够充分地适用低负载电容值对应的晶体振子。例如，在布线基板PCB上，配置振荡输入信号XIN用的布线图案LN_XIN和振荡输出信号XOUT用的布线图案LN_XOUT，在其之间的区域中配置接地电源电压VSS用的布线图案LN_VSS1b。在LN_XIN与LN_XOUT之间连接晶体振子XTAL，将成为其负载电容的电容Cg、Cd的一端与LN_VSS1b连接。进而，以包围这些布线图案的方式，配置VSS用的布线图案LN_VSS1a，而且，在下层中也配置VSS用的布线图案LN_VSSn。由此，能够实现XIN节点与XOUT节点之间的寄生电容降低、该节点的噪声耐性提高等。
晶体振荡装置以及半导体

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