专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]切削刀具的管理方法和切削装置-CN201910017994.0有效
  • 田中诚;笠井刚史;小池彩子 - 株式会社迪思科
  • 2019-01-09 - 2022-08-19 - H01L21/301
  • 切削刀具的管理方法和切削装置,能够更适当地判定切削刀具的破损。切削刀具的管理方法包含:初始调整步骤,在从发光部射出的光不被切削刀具遮挡而入射到接收部的全入射状态下,利用调整部对从发光部射出的光的量进行调整,使得从光电转换部输出的电信号的值为规定值以上或者大于规定值;切削步骤,在实施了初始调整步骤后,利用切削刀具对被加工物进行切削;以及刃尖位置检测步骤,在实施了切削步骤后,将可动部定位于开位置,然后使切削刀具接近刀具位置检测单元,对因切削步骤而产生了消耗的切削刀具的刃尖的位置进行检测,当在刃尖位置检测步骤中将可动部定位于开位置后,实施平时再调整步骤,利用调整部对从发光部射出的光的量进行再调整。
  • 切削刀具管理方法装置
  • [发明专利]中心定位方法-CN202011418739.6在审
  • 小池彩子;田中诚;小岛芳昌 - 株式会社迪思科
  • 2020-12-07 - 2022-06-10 - B28D5/02
  • 提供中心定位方法,能够容易地掌握拍摄构件与检测构件的实际位置关系。中心定位方法构成为包含如下的工序:第一中心坐标检测工序(ST1),根据拍摄单元拍摄得到的图像,求出卡盘工作台的中心的坐标(X1,Y1);第二中心坐标检测工序(ST2),根据检测单元的检测结果,求出卡盘工作台的中心的坐标(X2,Y2);坐标间距离计算工序(ST3),将中心间的距离α作为(X1‑X2)来求出,将中心间的距离β作为(Y1‑Y2)来求出;以及中心一致工序(ST4),在将拍摄单元的拍摄中心定位于X0、Y0的坐标时,将检测单元的检测中心定位于X0‑α、YO‑β的坐标而使拍摄单元的拍摄中心与检测单元的检测中心一致。
  • 中心定位方法
  • [发明专利]切削装置-CN202011414807.1在审
  • 笠井刚史;小池彩子 - 株式会社迪思科
  • 2020-12-07 - 2022-06-10 - B28D1/22
  • 本发明提供切削装置,能够检测出切削刀具的外径的形状的异常。切削装置的管理单元包含:测定部,其测定在切削刀具位于发光部和受光部之间的状态下从发光部发出并被受光部接收的光的受光量;实测波形形成部,其根据以切削刀具的多个旋转角计测的受光量,形成表示切削刀具的外径的形状的实测波形;比较波形形成部,其形成表示在以任意的偏心量安装的情况下由测定部测定出的切削刀具的外径的形状的比较波形;理想波形识别部,其将与实测波形一致的区域最多的比较波形识别为理想波形;差分计算部,其计算实测波形与理想波形的差分的面积;以及判定部,在差分超过阈值的情况下,该判定部判定为切削刀具的形状异常。
  • 切削装置
  • [发明专利]切削刀具的状态检测方法-CN202110006655.X在审
  • 笠井刚史;小池彩子 - 株式会社迪思科
  • 2021-01-05 - 2021-07-23 - B24B49/12
  • 本发明提供切削刀具的状态检测方法,除了欠缺以外,还能够检测形成于切刃的贯通孔。切削刀具的状态检测方法包含如下的步骤:电压记录步骤,记录一边使切削刀具旋转一边从切刃未遮蔽受光部所接受的脉冲光的位置向使切刃侵入至侵入部的电压值的变化;以及判定步骤,根据通过电压记录步骤而记录的电压值的变化而判定切刃的状态。在判定步骤中,在没有电压值的增加的情况下,判定为在切刃上没有欠缺,在从切刃刚刚开始遮蔽了脉冲光后起产生了定期的且临时的电压的增加的情况下,判定为在切刃上产生了欠缺。
  • 切削刀具状态检测方法
  • [发明专利]中心检测方法-CN201911218257.3在审
  • 大森崇史;小池彩子 - 株式会社迪思科
  • 2019-12-03 - 2020-06-12 - H01L21/66
  • 提供中心检测方法,在对晶片的中心进行检测时,抑制错误地识别晶片的外周缘。在本加工方法中,使沿X轴方向延伸的检测用区域(LS)在X轴方向上按照每次一个像素进行移位,每当使检测用区域(LS)移位时,获取检测用区域(LS)的各像素的明暗值,并且计算明暗值的分布中的相对于X轴的倾斜值。并且,根据该倾斜值,确定晶片的边缘的坐标即外周坐标。
  • 中心检测方法

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