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[发明专利]半导体晶片-CN201780021775.9有效
发明人： 小幡俊之 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：【课题】本发明的目的在于，在以蓝宝石基板作为基底基板的情况下，利用不降低位错密度的方法提供输出较高的半导体晶片、最终从该半导体晶片可以得到的半导体芯片。【解决方法】本发明涉及一种半导体晶片，在蓝宝石基板的一个面上具有包括n型层、活性层及p型层的元件层，其特征在于，该元件层的表面翘曲成凸状，其曲率为530km‑1以上800km‑1以下。
半导体晶片

[发明专利]半导体发光元件-CN201980068568.8在审
发明人： 小幡俊之;桥本健宏 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：该半导体发光元件具有：n型半导体层，其具有AlGaN或AlInGaN组分；有源层，其包含基于AlGaN的半导体或基于AlInGaN的半导体，并形成在n型半导体层上；p型半导体层，其具有AlN、AlGaN或AlInGaN组分，并形成在有源层上；以及p电极，其形成在p型半导体层上，其中，p型半导体层具有形成在p电极上的接触层，接触层包括具有朝向与p电极的界面减小的带隙的AlGaN层或AlInGaN层，并且接触层具有与p电极接触的隧穿接触层，并且隧穿接触层通过隧穿结连接到p电极。
半导体发光元件

[发明专利]III族氮化物层叠体及III族氮化物发光元件-CN201780025958.8有效
发明人： 小幡俊之 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供光输出的偏差较小、能够稳定地获得较高的光输出的III族氮化物层叠体以及使用该层叠体的III族氮化物发光元件。III族氮化物层叠体包括基板和用组分式AlXGa1‑XN(0X≤1)表示的n型的第一AlGaN层，其特征在于，在所述基板和所述n型的第一AlGaN层之间具有用组分式AlYGa1‑YN(0.5Y≤1，其中YX)表示的第二AlGaN层，在设所述n型的第一AlGaN层的膜厚为tx及所述第二AlGaN层的膜厚为ty时，txty。并且，III族氮化物发光元件的特征在于，在上述III族氮化物层叠体的n型的AlGaN层上具有活性层，该活性层具有至少一个以上的阱层，该活性层中的阱层是用组分式AlWGa1‑WN(0W1)表示的AlGaN层，Al组分W是W≤Y。
iii 氮化物层叠发光元件

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201480007418.3有效
发明人： 小幡俊之 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的发光效率的氮化物半导体深紫外发光元件。一种氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有200～300nm的发光波长，其具有：由单一层或带隙不同的多个层形成的n型层、由单一层或带隙不同的多个层形成的p型层、以及在n型层与p型层之间配设的活性层；p型层具有p型第一层，该p型第一层具有与在n型层内具有最小带隙的n型第一层的带隙相比更大的带隙；并且，在活性层与p型第一层之间设置有电子阻挡层，该电子阻挡层具有比形成活性层以及p型层的层的带隙都大的带隙。
带隙第一层氮化物半导体发光元件活性层电子阻挡层单一层氮化物半导体紫外发光元件发光波长发光效率

[发明专利]n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件-CN201480051383.3有效
发明人：木下亨;小幡俊之;永岛彻 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种使用掺杂Si的n型氮化铝单晶基板的垂直型半导体二极管。一种在n型氮化铝单晶基板的表面上具备欧姆电极层的垂直型的氮化物半导体器件，其特征在于，所述n型氮化铝单晶基板的Si含量是3×1017～1×1020cm‑3、位错密度是106cm‑2以下，并且所述欧姆电极层形成于所述n型氮化铝单晶基板的N极性面侧。
氮化铝单晶基板以及垂直氮化物半导体器件

[发明专利]激光器二极管-CN201110177855.8有效
发明人： 小幡俊之;川西秀和 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种激光器二极管，该激光器二极管在L-I特性方面具有改善的扭折水平并且在水平横向模式方面能够获得稳定的高输出。该激光器二极管包括：有源层，由包括3B族元素中的至少镓(Ga)和5B族元素中的至少氮(N)的氮化物III-V族化合物半导体制成；n型化合物半导体层，提供在有源层一个表面上；以及p型化合物半导体层，提供在有源层的另一个表面上。n型化合物半导体层中的最靠近有源层的区域是高浓度区域，该高浓度区域的杂质浓度高于其它n型区域的杂质浓度。
激光器二极管

[发明专利]激光二极管装置-CN201010129455.5无效
发明人： 小幡俊之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光二极管装置。该激光二极管装置包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最顶层的接触层，其中突起形成在接触层和第二导电覆层中；以及电极，设置在接触层上。接触层具有在电极侧的表面上的凹凸结构，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层接触。该激光二极管能实现低电压。
激光二极管装置