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[发明专利]压粉磁芯-CN202080017912.3有效
发明人：渡边洋史;森智史;藤井爱实;高冈胜哉;竹内裕贵;小塚久司 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B22F1/12 文献下载
摘要：抑制压粉磁芯的铁损。压粉磁芯(1)是具备平均粒径为5μm以上且30μm以下的软磁性金属颗粒(3)、以及晶界相(6)而成的。晶界相(6)包含含有Al(铝)的多晶化合物而构成。并且，观察压粉磁芯(1)的截面结构时，α‑Al2O3在晶界相(6)中所占的面积比率为75％以下。此外，晶界相(6)的平均厚度Ta为10nm以上且300nm以下。根据本发明，铁损受到抑制。
压粉磁芯

[发明专利]镧/钼复合氧化物、抗菌性烧结体和抗病毒性烧结体-CN202180033977.1在审
发明人：中岛章;松本拓巳;庄司满央;小塚久司 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;日本特殊陶业株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01G39/00 文献下载
摘要：本发明的镧/钼复合氧化物将La2Mo2O9作为主晶相、将前述La2Mo2O9以外的镧/钼复合氧化物作为副晶相。
复合氧化物抗菌烧结抗病毒性

[发明专利]气体传感器元件以及气体传感器-CN201811510721.1有效
发明人：佐佐木寿;山际胜也;大塚茂弘;小塚久司 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在低温环境下也能够检测出气体的气体传感器元件以及气体传感器。在气体传感器元件中，一对电极中的至少一者具有自距离固体电解质体较近的一侧按顺序至少层叠有中间层和电极层的构造。电极层包含钙钛矿型氧化物和添加了稀土的氧化铈，该钙钛矿型氧化物具有钙钛矿型结晶构造并且包含La元素，电极层形成为在内部具有多个气孔的多孔质状。在气体传感器元件中，气孔的比例为10体积％以上且40体积％以下，并且，钙钛矿型氧化物的比例为10体积％以上且70体积％以下，并且，添加了稀土的氧化铈的比例为12体积％以上且70体积％以下。
气体传感器元件以及

[发明专利]气体传感器元件以及气体传感器-CN201811510214.8有效
发明人：佐佐木寿;山际胜也;大塚茂弘;小塚久司 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在低温环境下也能够检测出气体的气体传感器元件以及气体传感器。在气体传感器元件中，一对电极中的至少一者具有层叠有中间层和电极层的构造。电极层包含钙钛矿型氧化物和添加了稀土的氧化铈，该钙钛矿型氧化物具有钙钛矿型结晶构造并且含有La元素以及Fe元素。中间层具有层叠有由(La－Zr－Ln’－Ce－O)形成的第1层和由(La－Zr－Ln’－Ce－Fe－O)形成的第2层的构造。在气体传感器元件中，在使用扫描电子显微镜的内透镜二次电子检测器观察剖面的情况下，第2层覆盖第1层的覆盖率为90％以下。
气体传感器元件以及

[发明专利]导电性氧化物烧结体、导电用构件和气体传感器-CN201680027601.9有效
发明人： 小塚久司;佐藤未那;冲村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：提供电导率优异的导电性氧化物烧结体。导电性氧化物烧结体包含：由至少含有La、Fe和Ni的钙钛矿型导电性氧化物形成的主相；和，由La4M3O10相或La3M2O7相(其中，M＝Co、Fe、Ni)形成的副相。
导电性氧化物烧结导电构件气体传感器

[发明专利]导电性氧化物烧结体、导电用构件、气体传感器、压电元件以及压电元件的制造方法-CN201580068525.1有效
发明人： 小塚久司;沖村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：一种导电性氧化物烧结体，其包含具有组成式：REaCobCucNidOx(其中，RE表示稀土元素，a+b+c+d＝1，1.25≤x≤1.75)所示的钙钛矿型氧化物晶体结构的晶相。系数a、b、c、d满足：0.474≤a≤0.512、0.050≤b≤0.350、0c0.250、0.050≤d≤0.350。
导电性氧化物烧结导电构件气体传感器压电元件以及制造方法

[发明专利]火花塞-CN201580034335.8有效
发明人：高冈胜哉;黑泽和浩;田中邦治;小塚久司;本田稔贵;黑野启一;吉田治树;上垣裕则 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01T13/20 文献下载
摘要：对于轴孔内将中心电极与端子金属配件之间电连接的导电构件的材质等进行处理，从而降低高频噪声。火花塞在绝缘体的轴孔内具有将中心电极与端子金属配件电连接的电连接部。电连接部具有导电体，该导电体包含：由含Fe氧化物形成的第一晶相、和由具有钙钛矿型晶体结构的导电性金属氧化物形成的第二晶相。
火花塞端子金属配件电连接部中心电极导电体电连接轴孔绝缘体导电性金属氧化物钙钛矿型晶体结构导电构件高频噪声氧化物

[发明专利]气体传感器用导电性氧化物烧结体、导电性氧化物烧结体、布线基板以及气体传感器-CN201710686947.6有效
发明人：佐藤未那;广濑吉进;清家晃;小塚久司;冲村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2017-08-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01B1/08 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器用导电性氧化物烧结体、导电性氧化物烧结体、布线基板以及气体传感器。提供一种在室温下能够实现高电导率的导电性氧化物烧结体。一种气体传感器用导电性氧化物烧结体，其包含具有组成式：RE
气体传感器用导电性氧化物烧结布线以及传感器

[发明专利]无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件以及无铅压电陶瓷组合物的制造方法-CN201580019360.9有效
发明人： 小塚久司;山田嗣人;松冈誉幸;北村和昭;山崎正人;仓桥利明;笠岛崇;沖村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物。无铅压电陶瓷组合物的主相中的Na(钠)与K(钾)的摩尔比(Na/K)满足0.40<(Na/K)<3.0。另外，主相具有如下晶体结构：通过利用透射型电子显微镜从在将前述主相表示为准立方晶时的<100>方向射入电子束而获取的电子衍射图像中，显现出：(i)与基本晶格周期相对应的第一斑点组；和(ii)与前述基本晶格周期的2倍的晶格周期相对应，且与前述第一斑点组相比弱的第二斑点组。另外，主相中的反映第2斑点组的晶相的面积比率为33％以下，主相中的反映第2斑点组的晶体的最大粒径为25nm以下。
压电陶瓷组合使用元件以及制造方法

[发明专利]无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件以及无铅压电陶瓷组合物的制造方法-CN201580019350.5有效
发明人： 小塚久司;山田嗣人;松冈誉幸;北村和昭;山崎正人;仓桥利明;笠岛崇;沖村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物。无铅压电陶瓷组合物的主相中的Na(钠)与K(钾)的摩尔比(Na/K)满足0.40<(Na/K)<3.0。另外，主相具有如下晶体结构：通过利用透射型电子显微镜从在将前述主相表示为准立方晶时的<100>方向射入电子束而获取的电子衍射图像中，显现出：(i)与基本晶格周期相对应的第一斑点组；和(ii)与前述基本晶格周期的2倍的晶格周期相对应、且与前述第一斑点组相比弱的第二斑点组。
压电陶瓷组合使用元件以及制造方法

[发明专利]无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件、及无铅压电陶瓷组合物的制造方法-CN201510173276.4有效
发明人：山崎正人;松冈誉幸;本田祥照;北村和昭;小塚久司;仓桥利明;冲村康之;山田嗣人;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供具有较高的压电特性的无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件、及无铅压电陶瓷组合物的制造方法。所述无铅压电陶瓷组合物包含主相和副相，所述主相由包含具有压电特性的碱类铌酸盐/钽酸盐钙钛矿氧化物的第一结晶相形成，所述副相包含第二结晶相，所述第二结晶相包含A2B6O13系化合物(元素A为1价的元素，元素B为2～6价的一种以上元素)。所述副相填充所述主相之间形成的孔隙。
压电陶瓷组合使用元件制造方法

[发明专利]无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件、装置、及无铅压电陶瓷组合物的制造方法-CN201480019347.9有效
发明人：山崎正人;松冈誉幸;北村和昭;小塚久司;山田嗣人;仓桥利明;笠岛崇;沖村康之;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：无铅压电陶瓷组合物包含第一结晶相和第二结晶相，所述第一结晶相具有压电特性且包含碱类铌酸盐/钽酸盐钙钛矿氧化物，所述第二结晶相包含M‑Ti‑O系尖晶石化合物(元素M为1～4价的元素)。
压电陶瓷组合使用元件装置制造方法

[发明专利]氧化物烧结体和使用其的配线基板-CN201380019005.2有效
发明人： 小塚久司;菱田智子;山田嗣人;大林和重 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，其具有高电导率和小B常数(温度系数)，并且适合作为导电性材料；还提供使用所述氧化物烧结体的配线基板。氧化物烧结体的特征在于：包含具有钙钛矿型氧化物晶体结构的钙钛矿相，并且由以下组成式来表示：REaCobNicOx(其中RE表示稀土类元素，a+b+c＝1和1.3≤x≤1.7)。在式中，a、b和c满足以下关系：0.459≤a≤0.535，0.200≤b≤0.475和0.025≤c≤0.300。
氧化物烧结使用配线基板

[发明专利]介电材料及其制造方法-CN200410085174.9无效
发明人： 小塚久司;安西裕司;松田清 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01B3/08 文献下载
摘要：一种介电材料，包括由aBaO·bTiO₂·c REO_3/2·dBiO_3/2表示的组合物，其中a、b、c和d代表各自摩尔比率，且满足下述条件：a+b+c+d=1，0.09≤a≤0.16，0.54≤b≤0.62，0.20≤c≤0.34，及0≤d≤0.10；RE代表一种稀土金属；以及以每100质量份的组合物计的5－50质量份的玻璃，该玻璃中含有由kBaO·lZnO·mB₂O₃·nSiO₂表示的成分，其中k、l、m和n代表各自组成百分比，且满足下述关系：k+l++m+n=100，25≤k≤55，5≤l≤30，15≤m≤35及5≤n≤30。
材料及其制造方法

[发明专利]介质陶瓷组合物及介质共振器-CN03107939.3无效
发明人：大场高志;小塚久司;板仓一久 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供维持大的无负荷品质因数(Qu)的同时，在对应用途的特性的特定范围内，具有自由调整的介电常数(εr)和共振频率(fo)的温度系数(τf)的介质陶瓷组合物，和使用该介质组合物形成共振器主体的介质共振器。介质陶瓷组合物的特征在于，至少含有Ba、Zn、Nb、Ta及Sb作为金属成分，介质共振器的特征是使用该介质陶瓷组合物形成共振器主体。将该金属成分换算成氧化物时的所含比例由下面式(1)～(5)表示，其中，式(1)～(5)中数值的单位为摩尔％，在上述范围内确定各氧化物的摩尔％，使上述五种氧化物的摩尔％之和为100。57.5≤BaO≤62.6(1)16.0≤ZnO≤22.2(2)0＜Nb2O5≤20.6(3)0＜Ta2O5≤20.6(4)0＜Sb2O3≤5.9(5)
介质陶瓷组合共振器

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