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[发明专利]氧化钛的制造方法-CN202080007531.7在审
发明人：千头英明;水江圭;小古井久雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明提供一种低成本、且即使于高温环性下仍可将锐钛矿型结晶相的含有率维持较高的氧化钛的制造方法。本发明的氧化钛的制造方法包含将溶解有四氯化钛与具有3个羧基的α‑羟基羧酸的水溶液作为反应液，将所述反应液设于60℃以上且所述反应液的沸点以下的反应温度而合成氧化钛的合成步骤。所述反应液中所述α‑羟基羧酸的物质量(mol)相对于Ti的物质量(mol)的比率为0.006以上0.017以下，所述反应液的浓度为0.07/以上0.70/以下。
氧化制造方法

[发明专利]氧化钛及其制备方法-CN201680070236.X有效
发明人：水江圭;鹿山进;小古井久雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明涉及制备氧化钛的方法，其中采用液相方法将四氯化钛水解。此方法包括将四氯化钛水溶液加入具有比四氯化钛水溶液更高的温度的热水中的步骤，其中在此步骤中，热水的温度是30‑95℃，并且将四氯化钛水溶液加入热水中以使在热水中的钛原子浓度增加速率是0.25mmol/L/min至5.0mmol/L/min，和在此步骤之后在热水中的钛原子浓度是280mmol/L或更低。
氧化及其制备方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201080053810.3有效
发明人：增田隆;小古井久雄;桥本胜彦 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的碳化硅单晶的制造方法，具有通过向配置在台座上的碳化硅晶种供给碳化硅原料的升华气体，在所述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的工序，在所述台座和所述碳化硅晶种之间配置由碳化硅构成的隔离构件，将该隔离构件以非粘结的方式利用支持构件保持在所述台座上，在所述隔离构件的与所述台座相反的一侧的面上粘结所述碳化硅晶种，以所述隔离构件和所述碳化硅晶种的粘结面与所述支持构件的最下位置在垂直方向上间隔5mm以上的方式，相对地配置所述隔离构件和所述支持构件。
碳化硅制造方法

[发明专利]碳化硅单晶生长用籽晶及其制造方法和碳化硅单晶及其制造方法-CN200980120925.7有效
发明人：小柳直树;小古井久雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制从籽晶与石墨的界面发生的晶体缺陷，再现性好地制造晶体缺陷密度低的高品质的碳化硅单晶的碳化硅单晶生长用籽晶。作为这样的碳化硅单晶生长用籽晶，是安装在填充有碳化硅原料粉末的石墨制坩埚的盖上的碳化硅单晶生长用籽晶(13)，使用由一面作为采用升华法使碳化硅单晶生长的生长面(4a)的由碳化硅构成的籽晶(4)、和形成于所述籽晶(4)的所述生长面的相反侧的面(4b)上碳膜(12)构成，且所述碳膜(12)的膜密度为1.2～3.3g/cm3的碳化硅单晶生长用籽晶(13)。
碳化硅生长籽晶及其制造方法

[发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN200780044779.5有效
发明人：庄内智博;小古井久雄;坂口泰之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2007-10-04 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10^-6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。
碳化硅制造方法

[发明专利]细粒状二氧化钛及其制造方法和用途-CN200680005537.0有效
发明人：鹿山进;小古井久雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C01G23/07 文献下载
摘要：二氧化钛，通过场致发射型扫描电子显微镜观察初级粒子而测得的最大粒径D_最大与平均粒径D₅₀之间的比率D_最大/D₅₀为1至3。该二氧化钛的制造方法包括进行使含四氯化钛的气体与氧化气体反应以产生二氧化钛的气相法，其中当通过将含四氯化钛的气体与氧化气体引入反应管而使每种气体反应时，反应管中的温度为1050至小于1300℃。
细粒氧化及其制造方法用途

[发明专利]微粒二氧化钛及其制备方法和用途-CN200580027268.3有效
发明人： 小古井久雄;鹿山进;田中淳 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：提供吸附水含量的波动减小的高纯度超微粒二氧化钛，该吸附水含量是微粒粉末体中一个重要的质量波动因素。所述微粒二氧化钛具有的BET比表面积为10～200m²/g，其中当将其量为2～5g的所述二氧化钛粉末铺展于直径10cm的玻璃制陪替氏培养皿中至均匀厚度以及在20℃和80％相对湿度的环境下静置5小时时，以静置之前质量计的质量变化率是－5质量％至5质量％。制备微粒二氧化钛的方法包括使用氧化气体高温氧化含四氯化钛的气体以产生二氧化钛粉末的第一步，以及在加热炉中转动该粉末的同时将水蒸汽与所述二氧化钛粉末接触由此实现脱氯以及同时增加吸附水的第二步。
微粒氧化及其制备方法用途

[发明专利]无机粉末、用该粉末填充的树脂组合物及其用途-CN200580002157.7无效
发明人：都筑宏;小古井久雄;田中淳 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2005-01-07 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C05F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及在频率－粒度分布中具有多个峰的无机粉末，其中这些峰至少存在于0.2至2微米和2至63微米的粒度区域，优选最大粒度为63微米或更低，平均粒度为4至30微米，且模式尺寸为2至35微米。本发明的无机粉末可作为填料，用于需要具有电绝缘性和热辐射性的装有电子部件的电路板中的高导热性元件，因为含有该粉末的热辐射元件可以具有导热性，该粉末可以提供具有优异耐压特性的树脂组合物以便将绝缘组合物制成薄膜，并可以在树脂组合物中高密度填充以改进树脂组合物的热辐射性能。
无机粉末填充树脂组合及其用途

[发明专利]超微粒子氧化锌及其制造方法和使用其的化妆材料-CN200510114190.0无效
发明人： 小古井久雄;田中淳;山谷勇登 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-02-04 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种超微粒子氧化锌，由BET一点法测定的比表面积为10～200m²/g，实质上一次粒子形状为各向同性，其中，由攻丝机测定的比容积为4～40ml/g。这样，一次粒子的凝聚度低，不经过粉碎工序或由轻度的干式粉碎即可极为容易地分散、悬浮到水系溶媒中，可很好地用作例如化妆材料用粉体，并且同时具有透明感和紫外线遮蔽能力。
微粒子氧化锌及其制造方法使用化妆材料

[发明专利]具有高堆积密度的二氧化钛－二氧化硅混合晶粒的生产方法、通过该方法获得的二氧化钛－二氧化硅混合晶粒及其用途-CN200380107611.6无效
发明人： 小古井久雄;田中淳 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2003-12-26 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C01G23/07 文献下载
摘要：一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛－二氧化硅混合晶粒的方法，该方法包括在加热至600℃或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600℃或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末，将所获得的粉末加热到300至600℃以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量％或更低，然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。
具有堆积密度氧化二氧化硅混合晶粒生产方法通过获得及其用途

[发明专利]复合粒子及其制造方法和用途-CN200480001981.6无效
发明人： 小古井久雄;三林正幸;田中淳 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2004-01-09 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合粒子，其是小粒子担载于大粒子上的复合粒子，该小粒子是以BET比表面积换算粒径计具有0.005～0.5μm的平均粒径的含光催化剂的微粒子，而且，该大粒子具有利用激光衍射/散射式粒度分析法测定出的2～200μm的平均粒径。小粒子优选为二氧化钛与二氧化硅那样的不表现光催化能力的无机化合物的复合粒子，或者优选为含有布朗斯台德酸盐的粒子，小粒子特别优选为在粒子表面存在布朗斯台德酸盐的二氧化钛粒子。在用球磨机进行干式混合，或者利用叶片的旋转或者通过振荡进行混合时，通过将能量常数控制在规定的范围，可以有利地制造上述的复合粒子。通过将在有机聚合物中配合上述复合粒子而形成的组合物进行成型，可以形成具有紫外线屏蔽能力的成型体，例如纤维、薄膜、塑料等。
复合粒子及其制造方法用途

[发明专利]高白色氧化锌微粒及其制造方法-CN00812053.6无效
发明人： 小古井久雄;山谷勇登;田中淳 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-08-24 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： C01G9/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种由用BET一点法测定的比表面积换算的平均粒径为15nm或以上、55nm或以下,用亨特式色差计显示的L值为90以上的、粒子形状为四脚状或针状的微粒状的高白色氧化锌。此外,本申请还公开了一种通过在含有锌蒸气的气体的喷出口的温度为950℃或以上,而且氧化性气体的喷出口的温度在900℃或以上的反应器内,用氧化性气体使锌蒸气氧化来制造微粒状的高白色氧化锌的方法。
白色氧化锌微粒及其制造方法

[发明专利]超微粒子氧化锌及其制造方法和使用其的化妆材料-CN00805064.3无效
发明人： 小古井久雄;田中淳;山谷勇登 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2000-02-04 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种超微粒子氧化锌,由BET一点法测定的比表面积为10～200m2/g,实质上一次粒子形状为各向同性,其中,由攻丝机测定的比容积为4～40ml/g。这样,一次粒子的凝聚度低,不经过粉碎工序或由轻度的干式粉碎即可极为容易地分散、悬浮到水系溶媒中,可很好地用作例如化妆材料用粉体,并且同时具有透明感和紫外线遮蔽能力。
微粒子氧化锌及其制造方法使用化妆材料

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