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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110176037.X在审
发明人：菅原健太;寒川诚二;大堀大介 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法，半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层，在产生蚀刻剂时，通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂，在选择性地去除第二氮化物层中，防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层，选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层，第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。
制造半导体器件方法

[发明专利]热电转换材料及其制造方法-CN201680056060.2有效
发明人：菊池亚纪应;八尾章史;寒川诚二;小野崇人 -专利权人：中央硝子株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：本发明使用硅系材料，得到能发挥良好的热电转换性能的热电转换材料。使用下述热电转换材料，其特征在于，直径20nm以下的柱状或球状的纳米点(1)以面密度为5×1010个/cm2以上、所述纳米点间的间隔为0.5nm以上且30.0nm以下的方式嵌入于嵌入层(3)，构成纳米点(1)的第1材料为包含30原子％以上的硅的材料，相对于构成嵌入层(3)的第2材料，第1材料的价带与第2材料的价带的能量之差、及第1材料的导带与第2材料的导带的能量之差中的任一个或两个处于0.1eV以上且0.3eV以下的范围。
热电转换材料及其制造方法

[发明专利]成形模及透镜-CN201980055209.9在审
发明人： 寒川诚二;大堀大介 -专利权人：东北泰克诺亚奇股份有限公司;长濑产业株式会社
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B29C33/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种无需在成形模的表面设置脱模材料层的成形模。此外，本发明的目的还在于提供一种耐久性优异并且表面具有拒水性的透镜。本发明涉及一种成形模，具备基底部与具有设置在基底部的表面的凹凸的图案部，图案部的凸部与凸部的中心间的距离为15～50nm，图案部的凹凸部比率(凸/凸部与凸部的中心间的距离)为0.5以下，图案部的凸部的高度为2nm以上，图案部的缺陷密度为10×1010cm2以下。此外，本发明还涉及一种透镜，具备基底部与具有设置在基底部的表面的凹凸的图案部，图案部的凸部与凸部的中心间的距离为15～50nm。
成形透镜

[发明专利]微细构造的形成方法以及具有微细构造的基体-CN201180008346.0有效
发明人：额贺理;寒川诚二;杉山正和 -专利权人：株式会社藤仓;技术研究组合BEANS研究所;国立大学法人东京大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：在本发明的微细构造的形成方法中，准备具有加工适合值的基板；对上述基板的内部，以接近于上述基板的上述加工适合值的照射强度，将具有皮秒级以下的脉冲时间宽度的激光在由上述激光的传播方向和与上述激光的偏振方向（电场方向）垂直的方向构成的平面内进行照射；在上述激光聚光的焦点以及离该焦点近的区域形成构造改性部；对上述构造改性部选择性地进行蚀刻处理，形成由微细孔构成的微细构造。
微细构造形成方法以及具有基体

[发明专利]表面微细构造的形成方法以及具有表面微细构造的基体-CN201180008380.8无效
发明人：额贺理;山本敏;寒川诚二;杉山正和 -专利权人：株式会社藤仓;技术研究组合BEANS研究所;国立大学法人东京大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B23K26/32 文献下载
摘要：一种表面微细构造的形成方法，该方法包括：第一工序，准备具有加工合适值的基板，以接近于上述基板的上述加工合适值的照射强度、或者以加工合适值以上且烧蚀阈值以下的照射强度，对与上述基板的表面接近的部分照射具有皮秒量级以下的脉冲时间宽度的激光，在上述激光聚光的焦点以及接近于该焦点的区域中以自组织的方式形成周期性地配置第一改性部与第二改性部的周期构造；和第二工序，通过对形成有上述周期构造的上述基板的表面进行蚀刻处理，形成使上述第一改性部为凹部的凹凸构造。
表面微细构造形成方法以及具有基体

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法-CN200580023034.1有效
发明人：星野恭之;寒川诚二 -专利权人：昭和电工株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F₂)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。
等离子体处理方法蚀刻

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200480010572.2无效
发明人： 寒川诚二;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社;寒川诚二
申请日： 2004-09-14 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。
装置方法

[发明专利]晶片上监测系统-CN03804732.2无效
发明人： 寒川诚二;新村忠;冲川满 -专利权人：东北泰克诺亚奇股份有限公司
申请日： 2003-02-03 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种晶片上监测系统(200)，设置在等离子体处理装置(100)中的要处理的基板位置。该晶片上监测系统(200)包括：各种检测器；数据I/O单元(210)，用于光学地向外部输出信号和从外部输入信号，以及一内部电源单元(250)，用于对上述各部分提供电力。该晶片上数据I/O单元(210)与一激光二极管(LD)(320)和一光电二极管(PD)(330)连接，该光电二极管是安装在外部的光学I/O单元。该数据I/O单元(210)从外部接收指令并且将所监测的数据传送到外部。设置在基板上的检测器为一离子能量分析器(400)，VUV光子探测器(500)，以及自由基离子种类发射分光光度计(600)。
晶片监测系统

[发明专利]等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法-CN200410071658.8无效
发明人：冲川满;寒川诚二 -专利权人：三洋电机株式会社;寒川诚二
申请日： 2004-07-21 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制界面状态产生的等离子体处理方法，尤其抑制由于界面状态的降低而导致固体摄像元件的暗电流的增加。利用等离子体CVD法在硅基板(1)上形成由氮化硅膜(10)构成的层间绝缘膜(10)，并且在这个层间绝缘膜(10)上，有选择地形成光致抗蚀剂层PR。利用加热处理使得光致抗蚀剂层PR的形状变圆。接着，将该光致抗蚀剂层PR作为掩膜，将碳氟化合物类气体作为蚀刻气体使用，对层间绝缘膜(10)进行等离子体蚀刻处理，从而形成微透镜(11)。为了抑制由在该等离子体蚀刻中产生的紫外线的影响而造成的硅—氧化硅膜界面的界面状态的增加，采用间歇地供给高频电力的脉冲时间调制等离子体法。
等离子体处理蚀刻固体摄像元件制法

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