专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]比特单元状态保留-CN201680017859.0有效
  • C.奥古斯丁;富岛茂树;J.W.尚茨;吕士濂 - 英特尔公司
  • 2016-02-19 - 2022-03-01 - G11C11/16
  • 根据本公开的各种实施例,描述了在例如自旋转移力矩(STT)随机访问存储器(RAM)STTRAM的MRAM存储器中的杂散磁场减弱。在一个实施例中,通过生成磁场以补偿可造成存储器的比特单元更改状态的杂散磁场,可促进在STTRAM中比特单元比特值存储状态的保留。在另一实施例中,通过选择性挂起对存储器的行的访问以暂时终止可造成存储器的比特单元更改状态的杂散磁场,可促进在STTRAM中比特单元比特值存储状态的保留。本文中描述了其它方面。
  • 比特单元状态保留

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