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[发明专利]绝缘栅型半导体装置-CN201910105779.6在审
发明人： 宫泽繁美 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅型半导体装置，能够抑制电特性的劣化、芯片尺寸的增加，并且能够抑制因反复进行导通和截止的温度循环而导致的电极的劣化。绝缘栅型半导体装置具有在半导体芯片上并列配置有多个单位单元的多沟道构造，向半导体芯片流过主电流的主电极层被分割定义为在多个单位单元的各个单位单元的栅极电极间与半导体芯片金属性地接合的电极间区域、以及与该电极间区域连续且隔着层间绝缘膜设置在多个单位单元的各个单位单元的栅极电极上的电极上区域，在覆盖半导体芯片的保护膜上开孔而成的第一开口部处露出的主电极层的电极间区域与电极上区域的面积比大于位于保护膜下的主电极层的电极间区域与电极上区域的面积比。
半导体芯片电极间区域电极绝缘栅型半导体装置多个单位主电极层上区域单位单元栅极电极保护膜面积比劣化层间绝缘膜并列配置沟道构造金属性地温度循环接合电特性开口部上开孔主电流导通截止芯片分割覆盖

[发明专利]半导体装置-CN201610128529.0在审
发明人： 宫泽繁美 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： F02P3/055 文献下载
摘要：本发明防止火花塞在自切断时误点火。在自切断信号源(211)检测到正常且晶体管(M3)导通时，若IN端子接收到导通信号，则晶体管(M1)导通，晶体管(M2)截止，IGBT(24)导通。此时，若自切断信号源(211)检测到异常，晶体管(M1)截止，晶体管(M2)导通，则通过使IGBT(24)的栅极端子经由晶体管(M2、M3)与发射极端子相连，从而将充入栅极电容的电荷急速放电。由此，若比较器216检测到IGBT(24)的集电极电压上升并高于规定的电压，则晶体管(M3)被截止，进行缓切断，即利用电阻(213)缓慢地将栅极电容的电荷进行放电。
半导体装置

[发明专利]点火系统-CN200810184316.5有效
发明人：内藤达也;石井宪一;宫泽繁美;齐藤龙 -专利权人：富士电机电子技术株式会社
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： F02P13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种点火系统。线圈故障检测电路检测IGBT的集电极电流的上升，并且定时器电路测量上升周期的长度。如果该上升不是正常的上升，则ECU就判断出已出现线圈故障。ECU关闭IGBT以防止不点火，并且使燃料气体停止流向燃烧室以防止催化剂的熔化或恶化。
点火系统