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[发明专利]一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法-CN201911180927.7在审
发明人：邓月忠;温国豪;褚宏深;宋旭官;黄正信 -专利权人：丽智电子（昆山）有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，包括以下步骤：（1）基板处理：包括在基板的正面和背面的对应区域进行刻蚀，形成刻蚀区其中，所述的基板包括基板A和基板B；（2）贴附保护膜：将步骤（1）所述获得的若干个成对所述的基板A和所述的基板B、按矩阵排列形式放置在保护膜上，所述基板的背面贴附在保护膜上；（3）制备二极管半成品；（4）去除保护膜：采用有机溶剂溶解所述的保护膜；（5）制备二极管成品：将所述封装层进行切割成粒。本发明通过在基板背面贴有保护膜的设计可完全阻隔封装胶渗透到基板背电极的问题，降低了尺寸对精度的限制，有利于所制作的晶体二极管相小型化发展。
一种基于可溶解保护膜制备晶体二极管方法

[发明专利]一种激光制造半导体封装器件的方法-CN201711345751.7有效
发明人：王焕菊;褚宏深;王国庆;宋旭官;黄正信 -专利权人：丽智电子(昆山)有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光制造半导体封装器件的方法，结合激光技术，以陶瓷材料为基板封装半导体，精度高，制作复杂度交低，同时为封装器件提供端电极，可直接组配于电器模组，即节省空间，又提升电器模组组装的效率。
半导体封装器件电器模组激光制造封装器件基板封装激光技术节省空间陶瓷材料端电极复杂度组配半导体组装制作

[发明专利]一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法-CN201811439346.6在审
发明人：邓月忠;温国豪;褚宏深;宋旭官;黄正信 -专利权人：丽智电子(昆山)有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法，第一基板块、第二基板块、芯片和保护层，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块。本发明能够实现减小产品误差，且不会有废水产生，以及可百分之百阻隔模压胶渗入背电极，甚至在切割刀片上的损耗也能获得改善。
基板块顶表面芯片二极管器件激光加工保护层包覆同一水平面间隔设置切割刀片背电极减小贴合渗入制造阻隔废水

[发明专利]一种发光二极管器件-CN201710965851.3在审
发明人：褚宏深;宋旭官;黄正信 -专利权人：丽智电子(昆山)有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管器件，包括发光二极管组件，发光二极管组件，包括多层发光半导体层组、透光衬底，透光衬底紧贴多层发光半导体层组的后侧设置；多层发光半导体层组，包括从前到后依次分布的P型半导体材料层、光活化层位层、N型半导体材料层；多层发光半导体层组与透光衬底的接触面为多层发光半导体层组平面，透光衬底与多层发光半导体层组的接触面为透光衬底平面；N型半导体材料层的前侧面连接有第一电极，P型半导体材料层的前侧面连接有第二电极，第一、第二电极的下部与透光衬底平面相结合，实现多层发光半导体层组与第一平面的电连接。本发明具有高效能并产生光辐射的功能，还能实现光场图型的可控性。
一种发光二极管器件