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[发明专利]一种LIF神经元电路-CN202310521068.3在审
发明人： 宋宏甲;王怀宇;钟向丽;王金斌;郭红霞;欧阳晓平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种LIF神经元电路，能够基于延迟实现连接多突触。本发明包括膜电位积累电路、波形整形电路，泄漏电路、脉冲产生电路、不应期电路、延迟电路。本发明的忆阻LIF神经元优势在于电路结构简单，并能对神经元激发尖峰脉冲宽度、峰值强弱、不应期时长调控和可延迟连接多神经突触。这不仅更能贴合生物神经元的功能结构，在实际运用中也能为多个神经突触传递更丰富的时空信息，增强神经网络的适应能力。并且本发明多突触延迟的忆阻LIF神经元电路所用器件较少，有利于提高类脑芯片的集成密度。
一种 lif 神经元电路

[发明专利]一种LCR特性一体化的可重构电子元件及其制备方法和应用-CN202211517543.1在审
发明人：钟向丽;吴祎玮;谭丛兵;付振晓;杨曌;沓世我;王金斌;张溢;何家怡;宋宏甲 -专利权人：湘潭大学;广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LCR特性一体化的可重构电子元件及其制备方法和应用，该电子元件包括功能材料层和顶电极层，其中功能材料层为LCR特性可调的超畴薄膜材料，相比于传统电容、电感或电阻等分立式无源器件而言，本发明提供的可重构电子元件通过将LCR特性可被外场调制的超畴薄膜材料作为功能材料层，并结合特殊设计的电极阵列，实现了三大无源器件功能特性的一体化集成及器件级别复杂功能特性的动态可重构，具有低功耗、高稳定、体积小、集成度和智能度高等突出优势，在微电子、军事军工、航天航空等领域具有重大应用价值。
一种 lcr 特性一体化可重构电子元件及其制备方法应用

[发明专利]一种基于LIF神经元的WTA电路-CN202310521064.5在审
发明人： 宋宏甲;王怀宇;钟向丽;王金斌;郭红霞;欧阳晓平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于LIF神经元的WTA电路。包括：膜电位积累电路、波形整形电路，泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路、双重开关电路、逻辑门电路。本发明的忆阻LIF神经元通过忆阻器的阻值变化和MOS管的开关特性实现激发尖峰脉冲宽度、峰值电位大小和不应期时长可调控。本发明通过双重开关电路、逻辑门电路控制忆阻LIF神经元，实现WTA机制，能有效的提高时间编码信息的高速性和准确性，提高神经系统的噪声鲁棒性和稳定性，在面对庞大数量神经元激发的竞争中效果更好。并且本发明的忆阻LIF神经元电路及其WTA电路所用器件很少，有利于提高类脑芯片的集成密度。
一种基于 lif 神经元 wta 电路

[发明专利]一种抗辐照人工突触器件及其制备方法-CN202310251012.0在审
发明人： 宋宏甲;颜家琦;刘应东;陈骞鑫;钟向丽;王金斌;欧阳晓平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照人工突触器件及其制备方法。该人工突触器件包括金属底电极层、异质结阻变层和金属顶电极层，所述金属底电极层为金属钛层，所述异质结阻变层为金属掺杂氧化铪层和氧化钛层形成的复合层。该器件具有优异的权重更新线性度和对称性以及较强的抗辐照能力，可用于地面和空间电子系统的智能芯片。其制备方法简单，成本低廉，适合工业规模化生产。
一种辐照人工突触器件及其制备方法

[发明专利]一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202310148412.9在审
发明人：王金斌;张衡;钟向丽;吴祎玮;何家怡;谭丛兵;宋宏甲 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明提供的高频负电容场效应晶体管，通过将具有快速铁电负电容效应的针状铁弹畴结构铁电薄膜作为栅介质层，结合特定的器件结构和工艺，克服了传统负电容场效应晶体管工作频率低、回滞大等问题。相比于同类器件而言，本发明产品具有运行速度快、回滞小和低功耗的突出优势，在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要的学术与应用价值。
一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种无机柔性阻变存储器及其制备方法-CN201910469266.3有效
发明人： 宋宏甲;薛旦;汪志瑾;冯瑞轩;柳莹;王金斌;钟向丽 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明涉及柔性电子器件技术领域，尤其涉及一种无机柔性阻变存储器及其制备方法。本发明提供的无机柔性阻变存储器具有更好的弯曲特性，不同弯曲半径和弯曲次数下器件的高阻态、低阻态较为稳定，能够有效地缓解弯曲形变对功能层材料存储性能的影响；所述无机柔性阻变存储器的开关比大、置位电压较低且无需Forming过程，可以保证器件正常工作且满足低功耗的要求；所述无机柔性阻变存储器具有较好的热稳定性，在85℃条件下器件的高、低阻态可以稳定保持105s左右不变，脉冲模式下对器件连续进行107次开关操作后高、低阻态比值仍在102以上，可以保证器件正常工作且不会发生误读现象。
一种无机柔性存储器及其制备方法

[发明专利]一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法与应用-CN202211541779.9在审
发明人：钟向丽;吴祎玮;王金斌;张衡;谭丛兵;何家怡;宋宏甲;刘莹赢 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明提供的负电容场效应晶体管，通过将具有多级负电容效应的铁电薄膜材料作为栅介质层，不仅克服了传统负电容场效应晶体管只有在交变工作电压下才能工作的问题，还降低了极化翻转的势垒，进一步降低了晶体管的功耗。相比于同类器件而言，本发明具有低功耗、回滞小和工艺兼容度高的突出优势，在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要的学术与应用价值。
一种单向电场功耗电容场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种仿生分级结构涂层及其制备方法-CN202211631313.8在审
发明人：王金斌;李加林;钟向丽;宋宏甲;龚玲 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生分级结构涂层，属于表面涂层技术领域，从基底到表层依次包括层叠设置的过渡层TiAlN、3次交替循环层叠设置的硬质层AlCrSiN与软质层Ti的复合层和硬质层AlCrSiN；所述过渡层TiAlN厚度为0.4μm，硬质层AlCrSiN单层厚度均为1.0±0.2μm，软质层Ti单层厚度均为0.2μm；所述硬质层AlCrSiN中包括纳米级非晶Si3N4颗粒。本发明设计和制备的仿生分级结构涂层在AlCrSiN层内，以及AlCrSiN/Ti层间实现增韧，且不降低其硬度，使涂层实现强韧一体化，同时具备优异的耐摩擦性能与高的膜/基结合强度，适用不同的应用环境。
一种仿生分级结构涂层及其制备方法

[发明专利]一种提高涂层硬度、膜/基结合力及摩擦性能的方法-CN202211634681.8在审
发明人：钟向丽;李加林;王金斌;宋宏甲;刘轩 -专利权人：湖南六方晶科技有限责任公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高涂层硬度、膜/基结合力及摩擦性能的方法，属于真空镀膜技术领域，包括以下步骤：基材清洗；基材表面Ar+刻蚀；沉积过渡层TiAlN涂层；膜间Ar+刻蚀；沉积表层TiSiN涂层；膜间Ar+刻蚀的具体步骤为：将沉积后的过渡层TiAlN涂层进行膜间Ar+刻蚀。本发明提出的膜间刻蚀工艺利用一定能量的Ar+对已沉积膜层表面进行刻蚀，能够有效去除已沉积膜层表面的液滴颗粒，降低膜层的粗糙度，降低内应力，因此能够提高涂层的硬度，同时，过渡层较低的粗糙度能够促进后续涂层在其上的沉积，有效提高整体涂层的硬度、结合力与耐磨性，进而适用于不同的应用环境。
一种提高涂层硬度结合摩擦性能方法

[发明专利]一种抗辐照柔性阻变单元器件及其制备方法和在柔性阻变存储器中的应用-CN201910603122.2有效
发明人：钟向丽;吴祎玮;宋宏甲;倪凯凯;王金斌;段伟杰;何家怡 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐照柔性阻变单元器件及其制备方法和在阻变存储器中的应用，属于存储器件领域。本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件的结构依次为柔性衬底层、铟氧化物层、阻变材料层和金属电极层；所述阻变材料层的材质为铝镁铟氧化物。本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件采用抗辐射性能强、延展性好的材料作为阻变存储器中的衬底或电极，通过控制阻变材料层中材料成分，设计出的阻变单元器件不但整体柔性可弯曲，更重要的是具有优异的抗辐射性能。实施例结果表明，本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件在辐照剂量为300krad(Si)的情况下，器件结构没有发生变化，且器件仍然具有较好的性能。
一种辐照柔性单元器件及其制备方法存储器中的应用

[发明专利]一种微喷砂后处理减小涂层摩擦系数的方法-CN201911265736.0有效
发明人：钟向丽;赵学书;宋宏甲;王金斌 -专利权人：湖南六方晶科技有限责任公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过微喷砂后处理减小涂层摩擦系数的方法，为了达到改善电弧离子镀涂层表面大颗粒问题、减小涂层摩擦系数的目的，首先在已涂覆涂层的基体表面沉积一层厚度较小的氧化物涂层，利用非晶态的氧化物涂层晶粒较小的特点填充涂层表面凹凸不平的缺陷，然后通过微喷砂后处理去除电弧离子镀带来的涂层表面的大颗粒，使表面变得平整光滑，减小涂层摩擦系数。微喷砂后处理过程中砂粒不断冲击涂层表面，可有效增加压应力，同时，氧化物的存在可以起到缓冲基体主体涂层所受冲击力的作用，减少涂层破损。喷砂后涂层表面残留的氧化物在高温下形成一层致密的氧化物薄膜，可防止元素和热量的扩散，减少涂层磨损，显著提高涂层基体的使用寿命。
一种喷砂处理减小涂层摩擦系数方法

[发明专利]一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法-CN202210690490.7在审
发明人： 宋宏甲;刘凯;谭丛兵;钟向丽;王金斌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法，该存储器包括衬底、铁电层和电极层，该存储器利用铁电层与衬底间晶格失配所产生的钳制应力，使得铁电层中的铁弹畴壁产生应力形变，从而形成“0”和“1”开关，实现数据快速、稳定的存储和读取。本发明所提供存储器的制备方法利用半导体制备工艺，在衬底(001)面上采用脉冲激光沉积法制备铁电层和电极层，该方法工艺简单，精准度高，有效保证了产品的良品率，可实现上述存储器的大规模工业化生产。
一种基于铁弹畴壁应力形变存储器及其制备方法

[发明专利]一种PVD法制备金属氧化物涂层的刀具转架-CN202010181159.3有效
发明人：钟向丽;李加林;宋宏甲;王金斌 -专利权人：湖南六方晶科技有限责任公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVD法制备金属氧化物涂层的刀具转架，包括杆架、隔套、刀片、弹簧、固定销组件、套筒和不锈钢罩。有益效果在于：在杆架上端增加弹簧以及固定销组件对底下刀片进行压紧固定，加强刀片与杆架的接触，防止其在转动过程中出现松动的现象，并且能够防止松动后导致电路传输路径断开而出现放电现象；在样品杆架上端添加一个套筒，当装载好刀片的杆架最终固定在转架上后，我们根据杆架的直径设计了一个套筒安装在杆架顶端，主要目的是避免杆架顶端沉积氧化层，增强杆架与转架底座、与真空室的导电性；转架上端设计一个不锈钢罩主要目的是防止氧化物涂层在裸露的杆架表面沉积，保持转架上下导电性。
一种 pvd 法制金属氧化物涂层刀具

[发明专利]一种高温抗氧化红外隐身涂层及其制备方法-CN202210865106.2在审
发明人：王金斌;罗新宇;宋宏甲;钟向丽 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温抗氧化红外隐身涂层及其制备方法，本发明涉及新材料领域，所述高温抗氧化红外隐身涂层包括有从基底向外，依次为扩散阻碍层、低红外发射率功能层和抗氧化保护层；其中，所述扩散阻碍层由TiAlSiN、AlCrSiN、TiSiN陶瓷中任一种构成，所述抗氧化保护层由TiAlSiN、AlCrSiN、TiSiN陶瓷中任一种构成，所述低红外发射率功能层的材料为Ti、Cr、Mo纯金属及其二硼化物的任一种。本发明提供了一种高温抗氧化红外隐身涂层及其制备方法。所得涂层能够在高温环境下使用、具有抗氧化、低红外发射率、高硬度和高温稳定性。
一种高温氧化红外隐身涂层及其制备方法

[发明专利]一种无线圈结构的动态极化涡旋巨电感器及其制备方法-CN202210685943.7在审
发明人：钟向丽;吴祎玮;王金斌;谭丛兵;张溢;何家怡;宋宏甲 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种无线圈结构的动态极化涡旋巨电感器及其制备方法，巨电感器的结构从下至上依次为衬底、底电极层、电感材料层和顶电极，其中电感材料层为具有动态极化涡旋的铁电薄膜材料。相比于传统线圈式的电感器而言，本发明提供的基于动态极化涡旋电感效应的巨电感器，具有集成度高、电感密度大、电感值随工作电流无衰减等突出优势，在微电子、军事军工、航天航空等领域具有重大应用价值。
一种线圈结构动态极化涡旋电感器及其制备方法

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