专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有量子阱的光学器件-CN200410002586.1无效
  • 宋大成 - 三星电子株式会社
  • 2004-01-10 - 2004-08-04 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种具有量子阱的光学器件。光学器件包括由III-V族半导体化合物构成的并具有带隙分级结构的量子阱的有源层,其中导带能量和价带能量由于预定成分含量的变化以一定斜率线性改变而导带能量和价带能量之间的能量带隙保持于预定值;以及两个势垒层,其中一个设置在有源层的上表面,另一个设置在有源层的下表面,它们都由III-V族半导体化合物构成并具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量。降低了驱动电压并提高了发光效率和可靠性。
  • 具有量子光学器件
  • [发明专利]整合式低引脚数介质独立接口-CN03131272.1有效
  • 宋大成 - 威盛电子股份有限公司
  • 2003-05-12 - 2003-10-22 - H04L12/28
  • 一种整合式低引脚数介质独立运接口及相关作方法,该整合式低引脚数介质独立接口用来连接一介质控制层电路以及一实体层电路(PHYCircuit),仅包含一数据传送接口TXD、一传送许可接口TX_EN、一参考时钟接口REF_CLK、一接收许可接口CRS_DV、及一数据接收接口RXD。接收许可接口CRS_DV于一检测错误阶段及一闲置阶段为一低电位输出,于一传输许可阶段为一高电位输出,而当该接收许可接口CRS_DV为低电位输出时,由该实体层电路经该数据接收接口RXD传送的数据将被该介质控制层电路所拒收,当该接收许可接口CRS_DV为高电位输出时,传送的数据将为该介质控制层电路所接收。
  • 整合引脚介质独立接口

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