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[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202010017212.6有效
发明人：毕东升;徐胜娟;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法，至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层，以及分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电性连接的第一电极和第二电极，所述第二电极包括焊盘部和延伸部，其特征在于：所述延伸部末端和第一电极之间具有用于扩展电流的扩展部。本发明的扩展部可以对注入第二电极的电流进行二次扩展，改善电流密集区的电流拥挤现象，从而提升发光二极管的抗静电能力，降低延伸部末端产生的ESD爆点。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管、其制作方法以及发光装置-CN202210497276.X在审
发明人：冯克耀;李俊;石杜娟;余明志;李艳;张书豪;蔡家豪;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法，本发明通过激光对衬底进行处理，以获得具有改质区的衬底；利用衬底中的改质区对衬底进行裂片，以获得若干LED芯粒；对LED芯粒的衬底下表面进行第二次减薄，去除衬底的改质区，获得具有第二厚度的衬底；在LED芯粒的衬底下表面形成反射层，获得发光二极管。本发明能有效避免改质区对亮度的影响，且能较大幅度的提升发光二极管的抗断裂能力。
一种发光二极管制作方法以及发光装置

[发明专利]发光二极管及其制备方法-CN202010703012.6有效
发明人：周宏敏;唐超;董金矿;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制备方法，其中的发光二极管包括图形化衬底、缓冲层、三维成长层、二维成长层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中在三维成长层和二维成长层之间生长缺陷转向层，缺陷转向层可以阻挡图形化衬底的凸起顶部的缺陷延伸，并使二维成长层不在凸起顶部进行横向合并，而是在凸起顶部两侧的附近进行横向合并，从而减少位错，降低非辐射复合，提高发光效率。
发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种晶片承载盘-CN202220237303.5有效
发明人：王瑜;钱承红;冷晶;张志刚;朱耀华;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种晶片承载盘，所述晶片承载盘至少包括第一承载盘、第二承载盘和支撑结构，所述第一承载盘上具有多个放置晶片的凹槽，所述支撑结构位于第一承载盘和第二承载盘之间。本实用新型的支撑结构，可以增加石墨盘的韧性，防止石墨盘在使用时发生崩裂的现象，尤其是当石墨载盘受到局部温差以及撞击的情况下，可有效减小局部应力，降低破碎的概率。
一种晶片承载

[实用新型]一种发光二极管和发光装置-CN202220246687.7有效
发明人：王瑜;唐超;史志结;常安;周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底和位于所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括设置在衬底上的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，在所述发光结构上形成台面结构，以露出部分所述第一半导体层，第一半导体层连接有第一电极，第二半导体层连接有第二电极，所述第二电极包括焊盘部和扩展部，所述扩展部的两端分别与所述焊盘部连接，以形成围绕第一电极的封闭结构。本实用新型可以有效缓解局部扩展部电流大而导致的烧毁问题，增加电流分布的均匀性，能有效避免损伤发光面积，提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管发光装置

[发明专利]一种反射结构、发光二极管及其制造方法-CN202210299033.5在审
发明人：蔡家豪;方斌;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种反射结构、发光二极管及其制造方法，DBR结构中分散由于弥散反射粒子，该弥散反射粒子的反射率至少大于DBR结构中反射率较小的反射率，并且至少分布在DBR结构中折射率较小的材料层中，也可以分布在DBR结构的每一材料层中。上述弥散反射粒子选自反射率较高的金属粒子，例如Al、Ag及Au中的任意一种或几种。由于弥散反射粒子本身具有高反射能力，在发光二极管发光射入DBR层中时，可直接反射入射光回到正面，减少光在DBR膜层中的散射和吸收的损耗，提升芯片的发光效率。另外，弥散反射粒子的粒径小于形成DBR结构的材料的粒径，配合离子源辅助镀膜，可将弥散反射粒子紧密嵌入DBR膜层的空隙中，提升膜层的致密性和膜层平整度。
一种反射结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法-CN202111627446.3在审
发明人：王瑜;师修磊;钱承红;周宏敏;唐超;董金矿;马明彬;李遥;赵豆豆;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管、发光装置及发光二极管的制备方法，所述发光二极管包括图形化衬底、覆盖于图形化衬底的缓冲层及发光结构，其中，图形化衬底包括衬底以及形成在衬底表面的若干个间隔设置的图形结构；图形结构包括形成于衬底的表面的第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部分与第二部分的材料不同；缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层覆盖于图形结构的第一部分的表面及间隔设置的图形结构之间；第二子缓冲层覆盖于图形结构的第二部分的表面，第一子缓冲层的厚度大于第二子缓冲层的厚度。本发明能够提高外延磊晶面积，同时减小外延层内的晶格缺陷，提高LED的发光效率。
一种发光二极管发光装置制备方法

[实用新型]一种半导体发光元件-CN202123032410.9有效
发明人：徐胜娟;徐凯;张克旺;黄照明;蔡家豪 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，包括：衬底；依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层和第一绝缘层，以及第一电极和第二电极，第一电极包括第一焊盘和第一扩展部，且与第一半导体层连接；第二电极包括第二焊盘和第二扩展部，且与第二半导体层连接，第二扩展部形成于第一扩展部的上方，且第一扩展部与第二扩展部之间设置有第二绝缘层，第二扩展部包括主扩展部和与主扩展部连接的子扩展部，主扩展部与第一扩展部位于同一条垂直线上。本实用新型能减小扩展部对光线的遮挡和吸收，使得电流扩展更均匀，提升发光元件的亮度。
一种半导体发光元件

[实用新型]一种发光二极管-CN202121495623.2有效
发明人：蔡家豪;周立;汪琴 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光二极管，所述发光二极管的电流扩展层包括第一扩展层和第二扩展层，其中，第一扩展层具有通孔，第二扩展层为导电性较强的石墨烯层，石墨烯层覆盖第一扩展层通孔的侧壁及部分表面，使电流通过石墨烯层在纵向与横向上同时流入第一扩展层，再流入外延层，由于石墨烯材料具有良好的导电性，且透光率高，因此相比于仅设置一层电流扩展层的发光二极管，具有更佳的电流扩展效果，从而能够使发光二极管的工作电压得到有效降低，进一步提高其出光效率；此外，所述石墨烯层的厚度介于至之间，这样既保证了电流扩展层具有良好的导电性，又在最大程度上提高了发光二极管的出光效率。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN202111422872.3在审
发明人：汤恒;蓝永凌;黄文宾;史志结;周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及制作方法，该发光二极管包括图形化衬底及位于图形化衬底上的LED芯片，该图形化衬底包括具有若干个凸起的基板，凸起包括叠置的锥体及台体，带有锥体的图形化衬底更有利于发光二极管出光效率的提升，同时凸起的侧壁表面及基板的表面沉积有缓冲层，缓冲层可以改善基板与外延层的晶格失配，从而提高外延生长的质量，得到较好的表面状况以及外延片均匀性，从而提高外延层的发光效率。同时，缓冲层有利于使LED芯片形成倾斜的侧壁，从而增加LED芯片的侧面面积，提高侧面的反光，进一步提高出光效率。
一种发光二极管制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202122082632.5有效
发明人：桂亮亮;杨健;蔡家豪;汪琴;汪玉;王珊 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层，以及第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层电性连接，所述第二电极通过透明导电层与第二半导体层电性连接，第二半导体层与透明导电层之间设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层位于第二电极下方，所述第二半导体层的上表面设有凹槽，所述凹槽内壁具有高阻区，透明导电层设置于第二半导体层上以及凹槽内。本实用新型可以促使电流向发光二极管边缘区域进一步扩展，改善发光二极管发光亮暗不均的缺陷。
一种发光二极管

[实用新型]一种发光二极管-CN202121332802.4有效
发明人：蔡家豪;汪琴;周立 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括：基板、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第一电极、第二电极；其特征在于：所述第一电极和/或第二电极的表面覆盖有金刚石膜，且所述金刚石膜分别在第一电极和第二电极顶面具有第一开口和第二开口，裸露出第一电极和/或第二电极的顶面中间部分。本实用新型在第一电极和/或第二电极表面覆盖金刚石膜，由于金刚石的化学性质稳定且具有良好的导热性，可有效隔离第一电极/第二电极的各金属层受外界水汽、卤素的影响，同时针对发光二极管使用过程中产生的热量，金刚石可以快速散热，从而改善电极的金属迁移异常。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202111165751.5在审
发明人：韩权威;隗彪;沈媛媛;戴志祥;孙旭 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底和半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层以及夹置于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，以及分别与第一半导体层、第二半导体层电性连接的第一电极和第二电极，至少第一电极包括焊盘部和延伸部，其特征在于，所述延伸部下方具有间隔设置的支撑结构，相邻的所述支撑结构之间设置第一凹槽，所述第一凹槽的底部露出衬底。本发明能增大发光二极管整体的反射面积，避免了延伸部遮挡出光的问题，提升发光二极管的光提取效率。
一种发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202120585943.0有效
发明人：蔡家豪;汪琴;周立 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括：第一半导体层、活性层，第二半导体层、电流扩展层、电流阻挡层、第一电极、第二电极；其特征在于：所述电流阻挡层包括第一阻挡区和第二阻挡区，所述第二阻挡区位于第一阻挡区的外周，所述第二阻挡区的导热系数大于第一阻挡区的导热系数。本实用新型在电流阻挡层的第一阻挡区外周设置第二导热系数以及折射率较高的第二阻挡区，可以促进散热以及提高出光效率。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202111004760.6在审
发明人：蔡家豪;汪琴;周立 -专利权人： 安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及发光装置，本发明提供的发光二极管，其在第一电极的下方设置第一电流阻挡结构，并且第一电流阻挡结构的边缘与第一电极的分支部边缘的距离随着远离第一电极的焊盘的方向减小或者增大，从而促进电流的扩展，获得高亮度、发光均匀的发光二极管。
发光二极管发光装置