“安世有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果175个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法-CN201611041068.X有效
发明人：雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;简·雄斯基;杰伦·安东·克龙 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开内容提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括衬底，该衬底具有AlGaN层，该AlGaN层位于GaN层上，用于在AlGaN层和GaN层之间的界面处形成二维电子气。该装置还包括多个接触。接触中的至少一个接触包括位于衬底的主表面上的欧姆接触部分。欧姆接触部分包括第一导电材料。接触中的至少一个接触还包括沟槽，该沟槽从主表面向下延伸到衬底中。沟槽穿过AlGaN层且到GaN层中。沟槽至少部分地用第二导电材料填充。第二导电材料是与第一导电材料不同的导电材料。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置的引线框架组件-CN202010630833.1在审
发明人：里卡多·杨多克;戴夫·安德森;亚当·布朗 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及用于半导体装置的引线框架组件、半导体装置以及相关的制造方法，其中，所述引线框架组件包括：晶片附接结构和夹式框架结构，所述夹式框架结构包括：晶片连接部分，其构造为接触半导体晶片的顶侧上的接触端子；和连续的引线部分，其沿晶片连接部分延伸；其中，连续的引线部分与晶片连接部分一体形成。
半导体装置引线框架组件

[发明专利]共源共栅半导体器件及其制造方法-CN202010284962.X在审
发明人：里卡多·杨多克;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种离散共源共栅半导体器件以及相关的制造方法，该器件包括：高电压耗尽型器件管芯，其具有布置在其第一主表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子；低电压增强型器件管芯，其具有形成在其第一主表面上的栅极端子和源极端子以及形成在与第一主表面相对的第二主表面上的漏极端子；其中，高电压器件管芯的漏极端子安装在漏极连接上；低电压器件管芯的源极端子和高电压器件的栅极端子安装在共源极连接上；并且低电压器件管芯的漏极端子安装在高电压器件的源极端子上。
共源共栅半导体器件及其制造方法

[发明专利]电源检测电路-CN202010201985.X在审
发明人：吉萨纳德·阿萨姆;哈里·霍尔斯蒂克;沃尔特·特尔卡里奥 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种电源检测电路，包括：第一输入级场效应晶体管；反相器级；反馈级场效应晶体管；其中，所述反相器级包括互补的晶体管对，所述互补的晶体管对包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和PMOS晶体管被配置和布置为使得所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极长度不同。本公开还涉及一种包括电源检测电路的集成电路。
电源检测电路

[发明专利]空气引导式卷带系统和方法-CN201680035595.1有效
发明人：安东尼斯·维瑟 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B65B9/04 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于处理元件的卷带系统。在实施例中，卷带系统包括：第一运送带卷盘，其用于保持未装载运送带；元件装载系统，其用于将元件装载到未装载运送带的凹槽中；空气引导式覆盖带供给装置，覆盖带行进通过该空气引导式覆盖带供给装置；对准工具，其用于将覆盖带引导为与已装载运送带对准，并且使覆盖带与已装载运送带粘合，以将元件固定在已装载运送带中；以及第二运送带卷盘，其用于保持已装载运送带。
空气引导式卷带系统方法

[发明专利]表面安装半导体器件及其制造方法-CN202010084999.8在审
发明人：高晓婷;拉马林甘·韦格尼斯沃瑞;洪·梅尔文 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体管芯，其中所述半导体管芯包括其上布置有第一接触端子的第一主表面和其上布置有第二接触端子的相对的第二主表面；具有相对的第一主表面和第二主表面的第一引线框架，其中第一主表面固定地附接到所述半导体管芯的所述第一接触端子；具有相对的第一主表面和第二主表面的第二引线框架，其中第一主表面固定地附接到所述半导体管芯的所述第二接触端子；以及其中第一引线框架包括从其第一主表面延伸到与第二引线框架的第二主表面基本共面的平面的一体形成的外部接触部分。
表面安装半导体器件及其制造方法

[发明专利]沟槽栅极半导体装置及其制造方法-CN202010070548.9在审
发明人：史蒂文·皮克 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：半导体层，其限定第一主表面并且包括漂移区；沟槽，其从第一主表面延伸至半导体层中，其中，沟槽包括由栅极电介质包围的栅电极，该栅极电介质被构造和布置为将栅电极与半导体层电隔离；以及源极区，其从第一主表面延伸，并且与沟槽的顶部侧壁部分邻接，其中，源极区延伸至与栅电极的顶表面对应的深度。
沟槽栅极半导体装置及其制造方法

[发明专利]共源共栅半导体器件和制造方法-CN202010078957.3在审
发明人：罗伯特·蒙哥马利;里卡多·杨多克 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种分立的半导体器件和相关的制造方法，所述分立的半导体器件包括：高电压耗尽型器件裸芯；与高电压耗尽型器件裸芯按照共源共栅构造连接的低电压增强型器件裸芯；其中，高电压耗尽型器件包括布置在其第一表面上的栅极端子、源极端子和漏极端子，并且所述栅极端子、源极端子和漏极端子相对于低电压增强型器件裸芯倒置；并且其中低电压器件布置为邻近于高电压器件。
共源共栅半导体器件制造方法

[发明专利]半导体芯片级封装件和方法-CN201911085909.0在审
发明人：托比亚斯·斯普罗杰斯;简·菲舍尔 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片级封装件，其包括：半导体管芯，该半导体管芯包括：相对的第一主表面和第二主表面；在第一主表面和第二主表面之间延伸的多个侧壁；多个电触点，其布置在半导体管芯的第二主表面上；以及绝缘材料，其设置在多个侧壁上和第一主表面上，所述绝缘材料包括机器可读标识符，读取所述机器可读标识符的识别设备能够通过所述机器可读标识符来识别半导体芯片级封装类型，其中，所述机器可读标识符包括颜色成分。
半导体芯片级封装方法

[发明专利]装置、设备和系统-CN201911104945.7在审
发明人：琼普·斯托克曼斯;奈丽雅·纳西布利纳;汤姆·坎普施尔 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H02K21/14 文献下载
摘要：公开一种装置，包括：用于线性和旋转移动的单个电机，其包括：定子，所述定子包括多相线圈布置并且包括多个线圈或线圈组；和转子，所述转子可以沿其旋转轴线的轴向移动，并且包括多个磁极，所述多个磁极分别包括至少一个永磁体；和控制单元，其可操作以通过计算等式并且至少基于所述多个线圈或线圈组中的线圈或线圈组的数量、所述转子的旋转角度和取决于所述转子的轴向位置的参数来确定电流(Ir，Is，It)，其中，每个电流(Ir，Is，It)包括用于产生扭矩的电流分量(IrΦ，IsΦ，ItΦ)和用于产生轴向力的电流分量(Irx，Isx，Itx)，并且所述控制单元可操作以将开环中的所述确定的电流供应给所述数量的线圈或线圈组，其中，电流的总和为零，并且进一步的，其中，所述定子和所述转子中的至少一个包括护铁。
装置设备系统

[发明专利]半导体器件和电接触件-CN201911301985.0在审
发明人：蒂姆·波特;奥尔里克·舒马赫;简·菲舍尔 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开涉及用于分立半导体器件的电接触件结构以及制造电接触件结构的对应方法。电接触件包括第一金属层，其被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；第二金属层，其被配置和布置为接触第一金属层；以及第三金属层，其被配置和布置为接触第二金属层。
半导体器件接触

[发明专利]用于半导体装置的引线框架组件-CN201911291444.4在审
发明人：里卡多·杨多克;亚当·布朗;雷纳尔德·约翰·罗什卡恩 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于半导体装置的引线框架组件。所述引线框架组件包括：夹片框架结构；所述夹片框架结构包括：裸片连接部，其被配置和布置用于接触半导体裸片的顶侧上的一个或多个接触端子；一个或多个电引线，所述一个或多个电引线在第一端处从所述裸片连接部延伸，其中所述裸片连接部包括从其延伸的钩片，所述钩片被配置和布置成与导线拉伸测试设备的导线环接合。本公开还涉及这种引线框架组件的互连矩阵。
用于半导体装置引线框架组件

[发明专利]具有集成钳位二极管的半导体器件-CN201911241056.5在审
发明人：赖艳;马克·加日达;巴里·怀恩;菲尔·鲁特 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：与p‑n结集成的MOSFET，所述p‑n结被布置为所述MOSFET的源极接触和漏极接触之间的钳位二极管；其中，所述MOSFET限定第一击穿电压，并且所述钳位二极管限定第二击穿电压，其中，所述第一击穿电压大于所述第二击穿电压，使得所述钳位二极管被配置和布置为接收低雪崩电流，并且所述MOSFET被配置和布置为接收高雪崩电流。
具有集成二极管半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911241615.2在审
发明人：斯特凡·伯格伦德;斯特芬·霍兰 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极晶体管半导体装置，包括：衬底层；由衬底层支撑的集电极外延层；由集电极外延层的一部分支撑的基极区域；以及由基极区域的一部分支撑的发射极区域，其中，发射极区域包括多晶硅材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于电子电路的输出滤波器-CN201910560615.2在审
发明人：吉萨纳德·阿萨姆;哈里·霍尔斯蒂克 -专利权人： 安世有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于电子电路的输出级的滤波器电路，所述滤波器包括：电容器，其连接在电源电压和第一晶体管之间，其中，所述第一晶体管被布置为二极管连接的晶体管；第二晶体管，其连接到所述第一晶体管，使得所述第一晶体管和所述第二晶体管被布置为电流镜；其中，所述电容器连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管并且被构造和布置成使得在操作期间所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述电容器作为高通滤波器操作。
用于电子电路输出滤波器