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[发明专利]导电材料-CN201280025626.7有效
发明人：鹤冈恭生;野尻刚;足立修一郎;福富隆广;井上和歌;竹村贤三;宇留野道生 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于连接太阳能电池单元的电极和配线部件的导电材料，其含有树脂粘合剂和分散于该树脂粘合剂的导电粒子，该导电粒子含有含磷率为0.01质量%～8质量%的含磷铜合金。
导电材料

[实用新型]粘合膜-CN201220487798.3有效
发明人：堀内浩平;宇留野道生;高桥宏明;中村智之;岛村充芳 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：粘合膜具备膜状的粘结层和夹着粘结层的一对隔膜。各个隔膜的外缘比粘结层的外缘向外侧突出，重剥离隔膜的靠粘结层侧的面上，沿着粘结层的外缘通过刀片形成切入部。重剥离隔膜的厚度在50μm以上200μm以下、切入部的深度的平均值在5μm以上45μm以下、切入部的深度的标准偏差在15μm以下。通过如此规定切入部的深度，可将粘结层用刀片完全切断的同时抑制重剥离隔膜与粘结层发生剥离不良。
粘合

[发明专利]粘合膜以及粘合膜的制造方法-CN201210355142.0在审
发明人：堀内浩平;宇留野道生;高桥宏明;中村智之;岛村充芳 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：粘合膜具备膜状的粘结层和夹着粘结层的一对隔膜。各个隔膜的外缘比粘结层的外缘向外侧突出，重剥离隔膜的靠粘结层侧的面上，沿着粘结层的外缘通过刀片形成切入部。切入部的深度的平均值在5μm以上45μm以下、切入部的深度的标准偏差在15μm以下。通过如此规定切入部的深度，可将粘结层用刀片完全切断的同时抑制重剥离隔膜与粘结层发生剥离不良。
粘合以及制造方法

[发明专利]粘合膜-CN201210298934.9有效
发明人：堀内浩平;宇留野道生;今泉纯一;春原圣司;沼口靖 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：粘合膜具备膜状的粘结层、以夹着粘结层的方式而层叠的轻剥离隔膜以及重剥离隔膜、和进一步层叠于重剥离隔膜上的载体膜。构成外层的轻剥离隔膜以及载体膜的外缘比构成内层的粘结层以及重剥离隔膜的外缘向外侧突出，以此保护粘结层的外缘部。此外，可以抓住载体膜的外缘部将其最先剥离，接着抓住轻剥离隔膜的外缘部将其剥离，最后剥离重剥离隔膜，可容易地按规定的顺序确实地剥离各隔膜以及载体膜。
粘合

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060453.X有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的粘接片为按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060467.1有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060460.X无效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的卷是将按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片卷绕而成的卷，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060486.4有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200910254219.3有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生;岩仓哲郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为-50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。
粘着半导体装置制造方法

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法-CN200810186926.9有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供粘合片的切割方法，该方法是通过扩张进行粘贴在半导体晶片上的粘合片的切割，其特征在于：在室温以下的温度进行所述扩张。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法-CN200810186927.3有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：通过在室温以下将半导体晶片、粘合片及切割胶带的层叠物进行扩张，切割半导体晶片及粘合片，形成带有多个单片化了的粘合片的半导体芯片。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法-CN200810165822.X有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法-CN200810165821.5有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种粘合片，使其能在100℃或以下的低温下粘贴到晶片上、具有能在室温下进行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断；本发明还提供所述粘合片与切割胶带层压形成的与切割胶带一体化的粘合片，以及使用这些粘合片的半导体装置的制造方法。为此，所述粘合片的特征为，其断裂强度、断裂延伸率、弹性模量分别为所规定的特定数值范围内。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200580034993.3有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种粘接片，其为具备剥离基材10、基材薄膜14、及配置于剥离基材10与基材薄膜14之间的第1粘接着层12的粘接片；剥离基材10上，由第1粘接着层12侧的面形成环状的切入部分D，第1粘接着层12为按覆盖剥离基材10的所述切入部分D的内侧面整体而层叠，所述切入部分D的切入深度d为小于剥离基材10的厚度，且为25μm以下。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200580011773.9有效
发明人：稻田祯一;增野道夫;宇留野道生;岩仓哲郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为－50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。
粘着半导体装置制造方法

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