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[发明专利]一种K+-CN202111224763.0有效
发明人：李镇江;丁诗琦;田雨欣;戴鑫;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种K+预嵌入诱导多电子反应的镁离子电池正极材料KVS4/N‑TG，属于电池材料技术领域。将偏钒酸铵制备成水溶液后再与过量的硫代乙酰胺乙二醇溶液混合，与采用气相沉积法制备的生长有N‑TG的碳片一同转移到反应釜中，于180℃进行水热反应4h；烘干产物后用电化学方法在K2SO4溶液中进行K+预嵌入，得到镁离子电池正极材料KVS4/N‑TG。本发明通过K+预嵌入在插层型正极材料中，不仅能实现多电子反应，还能保持正极材料的结构稳定性，提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池，具有高比容量和优异的循环稳定性，具有广阔的应用前景。
一种 base sup

[发明专利]一种Mg2+-CN202111437488.0有效
发明人：李镇江;丁诗琦;田雨欣;戴鑫;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg2+预嵌入的镁离子电池正极材料MgVS4/N‑TG，属于电池材料技术领域。将偏钒酸铵制备成水溶液后再与过量的硫代乙酰胺乙二醇溶液混合，与采用气相沉积法制备的生长有N‑TG的碳片一同转移到反应釜中，180℃水热反应4h；烘干产物后用电化学方法在MgSO4溶液中进行Mg2+预嵌入，得到镁离子电池正极材料MgVS4/N‑TG。本发明通过Mg2+的预嵌入既可以扩大VS4的链间间距，还可以诱导V2+和V3+的出现，提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池，具有高比容量和优异的循环稳定性，具有广阔的应用前景。
一种 mg base sup

[发明专利]一种富S缺陷ZnIn2-CN202210386257.X有效
发明人：王学花;李镇江;王相虎;石天宇;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种富S缺陷ZnIn2S4/In2Se3异质结光催化剂，属于光催化技术领域。本发明是以自制的富S缺陷ZnIn2S4、InCl3及Se粉为原料，通过一步水热法制备出具有优异光催化分解水制氢性能的富S缺陷ZnIn2S4/In2Se3异质结光催化剂。由于紧密结合的异质界面、缺陷能级及内建电场的协同作用，该光催化剂在可见光照射下的分解水制氢速率达30～36mmol·g‑1·h‑1，且在连续6次重复使用后，产氢速率仍维持在初次使用的93.6％以上，显示出极大的实际应用前景。
一种缺陷 znin base sub

[发明专利]一种高效ZnIn2-CN202210377151.3有效
发明人：李镇江;王学花;王相虎;石天宇;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效ZnIn2S4/SnSe2/In2Se3光解水制氢催化剂，属于光催化技术领域。本发明是以自制的富S缺陷ZnIn2S4、SnCl4·5H2O、InCl3及Se粉为原料，通过一步水热法制备出具有紧密界面结合的ZnIn2S4/SnSe2/In2Se3光催化剂。其中，ZnIn2S4与SnSe2之间以Sn‑S键结合，且二者之间形成类欧姆接触，而SnSe2与In2Se3之间依靠Sn‑Se键结合，且二者之间形成类肖特基接触。类欧姆和类肖特基界面共同调控该光催化剂内光生电荷载流子的迁移和分离，使该光催化剂在可见光下的制氢速率达80～86mmol·g‑1·h‑1，且经12小时内连续6次循环使用后的产氢效率仍能保持在首次使用时的85％以上。
一种高效 znin base sub

[发明专利]一种膜包覆颗粒突起状NiSe/NF电极材料及其制备方法和应用-CN202211094273.8在审
发明人：王为波;李镇江;褚晓珂;孟阿兰;马伯江;毕文静;薛鸿垚;赵健 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种膜包覆颗粒突起状NiSe/NF电极材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：以泡沫镍为基片和镍源，硒粉为硒源，一定比例的高沸点二乙烯三胺(206.7℃)、低沸点酒精(78.3℃)和高沸点乙二醇(197.3℃)组成混合溶液，同时调节反应时间，可有效调控反应釜内的压力和活性材料负载量，实现在较低温度和短的时间一步溶剂热法合成独特、新颖的膜包覆纳米和微米颗粒突起状NiSe/NF三维分层结构电极材料。该电极具有高的比表面积、大量活性位点和良好结构稳定性，表面的细小裂纹有利于电解液快速地渗入/渗出，使活性材料充分参与赝电容反应，是一种同时具有高面积/质量比电容和倍率性能的超级电容器电极材料。
一种膜包覆颗粒突起 nise nf 电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种PVP诱导VS4-CN202111159109.6有效
发明人：丁诗琦;李镇江;孟阿兰;戴鑫 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01M4/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVP诱导VS4微结构调控的镁离子电池正极材料PVP‑VS4，属于电池材料技术领域。首先，将偏钒酸铵和聚乙烯吡咯烷酮按1:100的比例配置出浓度为0.167M的水溶液，再与过量硫代乙酰胺的乙二醇液混合，在反应釜中，于200℃水热4h；然后分别用去离子水和乙醇清洗3次，烘干，得到镁离子电池正极材料PVP‑VS4。本发明通过一步水热法实现了PVP嵌入到VS4链间，诱导了PVP‑VS4链间距扩大、V3+自掺杂、富硫空位形成以及高指数晶面暴露，实现了Mg2+与MgCl+离子的共嵌入，暴露了更多的活性位点，提高了离子扩散速度，增强了反应动力学和结构稳定性，进而提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池，具有高比容量，优异的循环稳定性和倍率特能，具有广阔的应用前景。
一种 pvp 诱导 vs base sub

[发明专利]一种自支撑柔性电化学传感器电极材料的制备及其应用-CN202211241378.1在审
发明人：盛丽英;李镇江;孟阿兰;赵健;洪小程;张悦 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑柔性电化学传感器电极材料的制备及其应用，属电化学传感器电极材料技术领域。本发明采用水热法将Co3O4原位生长于自制的自支撑柔性膜氮硫共掺杂‑还原氧化石墨烯‑碳纳米管(NS‑rGO‑CNT)表面，获得自支撑柔性电极材料Co3O4/NS‑rGO‑CNT，通过时间‑电流曲线对过氧化氢进行定量分析，结果表明，本发明具有传感器电极材料抗变形能力优异、选择性好、灵敏度高、检测范围宽等优点，对过氧化氢的检测范围为50nmol·L‑1～10mmol·L‑1、检出限为16.7nmol·L‑1，灵敏度为10053.1μA·mmol‑1·cm‑2。在临床诊断、可穿戴等领域具有良好的应用前景。
一种支撑柔性电化学传感器电极材料制备及其应用

[发明专利]一种基于MnO2-CN202211103266.X在审
发明人：盛丽英;李镇江;孟阿兰;赵健;刘文满;洪小程;张悦 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MnO2‑Co/rGO‑CNT的自支撑柔性过氧化氢传感器电极材料及应用，属电化学传感器电极材料技术领域。本发明先采用恒电位电沉积法将由纳米棒组成的3D多孔纳米花状MnO2牢固的原位生长于自制的自支撑柔性复合膜rGO‑CNT表面，得MnO2/rGO‑CNT，再用恒电位电沉积法将直径约为120nm，表面凸凹不平的纳米球状Co原位生长于MnO2/rGO‑CNT表面，获得自支撑柔性电极材料MnO2‑Co/rGO‑CNT。所述传感器电极材料具有抗变形能力优异、检测范围宽、检出限低、灵敏度高、选择性好、稳定性高等优点，对过氧化氢的检测范围为0.0004mmol·L‑1～18.0mmol·L‑1、检出限为66.7nmol·L‑1，灵敏度为159.4μA·mmol‑1。在临床诊断、可穿戴等领域具有良好的应用前景。
一种基于 mno base sub

[发明专利]一种同时带有阴/阳离子空位的WO3-CN202211207156.8在审
发明人：丁诗琦;李镇江;田雨欣;陈健康;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时带有阴/阳离子空位的WO3镁离子电池正极材料，属于电池材料技术领域。将二水合钨酸钠和葡萄糖按1:1的摩尔比分别配置成浓度为0.25M的水溶液，并混合均匀，逐滴滴加1M的盐酸，调节混合溶液的PH值至2，在反应釜中，于180℃水热8h；分别用去离子水和乙醇清洗，烘干，得到镁离子电池正极材料VW‑O/WO3。本发明通过一步水热法实现了在WO3中同时构筑阴离子(氧)空位和阳离子(钨)空位，以暴露更多的活性位点，提高导电性，维持结构稳定，并促进镁离子扩散。由其作为正极材料组装的镁离子电池，具有高比容量，优异的循环稳定性和倍率性能，具有广阔的应用前景。
一种同时带有阳离子空位 wo base sub

[发明专利]一种网状铜铁属硫化物纳米薄片电极材料及其制备方法和应用-CN202211142248.2在审
发明人：王为波;李镇江;褚晓珂;马伯江;毕文静;孟阿兰;谭龙;郑世龙 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01G11/22 文献下载
摘要：青岛科技大学本发明涉及一种网状铜铁硫化物纳米薄片电极材料及其制备方法和应用，包括以下步骤：将泡沫镍置于以去离子水和乙二醇配制的氯化铜、氯化铁、尿素和氟化铵混合溶液中，通过溶剂热反应制备交错分布铜铁硫化物前驱体纳米厚片；然后采用液相法将其在带盖磨砂玻璃瓶于硫代乙酰胺的无水乙醇溶液中加热，磨砂瓶盖向上移动产生间隙，无水乙醇逐渐挥发，溶液浓度不断提高，进行离子交换和刻蚀过程，材料产生硫化和显著地结构重构，得到泡沫镍负载网状铜铁硫化物纳米薄片阵列。它具有高的比表面积和大量活性位点，这对其电化学性能非常有利。该电极材料同时具有很高的面积/质量比电容和良好倍率性能，可直接作为下一代高性能超级电容器电极材料。
一种网状铜铁属硫化物纳米薄片电极材料及其制备方法应用

[发明专利]WO3-CN202210914221.4在审
发明人：李镇江;丁诗琦;田雨欣;戴鑫;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了WO3/MoO2中构筑0D/2D/3D缺陷应用于镁离子电池正极材料，属于电池材料技术领域。将二水合钨酸钠和二水合钼酸钠按3:1的摩尔比配置成浓度为0.2M的水溶液，再与0.3M的葡萄糖水溶液混合均匀，逐滴滴加1M的盐酸，将混合溶液的PH值调节至2，在反应釜中，于200℃水热8h；然后分别用去离子水和乙醇清洗3次，烘干，得到镁离子电池正极材料WO3/MoO2。本发明通过一步水热法实现了在WO3/MoO2中同时构筑0D/2D/3D结构缺陷，暴露了更多的活性位点，在保证结构稳定的前提下提高镁离子扩散速度，进而提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池，具有高比容量，优异的循环稳定性和倍率特能，具有广阔的应用前景。
wo base sub

[发明专利]一种富氧官能团的Ti3-CN202210942119.5在审
发明人：胡敏敏;李镇江;孟阿兰;代君;赵健 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01G11/32 文献下载
摘要：本发明公开了富氧官能团的Ti3C2MXene材料的制备方法及其应用，属于纳米材料和超级电容器领域。本发明采用简单的一步水热法，将MXene置于含有还原剂的碱性溶液中，于高压釜中在140～200摄氏度下反应16～28小时进行化学改性。改性后的Ti3C2MXene中，含O官能团的比例大大提高，–F官能团比例大大减少，这大大增加了MXene的电化学反应活性位点。与此同时，MXene的层间距离也变宽且更加均匀，这有利于电解液离子的迁移扩散。化学改性后的MXene材料用作超级电容器电极时表现出优异的电化学性能，其最大质量比容量可达540Fg–1，而且具有良好的倍率性能，具有非常好的应用前景。
一种官能团 ti base sub

[发明专利]类三明治型CoNi2-CN202210684407.5在审
发明人：胡敏敏;李镇江;孟阿兰;陈丽红;赵健 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了类三明治型CoNi2S4/Ti3C2 MXene异质结复合材料的制备方法及用途，属于纳米材料和超级电容器领域。本发明采用简单的一步水热法，以钴盐、镍盐、硫盐等为原料，以水为溶剂，于高压釜中在180—220摄氏度下反应10—14小时，洗涤，干燥后成功制备了CoNi2S4纳米片均匀生长在Ti3C2 MXene表面和层间的复合材料。MXene的层状结构抑制了层间CoNi2S4纳米片的过度生长使得纳米片尺寸非常小，这不仅缩短了电子转移和离子扩散路径，还使得CoNi2S4纳米片在电化学过程中的体积变化达到最小，提高其循环稳定性。而且得益于三明治的特殊构型，CoNi2S4在电化学循环中的体积膨胀得到有效缓解。此外，CoNi2S4与Ti3C2 MXene之间通过较强的界面结合和良好的电子耦合效应，不仅提高了单一CoNi2S4的导电性，还优化了OH‑在电极表面的稳定性和吸附性，大大提高了电化学反应活性。这使得该异质结复合材料用作超级电容器电极时表现出优异的电化学性能，其最大质量比容量可达2398F g–1，循环使用可达4万次，具有非常好的应用前景。
三明治 coni base sub

[发明专利]一种富S缺陷ZnIn2-CN202210397931.4在审
发明人：李镇江;王相虎;王学花;石天宇;孟阿兰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，属于光催化技术领域。本发明是以自制的富S缺陷ZnIn2S4、SnCl4·5H2O及Se粉为原料，通过一步水热法制备出的富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂。由于ZnIn2S4和SnSe2匹配的能带及晶体结构，再加上富S缺陷ZnIn2S4表面丰富的配位不饱和S原子，SnSe2在富S缺陷ZnIn2S4表面通过形成界面Sn‑S键紧密结合，从而形成欧姆接触，促进了ZnIn2S4上的光生电子向SnSe2上的转移，该光催化剂可用于分解水制氢，其在可见光照射下的分解水制氢速率达25～29mmol·g‑1·h‑1以上，且在连续6次重复使用后，产氢速率仅下降4％左右。
一种缺陷 znin base sub

[发明专利]一种硒化钼/富缺陷硫铟锌/硒化镉双Z型光解水制氢催化剂-CN202110498482.8有效
发明人：李镇江;王学花;王相虎;孟阿兰;杨慧 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有优异光解水制氢性能的硒化钼/富缺陷硫铟锌/硒化镉双Z型光催化剂，属于光催化技术领域。本发明是以自制的硫铟锌、二水合钼酸钠、二水合乙酸镉及硒粉为原料，水合肼为还原剂，通过一步水热法制备出具有微米花球结构的硒化钼/富缺陷硫铟锌/硒化镉双Z型光催化剂。其中，纳米片状的硒化钼和颗粒状的硒化镉分别通过钼‑硫和镉‑硫键与富缺陷硫铟锌结合，从而在富缺陷硫铟锌与硒化钼及硒化镉之间形成紧密的异质结界面，进而形成强烈的内建电场。该光催化剂在可见光下的制氢速率可达66000～70000μmol·g‑1·h‑1，且经32小时内连续8次循环使用后的产氢效率仍能保持在首次使用时的91～97％。
一种硒化钼缺陷硫铟锌硒化镉双光解水制氢催化剂

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