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[发明专利]通信装置及其通信方法-CN202011596225.X有效
发明人：祝宁华;许博蕊;孙甲政;夏施君;王丹丹;袁海庆;孙文惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H04B10/85 文献下载
摘要：本公开提供一种通信装置，包括：任意波形发生器，用于产生隐藏信号并将所述隐藏信号发送至激光器；激光器，用于产生激光，并利用所述隐藏信号调谐所述激光，生成第一激光；码型发生器，用于产生宿主信号；调制器，用于接收所述第一激光和所述宿主信号，将所述宿主信号调制到所述第一激光上，生成第二激光；光耦合器通过单模光纤连接调制器，用于接收所述第二激光，将所述第二激光分为第一光信号和第二光信号；第一光探测器，用于探测所述第一光信号包含的宿主信号；光滤波器，用于接收所述第二光信号，过滤所述第二光信号，生成第三光信号；第二光探测器，用于探测所述第三光信号包含的隐藏信号。本公开还提供一种通信方法。
通信装置及其方法

[发明专利]一种多电极的高速光电探测器及其制备方法-CN202011397048.2有效
发明人： 孙甲政;许博蕊;孙文惠;祝宁华;石迪飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开提供了一种多电极的高速光电探测器，包括：衬底；N台面，其位于衬底上，N台面表面一侧设置N电极；I台面，其位于N台面上，且I台面的水平宽度小于N台面的水平宽度，I台面表面一侧设置I电极；P台面，其位于I台面上，且P台面的水平宽度小于I台面的水平宽度，P台面表面一侧设置P电极。本公开还提供了一种多电极的高速光电探测器的制备方法。
一种电极高速光电探测器及其制备方法

[发明专利]超低损耗硅波导及其制备方法-CN202111017770.3有效
发明人：文花顺;许博蕊;孙甲政;翟鲲鹏;陈伟;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种超低损耗硅波导及其的制备方法，制备方法包括以下几个步骤：挑选作为衬底的SOI晶圆；热氧化第一硅层的上部；刻蚀第二二氧化硅层；沉积二氧化硅，形成第三二氧化硅层；在第三二氧化硅层上方注入氧离子，形成富氧离子层；刻蚀除去第二二氧化硅层与第三二氧化硅层；在第一硅层的上方沉积二氧化硅，形成第四二氧化硅层；高温退火，使得富氧离子层反应形成第五二氧化硅层；刻蚀除去第四二氧化硅层，制得成品，成品中第五二氧化硅层下方的第一硅层即为波导层，而第三凸起部下方的第一硅层即为硅波导。本公开将波导图案转移至埋层，避免了常规制备硅波导方案中刻蚀所带来的侧壁粗糙度高的问题，所制备的硅波导具有超低损耗的优点。
损耗波导及其制备方法

[发明专利]光电探测器频率响应测试装置及其测试方法-CN202110698092.5有效
发明人： 孙甲政;许博蕊;袁海庆;文花顺;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器频率响应测试方法，包括：波形发生器向可调谐激光器提供方波调谐信号；可调谐激光器接收方波调谐信号，产生波长分别为λ1和λ2的激光；波长为λ1的激光经光耦合器输出频率为f1的光A；波长为λ2的激光经可调延时光纤输出频率为f2的光B；光A与光B的频率差Δf＝f2‑f1；强度调制器同时接收光A与光B；微波信号源向强度调制器提供调制信号fm；强度调制器产生频率为f1±fm的±1阶边带和频率为f1+Δf±fm的±1阶边带；待测光电探测器对频率为f1+fm的+1阶边带与频率为f1+Δf‑fm的‑1阶边带拍频；待测光电探测器对频率为f1‑fm的‑1阶边带与频率为f1+Δf+fm的+1阶边带拍频；分别记录频率为2fm+Δf和频率为|Δf‑2fm|的谱线对应的功率，得到待测光电探测器在频率2fm+Δf和|Δf‑2fm|对应的频率响应。
光电探测器频率响应测试装置及其方法

[发明专利]光电子芯片的混叠集成封装装置及其封装方法-CN202111017954.X在审
发明人：文花顺;翟鲲鹏;许博蕊;孙甲政;陈伟;王欣;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电子芯片的混叠集成封装装置及其封装方法，装置包括：光电子芯片，所述光电子芯片上设置有多个功能单元；所述多个功能单元分为需要整体温度稳定与需要局部温度快速调谐两种类型；所述多个功能单元中至少有一个为需要局部温度快速调谐的功能单元；所述需要局部温度快速调谐的功能单元周围刻蚀有空气槽，用于隔离该功能单元与其他功能单元即需要整体温度稳定的功能单元的热量；使得这两种类型的功能单元的热量互不干扰，减少光电子芯片内部不同区域的温度互相串扰。这样的设计满足了光电子芯片对整体温度高稳定与局部温度快速精细调谐的双重要求。
光电子芯片集成封装装置及其方法

[发明专利]硅基电光调制器及其制备方法-CN202111017879.7在审
发明人：文花顺;许博蕊;孙甲政;翟鲲鹏;陈伟;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基电光调制器及其制备方法。方法包括选择SOI晶圆，SOI晶圆为多层结构，自下而上为硅衬底、第一二氧化硅埋层、顶部硅层；顶部硅层中制备第二二氧化硅埋层，将顶部硅层分为上下两层，上层为第一硅层，下层为波导层，第二二氧化硅埋层一部分向上凸起，使下方波导层形成脊形结构，脊形结构向上凸起部分为硅波导，第二二氧化硅埋层内部存在压应力，向外挤压第一硅层及波导层，使硅波导左、右上角因受挤压引起原子排列改变，在硅波导中诱导出二阶非线性极化率；第一硅层上设置GSG单驱动共面波导行波电极，使得其施加的电场可以到达硅波导。本发明克服了常规硅电光调制器的带宽受限于载流子运输时间很难再提高的问题且插损小、可3D光子集成。
电光调制器及其制备方法

[实用新型]一种大豆变量种肥同施控制装置-CN202120860001.9有效
发明人：陈闰润;孙甲政;王洪超;王紫玉;冯馨雨;刘宇轩;开淋 -专利权人：黑龙江八一农垦大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种大豆变量种肥同施控制装置，涉及种肥同施监控与控制技术，为了解决现有的大豆以种肥同施的方式种植时，无法对化肥的施用量实现精确控制的问题。本新型的第一旋转编码器与农用车车轮同轴连接，第一旋转编码器与主控器相连；第二旋转编码器与施肥电机同轴连接，第二旋转编码器的与主控器相连；参数设置单元用于设置播种电机与农用车车轮的转速比以及施肥电机与农用车车轮的转速比；参数设置单元与主控器相连；主控器的控制信号输出端与驱动器的控制信号输入端相连；主控器的显示信号输出端与显示器的显示信号输入端相连，显示器用于显示施肥电机的转速、播种电机的转速以及农用车车轮的转速。有益效果为能够精确的控制化肥的施用量。
一种大豆变量种肥控制装置

[发明专利]窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法-CN202010139459.5有效
发明人： 孙甲政;许博蕊;孙文惠;夏施君;袁海庆;祝宁华;班德超;刘泽秋;张晨炜;徐长达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种分布反馈半导体激光器，所述激光器自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、二次外延光栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层；包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为脊波导结构。本发明利用垂直方向上下两层光栅结构，共同反馈选模。分布在有源区附近的二次外延光栅与光场高效耦合，实现频率选择和压窄线宽。电极取样光栅单一反射峰线宽窄，与波导内光场充分耦合反馈，能够进一步稳定工作波长，提高边模抑制比，减小线宽因子，有效压窄激光线宽。
窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种光电监测系统-CN202010107741.5在审
发明人：刘宇;孙文惠;孙甲政;袁海庆;白金花;王欣;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本公开实施方式公开了一种光电监测系统，所述系统包括：光波导芯片以及键合到所述光波导芯片上的探测器芯片；所述光波导芯片的合波处开设有窗口，所述窗口的尺寸与所述探测器芯片的有源区尺寸相匹配，所述有源区用于接收从所述窗口射出的光信号，以对所述光波导芯片的光功率进行监测。本公开提供的光电监测系统无需对波导进行分光操作，从而在不衰减波导传输光功率的基础上，实现实时在线监测。
一种光电监测系统

[发明专利]基于电极光栅的双波长可调谐半导体激光器-CN202010139463.1有效
发明人：许博蕊;孙甲政;夏施君;孙文惠;包帅;袁海庆;祝宁华;朱厦;徐长达;王丹丹;齐艺超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种双波长可调谐半导体激光器，自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层，其中，包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为Y分支波导结构，所述激光器的光栅结构为电极光栅。本发明利用Y分支波导结构在出光面同一位置实现双波长输出。本发明的电极光栅结构包括高阶均匀光栅结构、高阶取样光栅结构、啁啾重构光栅结构，降低了工艺制造过程中的精度要求，易于制备。
基于电极光栅波长调谐半导体激光器

[发明专利]一种立体中转站式垃圾收集、储存、处理系统-CN202011021547.1在审
发明人：张令民;宋振宇;孙甲政 -专利权人：张令民;泰安市鑫孚精工科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G06Q50/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种立体中转站式垃圾收集、储存、处理系统，包括垃圾收集储存设备和处理设备，所述处理设备用于对垃圾收集储存设备进行控制处理；所述垃圾收集储存设备包括全自动存储系统、除臭杀菌系统、沥水收集系统、雨水收集系统、消防系统、广告系统、视频监控与语音提醒系统和故障检测与中央监控系统；本发明打破传统垃圾收集粗放式管理，实现垃圾全密闭存储，智能化程度高，全自动化处理，安全可靠，打破环卫收集终端“数据孤岛”，促进环卫工作全面监管。
一种立体中转站垃圾收集储存处理系统

[发明专利]具有模场扩散结构的窄脊分布式反馈激光器及其应用-CN201911300059.1在审
发明人：夏施君;许博蕊;祝宁华;包帅;袁海庆;孙甲政;班德超;徐长达;孙文惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01S5/0625 文献下载
摘要：一种具有模场扩散结构的窄脊分布式反馈激光器及其应用，该分布式反馈激光器包括N面电极层；衬底层；缓冲层；第一波导层；多量子阱有源层；第二波导层；光栅层；刻蚀自停止层；包层；欧姆接触层；以及P面电极层；其中，在所述包层和欧姆接触层上刻蚀形成脊波导，脊波导包括直波导和模场扩散结构。本发明利用水平方向脊宽的收缩，端面脊的断开以及端面淀积一层低折射率材料薄膜三种方案，能够有效地增大输出激光的模场面积，降低激光器端面的功率密度，提高激光器端面的损伤阈值，增大最大注入电流，增大带宽，提高无杂散动态范围，改善激光器的高频响应特性，提高调制速率。
具有扩散结构分布式反馈激光器及其应用

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