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[发明专利]刻蚀方法-CN201911177575.X有效
发明人： 孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体地涉及一种半导体器件刻蚀方法。所述刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的介质层，所述介质层中形成有经刻蚀工艺形成的通孔，所述通孔结构表面包括所述刻蚀工艺中残留的含氟基团；使用碱性溶液对所述通孔进行第一清洗，去除残留的含氟基团；对所述通孔进行第二清洗；对所述通孔进行第三清洗。本申请提供的一种半导体器件刻蚀方法，在刻蚀所述介质层形成通孔后，使用碱性溶液对所述通孔进行第一清洗，去除残留的含氟基团，可以避免所述含氟基团溶于酸性或中性溶液后对刻蚀停止层造成缺口，从而改善器件的可靠性。
刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910571805.4有效
发明人： 孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括器件密集区和器件稀疏区的衬底；在衬底上依次形成第一掩膜层、第一核心层和第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层和第一核心层，形成鳍部间隔图形；在器件稀疏区形成第一牺牲层，且第一牺牲层覆盖鳍部间隔图形；以第一牺牲层为掩膜，刻蚀减小器件密集区第一核心层的宽度；在器件密集区形成第二牺牲层；刻蚀去除第一、第二牺牲层和第二掩膜层，剩余第一核心层；在第一核心层两侧形成第一侧墙；去除第一核心层；以第一侧墙为掩膜，刻蚀第一掩膜层，形成第一掩膜层图形；以第一掩膜层图形为掩膜，刻蚀衬底，形成鳍部。本发明的形成方法可以得到不同间距的鳍部图形，且图形高度一致、均匀性好。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种工件加工设备的液氮制冷装置-CN202220332648.9有效
发明人： 孙天杨 -专利权人：吉林省杨天光电有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： F25D3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及工件加工技术领域，尤其涉及一种工件加工设备的液氮制冷装置，包括制冷箱，制冷箱内部一侧开设有挥发仓，还包括：吹风口，吹风口开设于挥发仓内壁一侧；抽风仓，抽风仓开设于吹风口远离挥发仓的一侧，抽风仓与吹风口内侧连通，并且抽风仓远离吹风口的一侧连通于制冷箱顶面外侧；增压叶片，增压叶片转动于吹风口中部，增压叶片远离吹风口的一端与制冷箱内侧传动连接；本实用新型在挥发仓的内侧增设有增压叶片，在液氮进入挥发仓内侧后可以由增压叶片从抽风仓内侧抽取空气向挥发仓的内侧吹动，从而提高挥发仓内侧的空气压力，且在空气进入挥发仓内侧后，可以提高液氮与空气的挥发效率，进而提高挥发仓内侧的冷气生产速度。
一种工件加工设备液氮制冷装置

[实用新型]一种便携式网络布线用高精度抗干扰的激光测距装置-CN202220796482.6有效
发明人： 孙天杨 -专利权人：吉林省杨天光电有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式网络布线用高精度抗干扰的激光测距装置，包括检测仪和连接布，所述检测仪的表面固定安装有两个水平泡，且检测仪的一侧固定连接有后盖，所述连接布的一侧固定安装有固定板，所述固定板远离连接布的一端固定连接有轴承，所述轴承的一端转动安装有卡环，所述卡环的底端开设有放置槽，且卡环的内壁卡接有固定块。通过设置的固定块安装在后盖的一侧，将吸盘吸附在周边的光滑物体上，以便于对检测仪进行固定，从而避免了在使用测距仪进行测距时，在一些放置体表面凹凸不平的位置放置时，检测仪的底端难以保持平稳，导致在检测时，激光放射的角度出现偏差，从而造成最终获取的数据出现偏差。
一种便携式网络布线高精度抗干扰激光测距装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011568329.X在审
发明人：余桥;孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层；在所述第一掩膜材料层表面形成光阻层，所述光阻层中具有相邻的第一开口和第二开口；对所述第一掩膜材料层进行多次旋转注入，以形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有相邻的第一掺杂区和第二掺杂区；刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出所述待刻蚀层表面，形成相邻的第一阻挡结构和第二阻挡结构。从而，降低了形成半导体结构的工艺的难度、减小了形成半导体结构的成本。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种多调节功能光学器具生产用固定装置-CN202122101579.9有效
发明人： 孙天杨 -专利权人：吉林省杨天光电有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学器具技术领域，具体是一种多调节功能光学器具生产用固定装置，包括底座，所述底座顶部外壁开设有开口，且开口的两侧内壁转动连接有一个双向丝杆，所述双向丝杆圆周外壁通过螺纹转动连接有滑动块，且滑动块顶部外壁一侧安装有支撑架，支撑架的外壁滑动连接有支撑壳体，所述支撑壳体一侧外壁顶部通过轴承转动连接有第一旋转轴和第二旋转轴，本实用新型能够通过设置有挤压机构，首先根据光学器具形状来转动螺纹杆，从而调节橡胶挤压块的长度，能够对光学器具表面不规整外壁进行贴紧，转动双向丝杆带动两个滑动块相互靠近，从而快速对光学器具进行挤压固定，提高了固定范围。
一种调节功能光学器具生产固定装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011270178.X在审
发明人：余桥;孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一介电层以及位于第一介电层中的导电层，基底顶部形成有第二介电层，第二介电层中形成有露出导电层的开口；沿开口刻蚀导电层，在导电层中形成凹槽，凹槽的顶部与开口的底部相连，且凹槽的侧壁相对于开口的侧壁凸出；在凹槽和开口中形成导电插塞，导电插塞包括位于开口中的纵向导电插塞、以及位于凹槽中的横向导电插塞。通过横向导电插塞阻挡住纵向导电插塞的侧壁与第二介电层之间的间隙，从而降低导电层在形成导电插塞的过程中受损的概率，例如，横向导电插塞能够阻挡研磨液与导电层相接触，进而提高了半导体的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]湿法刻蚀的方法-CN202011219380.X在审
发明人： 孙天杨;余桥;张晓山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种湿法刻蚀的方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻蚀处理包括：进行第一步刻蚀，所述第一步刻蚀中，所述基底具有第一转速；在所述第一步刻蚀之后，进行第二步刻蚀，所述第二步刻蚀中，所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速，且所述基底表面的化学药液的液膜增至第一厚度；在所述第二步刻蚀之后，进行第三步刻蚀，所述基底具有第三转速，所述第三转速低于或等于所述第一转速，使所述化学药液液膜厚度足够厚，从而减少空气中的氧气进入待刻蚀层表面的机会，利于均匀的刻蚀，提高所述待刻蚀层表面的平整度，减少腐蚀坑缺陷产生的几率。
湿法刻蚀方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202011187100.1在审
发明人：于海龙;荆学珍;张浩;雒建明;张田田;韩静利;孙天杨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层和位于介质层内的导电层，所述导电层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，所导电层上具有位于介质层内的凹槽；在所述凹槽的底部表面和侧壁表面形成初始保护层，所述凹槽侧壁表面的初始保护层的厚度小于所述凹槽底部表面的初始保护层的厚度；对所述凹槽侧壁表面的初始保护层和所述凹槽底部表面的部分初始保护层进行改性处理，在凹槽底部表面形成保护层，并在凹槽侧壁表面和凹槽底部的保护层表面形成改性层；去除所述改性层，直至暴露出所述凹槽侧壁的介质层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910977725.9在审
发明人：张静;孙天杨;潘璋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，与鳍部的延伸方向相垂直的方向为横向；在衬底上形成覆盖部分鳍部侧壁的隔离材料层，隔离材料层露出的鳍部为顶鳍部；在顶鳍部的侧壁上形成保护层；去除部分厚度的隔离材料层，形成隔离层，隔离层覆盖的鳍部为底鳍部；沿横向对保护层和隔离层露出的鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部；形成栅极结构，栅极结构覆盖顶鳍部和颈鳍部的部分顶壁和部分侧壁。本发明实施例，减薄处理得到的颈鳍部的横向尺寸较小，栅极结构底部覆盖的颈鳍部，从而栅极结构底部对颈鳍部具有较强的控制能力，有利于提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

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