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[发明专利]一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法-CN202110957687.8有效
发明人：陈小青;张鑫;严辉;张永哲;孙召清 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G01N27/24 文献下载
摘要：一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即#imgabs0##imgabs1#因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
一种用于激励能级电容分析缺陷空间位置测定方法

[发明专利]一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法-CN202310531961.4在审
发明人：严辉;张鑫;陈小青;郑子龙;孙召清;程建功 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。
一种用于硅异质结太阳电池提效降制备方法

[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件-CN202310453244.4在审
发明人：周生厚;唐喜颜;杨建超;邓小玉;孙召清;唐清;王永磊;叶枫;方亮;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以在采用激光刻蚀工艺将背接触太阳能电池包括的N区和P区隔离开时，降低或消除激光能量对背接触太阳能电池造成损伤。该背接触太阳能电池包括：半导体基底、透明导电层和绝缘吸光层。半导体基底具有相对的第一面和第二面。第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。每个隔离区域上开设有贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。绝缘吸光层至少位于隔离槽的底部，并且绝缘吸光层的宽度大于等于隔离槽的宽度。
一种接触太阳能电池及其制造方法组件

[实用新型]一种背接触太阳能电池及光伏组件-CN202223149519.5有效
发明人：唐喜颜;孙召清;周生厚;邓小玉;叶枫;方亮 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的第一表面侧包括第一半导体层、第二半导体层、预留块；第一表面包括：第一导电区、第二导电区和位于所述第一导电区和第二导电区之间的绝缘隔离区；第一半导体层至少具有位于第一导电区上的第一部分；第二半导体层至少具有位于第二导电区上的第二部分；预留块在第一表面上的第一投影落在绝缘隔离区中，第一投影的面积小于绝缘隔离区的面积，且第一投影和第一导电区、第二导电区均具有间隙。该预留块基本没有受到激光刻蚀，该预留块所覆盖的部分基本没有受到激光刻蚀，减少了激光损伤，提升了开路电压和填充因子，提升了电池的可靠性。
一种接触太阳能电池组件

[发明专利]背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202310007785.4在审
发明人：周生厚;唐喜颜;孙召清;邓小玉;杨建超;叶枫;方亮;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一耐碱钝化层；第一耐碱钝化层在第一表面上的投影位于绝缘隔离区内部；第一半导体层具有位于第一导电区上的第一部分，和与第一部分连续且位于第一耐碱钝化层上的第二部分；第二半导体层具有位于第二导电区上的第三部分，和与第三部分连续且位于第一耐碱钝化层上的第四部分；背接触太阳电池还包括位于硅基底第一表面侧的第二耐碱钝化层、位于第一耐碱钝化层上，从远离硅基底向靠近硅基底的开孔；开孔至少贯穿第四部分中的第二导电半导体层。本发明降低了漏电概率。
接触太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]一种背接触电池及其制造方法、光伏组件-CN202211538525.1在审
发明人：周生厚;唐喜颜;孙召清;邓小玉;方亮;叶枫;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，以在将背接触电池包括的N区和P区隔离开后防止对背接触电池造成损伤。所述背接触电池包括：半导体基底、透明导电层以及隔离保护结构。上述半导体基底具有相对的第一面和第二面。沿平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔分布的N型区域和P型区域、以及位于每个N型区域与相应P型区域之间的隔离区域。透明导电层覆盖在第二面上。在每个隔离区域上形成有至少贯穿透明导电层的隔离槽，隔离槽用于将透明导电层位于N型区域上的部分与透明导电层位于P型区域上的部分隔离开。隔离保护结构形成在隔离槽槽底的部分区域上。隔离保护结构的材料至少包括透明导电层的材料。
一种接触电池及其制造方法组件

[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法-CN202210600066.9在审
发明人：唐喜颜;孙召清;汪根顺;邓小玉;周生厚;方亮 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种背接触太阳能电池及其制备方法，其中，所述背接触太阳能电池，包括具有受光面和背光面的P型晶硅基底，所述P型晶硅基底的背光面包括第一区域和第二区域，电子钝化接触层覆盖所述第一区域，空穴钝化接触层覆盖所述电子钝化接触层和所述第二区域，透明导电层至少部分覆盖所述空穴钝化接触层，金属电极覆盖所述透明导电层，所述金属电极和所述透明导电层被隔离区贯穿以暴露出部分所述空穴钝化接触层。本申请的背接触太阳能电池通过在背场区设置氧化铝层，从而改善背接触结构，实现空穴隧穿接触，提升电池性能，同时可以减少电池整体工艺步骤，降低电池成本。
一种接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件-CN202210392288.6在审
发明人： 孙召清;唐喜颜;周生厚;邓小玉;方亮;曲铭浩;徐希翔 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。HBC太阳能电池包括：硅基底，以及位于硅基底同一侧的背面钝化层和绝缘层；背面钝化层位于绝缘层和硅基底之间；绝缘层对波长为355nm的激光的吸收系数大于或等于500000/cm，和/或，绝缘层对波长为532nm的激光的吸收系数大于或等于10000/cm。激光对薄膜图形化的过程中，绝缘层就将激光基本完全吸收，透过绝缘层的激光基本没有，激光基本不会损伤背面钝化层，进而保护了HBC太阳能电池的钝化性能，利于提升HBC太阳能电池的电池效率。且采用激光对薄膜图形化速度快、成本低、无接触加工，适合于大批量生产。
一种 hbc 太阳能电池制备方法电池组件

[发明专利]一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件-CN202210483266.0在审
发明人：周生厚;唐喜颜;孙召清;邓小玉;慎小宝;方亮;章金生;邱浩然;徐希翔 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种HBC太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。HBC太阳能电池包括：硅基底、均位于硅基底背光侧的第一传输层、第二传输层、绝缘层以及用于保护绝缘层的绝缘保护层；第二传输层在硅基底的背光面上的第一投影，与第一传输层在硅基底的背光面上的第二投影，具有重叠区域和非重叠区域；绝缘层和绝缘保护层均位于第一传输层和第二传输之间，且完全覆盖重叠区域；绝缘保护层与绝缘层紧邻分布，且绝缘保护层位于绝缘层远离硅基底的一侧；在相同的刻蚀条件下，绝缘保护层的刻蚀速率，小于绝缘层的刻蚀速率。绝缘保护层的刻蚀速率均较慢，绝缘保护层会对绝缘层起到良好的保护作用，可以提升HBC太阳能电池的绝缘性能。
一种 hbc 太阳能电池制备方法电池组件

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202210235077.1在审
发明人： 孙召清;唐喜颜;周生厚;邓小玉;方亮;曲铭浩 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，该方法在对硅基底的背面进行发射极和背表面场图形化的过程中采用了一次湿法刻蚀与多次激光消融，激光消融工艺加工速度快、精度高、成本低、污染小，因此，通过减少实施操作繁琐、成本高、污染大的湿法刻蚀次数，采用激光消融能够有效简化工艺、降低成本，并提高图形化的精度，降低损伤，从而提高HBC电池的成品质量。
太阳能电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池-CN202111359507.2在审
发明人： 孙召清;方亮;曲铭浩 -专利权人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，先在硅基底的一面依次沉积第一钝化层和第一传输层，第一传输层与硅基底的导电类型不同；在第一传输层上设置掩膜，硅基底呈现由掩膜的覆盖区域与未覆盖区域之间呈叉指状的排列，并根据掩膜对第一钝化层、第一传输层进行刻蚀，再在掩膜上依次沉积第二钝化层和第二传输层，移除掩膜后在硅基底的一面形成叉指背接触排列的两传输层。此时，在过程中仅发生了一次刻蚀，一次设置掩膜，有效简化了工艺步骤，降低了制备成本，并避免了对位精度不准的问题，提高了成品质量。
一种太阳能电池制备方法以及

[发明专利]一种晶硅异质结太阳能电池-CN202110520121.9在审
发明人：严辉;张永哲;宋雪梅;郑子龙;陈小青;孙召清;张鑫 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：一种晶硅异质结太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。在硅片的正面也通过沉积上本征氢化非晶硅钝化膜来钝化悬挂键，但是为了减少掺杂氢化非晶硅和TCO的吸收损失，在上本征氢化非晶硅钝化膜正面的掺杂氢化非晶硅只覆盖了小部分面积来作为电子的选择性传输通道。减少n型掺杂氢化非晶硅的覆盖面积是基于太阳电池的衬底也为n型掺杂，电子为多数载流子，其在衬底中有良好的传输能力。虽然减少了前表面场的覆盖面积会使电子的扩散距离变大，但良好的传输能力可避免引起传输损失。同样地，正面的透明导电氧化物薄膜也仅沉积在n型掺杂氢化非晶硅上部，透明导电氧化物薄膜上部有金属电极来形成紧密欧姆接触。
一种晶硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种双面入光结构的太阳能电池-CN202011598294.4在审
发明人：严辉;刘丰珍;张永哲;宋雪梅;郑子龙;陈小青;周玉荣;周玉琴;何永才;孙召清 -专利权人：北京工业大学;中国科学院大学
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：一种双面入光结构的太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。从上至下分别为：第一透明导电层(1)、第一载流子传输层(2)、第一钝化层(3)、晶体硅(4)、第二钝化层(5)、第二载流子传输层(6)、第二透明导电层(7)。完成第一和第二透明导电层后，再分别在第一和第二透明导电层外表面制作栅线状正面电极和背面电极即栅线电极(8)，用来收集并导出光生载流子。晶硅化合物太阳能电池可以实现双面入光双面发电，进而有更高的转换效率。
一种双面结构太阳能电池

[发明专利]一种曲面贴合设备和贴合方法-CN202010440990.6在审
发明人： 孙召清;范良照;石林荣 -专利权人：上海科世达-华阳汽车电器有限公司;科世达（上海）机电有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本发明公开一种曲面贴合设备和贴合方法，包括上固定装置、贴合腔室、下贴合装置和顶升装置，上固定装置设置于贴合腔室顶部内表面处，下贴合装置设置于顶升装置的伸缩端，上固定装置上设有凸部，下贴合装置上设有与凸部配合的凹部。本申请公开的曲面贴合设备，将触控盖板设置于上固定装置的凸部，将双面胶设置于下贴合装置的凹部，通过顶升装置带动下贴合装置将双面胶与触控盖板贴合，再将触控薄膜放置于下贴合装置，通过顶升装置带动下贴合装置将触控盖板与双面胶贴合，贴合结构符合触控盖板和触控薄膜的曲面结构，避免了曲面触控面板贴合过程中贴合用的光学胶出现褶皱的情况，提高了曲面触控面板贴合质量。
一种曲面贴合设备方法

[发明专利]一种显示图案的按键-CN201910138104.1在审
发明人：何果;孙召清;石林荣 -专利权人：上海科世达-华阳汽车电器有限公司;科世达（上海）管理有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01H9/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示图案的按键，所述按键的主体为用于传输光线的光纤面板，所述光纤面板的内侧面设置有图案层，所述图案层包括透光部分和非透光部分，且所述图案层的另一侧面设置有背光源，所述背光源用于发射光线穿过所述图案层的透光部分，所述光纤面板用于将穿过的所述光线传输至所述按键的顶部显示出图案。上述显示图案的按键，能够将图案更清晰直接真实的传递给用户，提升用户体验，而且保证显示图案不易缺失，提高其使用寿命。
按键显示图案图案层光纤面板侧面设置透光背光源穿过图案传输光线发射光线光线传输使用寿命用户体验非透光传递清晰申请保证

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