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[发明专利]对量子dimer模型实现全拓扑类抽样的量子蒙特卡洛方法-CN201910162497.X有效
发明人：严正;娄捷;陈焱;漏燕娣;林志 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对量子dimer模型实现全拓扑类抽样的量子蒙特卡洛方法，用于对根据二维拓扑材料对应建立的量子dimer模型进行跨拓扑类的抽样，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，计算量子dimer模型的哈密顿量H从而得到对角算符哈密顿量H1,p以及非对角算符哈密顿量H2,p：步骤S2，根据对角算符哈密顿量H1,p以及非对角算符哈密顿量H2,p得到对应各个构型的求和参数：步骤S3，对所有构型求内积，得到非零矩阵元：步骤S4，依次对构型进行对角更新：步骤S5，通过扫描团簇方法完成对角算符和非对角算符之间的转化；步骤S6，完成更新得到量子dimer模型的物理性质。
量子 dimer 模型实现拓扑抽样蒙特卡洛方法

[发明专利]一种计算强几何限制自旋模型的量子蒙特卡洛算法-CN201811265102.0在审
发明人：严正;娄捷;陈焱 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本发明属于强关联物理数值技术领域，具体为一种计算强几何限制自旋模型的量子蒙特卡洛算法（QMC）。本发明算法的核心思想是通过按照虚时间序的更新方式，保持世界线之间的强关联效应，从而使得更新自动满足系统的几何限制要求；文中，以量子dimer模型（QDM）为例，给出了算法过程，演示了算法的正确性和有效性。目前为止，本发明是全世界第一个不依赖于具体参数、晶格和温度处理强几何限制自旋模型的严格数值方法。
算法自旋量子关联效应核心思想数值技术算法过程温度处理时间序世界线更新晶格演示关联

[发明专利]镁锆铌锑系微波介质陶瓷及制备方法和应用-CN201811160603.2在审
发明人：肖谧;何苏苏;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低介电常数和高品质因数的镁锆铌锑系微波介质陶瓷及制备方法和应用。该微波介质陶瓷的化学表达式为：MgZr(Nb_1‑xSb_x)₂O₈，其中0＜x≤0.1。该微波介质陶瓷制备方法为：将MgO、ZrO₂、Sb₂O₅和Nb₂O₅按化学表达式中的化学计量比配料，加入一定比例去离子水和氧化锆球在球磨机上球磨、烘干、过筛；将制得的粉料煅烧后，再经二次球磨、烘干、造粒，过筛，再用粉末压片机压成坯体；将制得坯体在1280℃～1340℃烧结4～6小时制得镁锆铌锑系微波介质陶瓷。该微波介质陶瓷在通信领域中的应用。本发明成功地获得了高性能MgZr(Nb_0.92Sb_0.08)₂O₈陶瓷。另外，本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
微波介质陶瓷镁锆锑系制备方法和应用化学表达式烘干过筛球磨机发明制备工艺微波介质材料低介电常数粉末压片机高品质因数化学计量比二次球磨去离子水通信领域氧化锆球烧结成坯体粉料坯体球磨造粒制备煅烧陶瓷应用成功

[发明专利]具有低介电常数和超低介电损耗的镁锆锗铌系微波介质陶瓷及制备方法和应用-CN201811158804.9在审
发明人：肖谧;何苏苏;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低介电常数和超低介电损耗的镁锆锗铌系微波介质陶瓷及制备方法和应用。该微波介质陶瓷化学表达式为：Mg(Zr_1‑xGe_x)Nb₂O₈，其中0＜x≤0.4。该制备方法包括如下步骤：(1)将原料按化学式Mg(Zr_1‑xGe_x)Nb₂O₈(0＜x≤0.4)进行配料，加入一定比例去离子水和氧化锆球在球磨机上球磨；(2)将步骤(1)球磨后的原料烘干，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)煅烧步骤(2)的粉料；(4)步骤(3)预烧后的陶瓷粉料进行二次球磨罐、烘干、造粒，过60目筛，再用粉末压片机压成坯体；(5)将步骤(4)的坯体于1260℃～1320℃烧结3～6小时，制得镁锆锗铌系微波介质陶瓷。该微波介质陶瓷在通信领域中的应用。本发明微波介质陶瓷仅需通过微量的锗离子部分置换锆离子，就能获得极其优异的微波介电性能。
微波介质陶瓷镁锆铌系制备方法和应用低介电常数超低介电粉料目筛球磨球磨机微波介电性能粉末压片机化学表达式二次球磨去离子水陶瓷粉料通信领域氧化锆球原料烘干烧结成坯体锗离子锆离子烘干坯体预烧造粒制备煅烧置换应用

[发明专利]一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷-CN201810798144.4在审
发明人：肖谧;韦艳双;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷及其制备方法，其原料组成为CaCoSi₂O₆。按照配料、一次球磨、干燥、过筛、1100℃预烧、二次球磨、造粒、压制成型为坯体，坯体于在排蜡时于550℃保温90～300min，然后升温到1125～1200℃烧结2小时，制得低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷。本发明成功地获得了介电常数约为4.6～7.2、Q×f最高可达到12456.9GHz、谐振频率温度系数接近于0的低介电常数微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
微波介质陶瓷低介电常数钴硅坯体低介电常数微波介质陶瓷谐振频率温度系数发明制备工艺微波介质材料二次球磨介电常数原料组成烧结次球过筛排蜡预烧造粒制备保温成功

[发明专利]一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法-CN201711285711.8在审
发明人：肖谧;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为Mg1‑xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)。先将MgO、CoCO3、ZrO2、Nb2O5按Mg1‑xCoxZrNb2O8(0.02≤x≤0.10)组成进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1100℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1220‑1280℃烧结，制得高性能镁钴锆铌系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f为70709.3GHz、介电常数为25.1803，谐振频率温度系数为‑46.0968ppm/℃的高性能微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
一种镁钴锆铌系微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷-CN201710394227.2在审
发明人：肖谧;娄捷;顾青青;周子淇;韦艳双 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)。先将MgO、ZrO2,SnO2、Nb2O5按MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1050℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1240‑1280℃烧结，制得高性能镁锆锡铌系介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f达94014.2GHz、介电常数为24.9134，谐振频率温度系数为‑43.9345ppm/℃的高性能微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的毫米波电路的微波介质材料。
一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷

[发明专利]一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷-CN201710358631.4在审
发明人：肖谧;娄捷;周子淇;顾青青;韦艳双 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为MgZr(Nb1‑xTax)2O8(0＜x≤0.1)。先将MgO、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5按MgZr(Nb1‑xTax)2O8(0＜x≤0.1)进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1100℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1280～1320℃烧结，制得高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f达到88440.2GHz、介电常数为23.1654，谐振频率温度系数为‑52.0733ppm/℃的高性能微波陶瓷介质。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
一种具有品质因数镁锆铌钽系微波介质陶瓷

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